Ханнеберг Армін
Мон-пристрій включення високих напруг на напівпровідниковій інтегральній схемі
Номер патенту: 42048
Опубліковано: 15.10.2001
Автори: Темпель Георг, Ханнеберг Армін
МПК: G11C 16/06, H03K 17/693, H03K 17/10 ...
Мітки: напівпровідниковий, включення, інтегральній, мон-пристрій, високих, напруг, схемі
Формула / Реферат:
1. МОН-пристрій включення високих напруг на напівпровідниковій інтегральній схемі, який відрізняється тим, що він містить перший транзистор, що розташований послідовно з другим транзистором між першим виводом для позитивних напруг і другим виводом для високої негативної напруги, третій транзистор, що розташований послідовно з четвертим транзистором між першим виводом та другим виводом, причому перший і третій транзистори з'єднані...