H03K 17/10 — модифікації для збільшення максимально допустимого комутуючого напруги

Номер патенту: 78457

Опубліковано: 15.03.2007

Автор: Грасс Норберт

МПК: H03K 17/082, B03C 3/66, H03K 17/10 ...

Мітки: електростатичний, пристрій, фільтрувальний

Формула / Реферат:

1. Електростатичний фільтрувальний пристрій (1), що містить електростатичний фільтр (4), який утворює конденсатор, перше джерело (2) напруги, під’єднане паралельно до електростатичного фільтра (4), послідовний коливальний контур із щонайменше одного зарядного конденсатора (9) і щонайменше однієї індуктивності (11), ланцюг керованих електронних ключів (7), який разом із послідовним контуром (9, 11) утворює послідовну схему, під’єднану...

Номер патенту: 55377

Опубліковано: 15.04.2003

Автор: Віннерл Йозеф

МПК: H03K 17/10, H03K 3/356

Мітки: спосіб, напівпровідниковому, перемикання, напруг, чіпі

Формула / Реферат:

1. Способ переключения напряжений на полупроводниковом чипе с помощью переключающего устройства, образованного первой последовательной схемой, состоящей из первого р-канального (Р1) и первого п-канального (N1) транзисторов, которая включена между первым соединением (VH1) и вторым  соединением (VL1), второй последовательной схемой, состоящей из второго р-канального (Р2) и второго n-канального (N2) транзисторов, которая включена между первым...

Номер патенту: 42048

Опубліковано: 15.10.2001

Автори: Ханнеберг Армін, Темпель Георг

МПК: H03K 17/693, G11C 16/06, H03K 17/10 ...

Мітки: включення, мон-пристрій, високих, напівпровідниковий, схемі, напруг, інтегральній

Формула / Реферат:

1. МОН-пристрій включення високих напруг на  напівпровідниковій інтегральній схемі, який відрізняється тим, що він містить перший транзистор, що розташований послідовно з другим транзистором між першим виводом для позитивних напруг і другим виводом для високої негативної напруги, третій транзистор, що розташований послідовно з четвертим транзистором між першим виводом та другим виводом, причому перший і третій транзистори з'єднані...