H01L 35/20 — містять тільки метали

Номер патенту: 107772

Опубліковано: 10.02.2015

Автори: Надутов Володимир Михайлович, Перекос Анатолій Омелянович, Коноплюк Сергій Михайлович, Храновська Катерина Миколаївна, Кокорін Володимир Володимирович

МПК: C22C 9/05, C22C 9/01, C22C 1/04 ...

Мітки: напівпровідникового, термоелектричного, наноструктурного, спосіб, сплаву, одержання

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання наноструктурного термоелектричного напівпровідникового сплаву, що включає високочастотне плавлення вихідного матеріалу сплаву при температурі до 1700 °C та початковому тиску 0,1 МПа в атмосфері аргону, твердіння розплаву та одержання порошку сплаву, який відрізняється тим, що розплав твердіє до температури 20-30 °C зі швидкістю 20 °C/с з утворенням зливків сплаву, одержують порошок сплаву з середнім діаметром...