Патенти з міткою «епітаксії»

Номер патенту: 115873

Опубліковано: 10.01.2018

Автори: Боскін Олег Осипович, Єрохін Сергій Юрійович, Шутов Станіслав Вікторович, Цибуленко Вадим Володимирович

МПК: H01L 21/208, H01L 21/20, C30B 19/00 ...

Мітки: очищення, епітаксії, рідинної, підкладки, фазі, розчину-розплаву, змочування, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб змочування підкладки та її очищення від розчину-розплаву при епітаксії з рідинної фази, що полягає у змочуванні підкладки розчином-розплавом, на який діє сила тяжіння, способом зміщення слайдера касети, який утримує підкладку, між комірками, що заповнені розчинами-розплавами, і очищенні підкладки від розчину-розплаву, який відрізняється тим, що при змочуванні на розчин-розплав додатково діють силою Ампера, яку викликають тим, що по...

Номер патенту: 82180

Опубліковано: 25.03.2008

Автори: Дорадзінскі Роман, Сешпутовскі Лешек П., Гаршінскі Єжі, Двілінскі Роберт, Канбара Ясуо

МПК: C30B 9/00, C30B 25/18, C30B 29/38 ...

Мітки: галію, варіанти, нітриду, монокристал, основа, об'ємний, епітаксії

Формула / Реферат:

1. Об'ємний монокристал нітриду галію як основа для епітаксії, який відрізняється тим, що його поперечний переріз у площині, перпендикулярній с-осі гексагональної кристалічної решітки нітриду галію, має площу поверхні більше 100 мм2, його товщина більше 1,0 мкм і його щільність поверхневих дислокацій площини С менше 106 /см2, тоді як його об'єм достатній для одержання щонайменше однієї придатної для подальшої обробки пластини з неполярною...

Номер патенту: 14302

Опубліковано: 15.05.2006

Автори: Курак Владислав Володимирович, Баганов Євген Олександрович, Андронова Олена Валеріївна, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: C30B 19/00, C30B 29/40, H01L 21/208 ...

Мітки: епітаксії, рідкофазної, установка

Формула / Реферат:

Установка для рідкофазної епітаксії, що містить касету в нагрівальному вузлі, яка має багато комірок, вікно у вигляді отвору над підкладкою, утримуючий підкладку слайдер, встановлений із можливістю переміщення крізь касету уздовж комірок для підведення підкладки в комірки, і термопару, яка відрізняється тим, що комірки знаходяться у слайдері, а підкладка розміщена у нерухомій основі касети, в якій під підкладкою розташований теплообмінник, що...

Номер патенту: 14276

Опубліковано: 15.05.2006

Автори: Марончук Ігор Євгенович, Цибуленко Вадим Володимирович, Єрохін Сергій Юрійович

МПК: H01L 21/208

Мітки: рідкофазної, епітаксії, установка

Формула / Реферат:

Установка для рідкофазної епітаксії, що містить касету в нагрівальному вузлі, яка виконана у вигляді розбірної конструкції, і має основу, прикріплену до основи пластину з ростовими комірками, що містить систему каналів і отворів, де ростові комірки мають змінні вкладиші для регулювання висоти ростових зазорів, де вкладиші виконані з пазами для розміщення фальшпідкладок, утримуючий підкладку слайдер, що має вікно над підкладкою і встановлений...

Номер патенту: 71495

Опубліковано: 15.11.2004

Автор: Журба Олександр Михайлович

МПК: H01L 27/18, C30B 19/00, H01L 21/20 ...

Мітки: пристрій, рідкофазної, високотемпературних, надпровідників, епітаксії

Формула / Реферат:

Пристрій для рідкофазної епітаксії високотемпературних надпровідників, що містить вертикальний реактор, розміщений усередині вертикальної резистивної печі, підставку для печі з отвором для термопари і термопару, верхню та нижню горизонтальну підкладки, які розміщені в робочій зоні вертикального реактора з зазором між ними, підставку для нижньої горизонтальної підкладки, який відрізняється тим, що нижня горизонтальна підкладка має паз, верхня...

Номер патенту: 62234

Опубліковано: 15.12.2003

Автори: Журба Олександр Михайлович, Цибуленко Вадим Володимирович, Курак Владислав Володимирович, Марончук Ігор Євгенович, Калашников Андрій Веніамінович

МПК: H01L 21/208

Мітки: епітаксії, рідкофазної, установка

Формула / Реферат:

Установка для рідкофазної епітаксії, що містить касету в нагрівальному вузлі, яка має багато комірок, утримуючий підкладку слайдер, встановлений із можливістю переміщення крізь касету уздовж комірок, для підведення підкладки в комірки, а також контейнери для гомогенізації і термопару, яка відрізняється тим, що касета виконана у вигляді розбірної конструкції, яка складається з основи, у пазу якої встановлений із можливістю переміщення слайдер...

Номер патенту: 47929

Опубліковано: 15.07.2002

Автори: Прокопов Анатолій Романович, Недвига Олександр Степанович, Вишневський Віктор Георгійович

МПК: C30B 19/00

Мітки: методом, вирощування, епітаксії, плівок, феритових, спосіб, рідиннофазної

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалічних феритових плівок методом рідиннофазної епітаксії, який включає підготовку шихти, гомогенізацію розчину-розплаву, нарощування на підкладку плівки, звільнення її від залишків розплаву, який відрізняється тим, що застосовується сушіння компонентів шихти в сушильній НВЧ-установці протягом 30-60 хв., а епітаксійний процес проводиться при торканні робочою поверхнею підкладки розчину-розплаву.

Номер патенту: 40028

Опубліковано: 16.07.2001

Автори: Варшава Славомир Степанович, Ющук Степан Іванович, Юрчишин Петро Іванович, Юр'єв Сергій Олексійович

МПК: C30B 29/28, C30B 19/00

Мітки: рідинно-фазної, епітаксії, ферит-гранатів, плівок, спосіб, вирощування, монокристалічних, методом

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування   монокристалічних плівок ферит-гранатів методом рідинно-фазної епітаксії, що включає занурення під­кладки з галій-гадолінієвого гранату в перенасичений розплав суміші феритоутворювальних окисидів та розчинника, і осадження плі­вок при заданих температурних режимах,   який   відріз­няється тим, що  як     розчинник беруть суміш оксидів молібдену, вісмуту і свинцю в таких співвідношеннях (мол. %): МоО3 - 5.0-10.0;  Bі2О3 -...