H01L 31/117 — детектори випромінювання, засновані на використанні об’ємного ефекту, наприклад германієвої-літієві детектори гамма-випромінювання з компенсованим pin-переходом
Нейтроночутливий p-i-n діод з керованою чутливістю
Номер патенту: 95107
Опубліковано: 11.07.2011
Автори: ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ, Ковригін Володимир Іванович
МПК: G01T 1/24, H01L 31/117
Мітки: нейтроночутливий, p-і-n, керованою, діод, чутливістю
Формула / Реферат:
1. Нейтроночутливий P-I-N діод з керованою чутливістю, виконаний на напівпровідниковій пластині, наприклад пластинці з n-кремнію високого опору, та має протяжну базу, вкриту шаром ізолятора (8), наприклад, SiO2 для зменшення впливу поверхневих ефектів, р+ область (3) та n+ область (7) з відповідними контактними площадками, який відрізняється тим, що на обох поверхнях бази P-I-N діода сформований шар ізолятора, поверх якого розташовані...