Котлярчук Богдан Костянтинович

Номер патенту: 11169

Опубліковано: 15.12.2005

Автори: Жировецький Василь Михайлович, Котлярчук Богдан Костянтинович, Середницький Андрій Степанович, Мойса Мирослав Іванович, Попович Дмитро Іванович

МПК: C01G 9/00, C01B 13/14

Мітки: основі, нанопорошкових, структур, матеріалів, спосіб, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання нанопорошкових матеріалів з допомогою імпульсного лазерного випаровування мішеней, який відрізняється тим, що випаровування здійснюють із металічної мішені у потоці реактивного і інертного газів заданої концентрації.

Номер патенту: 8371

Опубліковано: 15.08.2005

Автори: Середницький Андрій Степанович, Котлярчук Богдан Костянтинович, Попович Дмитро Іванович

МПК: G01N 30/00

Мітки: газів, спосіб, реєстрації

Формула / Реферат:

Спосіб реєстрації газів з допомогою люмінесценції окисних матеріалів, який відрізняється тим, що реєструють і аналізують радикало-рекомбінаційне свічення при високочастотному збудженні газу, а як люмінофор використовують нанопорошковий матеріал.

Номер патенту: 59948

Опубліковано: 15.09.2003

Автори: Середницький Андрій Степанович, Котлярчук Богдан Костянтинович, Попович Дмитро Іванович

МПК: C30B 19/00

Мітки: матеріалів, шарів, спосіб, тонких, напівпровідникових, одержання, нітридних

Формула / Реферат:

Спосіб одержання тонких шарів напівпровідникових нітридних матеріалів лазерно-магнетронним напиленням, який відрізняється тим, що імпульсне лазерне випаровування металічної мішені та конденсацію парів на підкладці здійснюють у високовакуумній магнетронній установці в схрещених магнітному і електричному полях у спеціальному квазізамкненому хімічно-активному об’ємі в атмосфері азоту (аміаку).

Номер патенту: 40766

Опубліковано: 15.08.2001

Автори: Попович Дмитро Іванович, Савчук Віктор Костянтинович, Котлярчук Богдан Костянтинович

МПК: H01B 12/00

Мітки: спосіб, металооксидів, високотемпературних, епітаксійних, плівок, одержання, надпровідних

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання епітаксійних плівок високотемпературних надпровідних металооксидів шляхом імпульсної лазерної кристалізації квазіаморфних плівок Y-Ba-Cu-0 який відрізняється тим, що кристалізацію, попередньо напилених при температурі Ts=500-550°С на монокристалічну підкладку в кисневій атмосфері квазіаморфних плівок Y-Ba-Cu-0 товщиною 0,1-1,0 мкм, здійснюють в атмосфері кисню імпульсами лазерного випромінювання (λ=1,06 мкм)...