Патенти з міткою «p-і-n»

Номер патенту: 95107

Опубліковано: 11.07.2011

Автори: ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ, Ковригін Володимир Іванович

МПК: H01L 31/117, G01T 1/24

Мітки: нейтроночутливий, p-і-n, чутливістю, керованою, діод

Формула / Реферат:

1. Нейтроночутливий P-I-N діод з керованою чутливістю, виконаний на напівпровідниковій пластині, наприклад пластинці з n-кремнію високого опору, та має протяжну базу, вкриту шаром ізолятора (8), наприклад, SiO2 для зменшення впливу поверхневих ефектів, р+ область (3) та n+ область (7) з відповідними контактними площадками, який відрізняється тим, що на обох поверхнях бази P-I-N діода сформований шар ізолятора, поверх якого розташовані...

Номер патенту: 91578

Опубліковано: 10.08.2010

Автор: ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ

МПК: H01L 21/00, H01L 21/04

Мітки: генерації, структура, p-і-n, визначення, тестова, параметрів, процесі, рекомбінації, діодів, виготовлення

Формула / Реферат:

1. Тестова структура для визначення параметрів генерації та рекомбінації носіїв заряду в процесі виготовлення р-і-n діодів, що має область (1) іншого типу провідності відносно напівпровідникової основи (2), наприклад р+-область, розташовану на напівпровідниковій основі n-типу провідності, область керованого збіднення (3), що прилягає до р+-області (1), шар ізолятора (5), що покриває р+-область та частину напівпровідникової основи, нанесений...

Номер патенту: 43851

Опубліковано: 10.09.2009

Автори: Уріцкая Надія Ярославівна, Басанець Володимир Васильович, Болтовець Микола Силович, Личман Кирило Олексійович, Голинная Тетяна Іванівна, Кривуца Валентин Антонович, Веремійченко Георгій Микитович

МПК: H01L 29/86, H01L 21/04, H01L 21/02 ...

Мітки: надвисокочастотний, напівпровідниковий, p-і-n, діод

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий надвисокочастотний р-і-n-діод, що містить кристал у вигляді мезоструктури з високоомного напівпровідникового матеріалу, на протилежних поверхнях якого сформовані сильнолеговані шари р- і n-типу провідності, омічні контакти до них; змонтований осесиметрично всередині кільцевого діелектричного корпусу із металізованими протилежними площинами, який відрізняється тим, що напівпровідниковий кристал виконано з карбіду...

Номер патенту: 42422

Опубліковано: 10.07.2009

Автори: ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ, Ковригін Володимир Іванович

МПК: H01L 31/00, G01T 1/00

Мітки: p-і-n, чутливістю, керованою, діод, нейтроночутливий

Формула / Реферат:

1. Нейтроночутливий P-I-N діод з керованою чутливістю, що виконаний на напівпровідниковій пластині, наприклад пластинці з n- кремнію високого опору, та має протяжну базу, вкриту шаром ізолятора (8), наприклад SiO2, для зменшення впливу поверхневих ефектів, р+ область (3) та n+ область (7) з відповідними контактними площадками, який відрізняється тим, що на обох поверхнях згаданої бази поверх ізолятора розташовані керуючі чутливістю металеві...

Номер патенту: 38842

Опубліковано: 26.01.2009

Автор: ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ

МПК: H01L 21/00

Мітки: діодів, тестова, параметрів, структура, визначення, виготовлення, процесі, генерації, p-і-n, рекомбінації

Формула / Реферат:

1. Тестова структура для визначення параметрів генерації та рекомбінації в процесі виготовлення p-i-n діодів для реєстрації зворотного струму через р-n перехід керованого полем діода, яка має область (1) іншого типу провідності відносно напівпровідникової основи (2), наприклад, р+ область, розташовану на основі n-типу, область керованого збіднення (3), що примикає до області (1), шар ізолятора (5), що покриває основу зі сторони згаданої р+...

Номер патенту: 30533

Опубліковано: 25.02.2008

Автори: Ніколаєнко Юрій Григорович, Кривуца Валентин Антонович, Болтовець Микола Силович, Суворова Лідія Михайлівна, Личман Кирило Олексійович

МПК: H01L 21/02, H01L 29/86, H01L 21/04 ...

Мітки: діод, безкорпусний, p-і-n, кремнієвий, надвисокочастотний

Формула / Реферат:

1. Безкорпусний кремнієвий надвисокочастотний р-і-n-діод, який містить кремнієвий кристал з високоомної напівпровідникової пластини, на протилежних поверхнях якої сформовані два сильнолегованих шари р- та n-типу провідності і омічні контакти до них, смужковий вивід та основне захисне покриття, який відрізняється тим, що кремнієвий кристал виконано у вигляді чіпа, а бічну поверхню р-n переходу чіпа методом травлення в р-n переході кільцевої...

Номер патенту: 8064

Опубліковано: 26.12.1995

Автори: Нагорний Ростислав Леонтійович, Войтович Віктор Євгенович, Поліщук Сергій Михайлович

МПК: H01L 21/20

Мітки: p-і-n, структур, фазі, вирощування, арсенід-галієвих, діодних, рідкої, спосіб, епітаксіальних

Формула / Реферат:

1. Способ выращивания из жидкой фазы арсенид-галлиевых эпитаксиальных диодных P-i-N структур, заключающийся в том, что нагревают раствор-расплав GaAs в кварцевом реакторе и кварцевой кассете в среде водорода, содержащего пары воды, при контроле в процессе нагрева тем­пературы и времени выполнения технологических операций, скорости потока водорода и концентра­ции в нем паров воды, отличающийся тем, что в качестве растворителя для GaAs...