Попович Дмитро Іванович

Номер патенту: 112955

Опубліковано: 10.01.2017

Автори: Середницький Андрій Степанович, Попович Дмитро Іванович, Бовгира Ростислав Вікторович, Савка Степан Степанович, Жировецький Василь Михайлович

МПК: G01N 30/36

Мітки: газів, розпізнавання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб розпізнавання газів, що включає фотозбудження нанопорошкових матеріалів, проведення аналізу його люмінесцентного свічення, який відрізняється тим, що для підвищення чутливості і селективності аналізу реєструють та аналізують фотолюмінісцентне свічення від комірок матриці нанопорошкових матеріалів в аналізових газах.

Номер патенту: 37278

Опубліковано: 25.11.2008

Автори: Будзуляк Іван Іванович, Попович Дмитро Іванович, Соловко Ярослав Тарасович, Рачій Богдан Іванович, Беркещук Михайло Васильович

МПК: B82B 3/00

Мітки: вуглецю, нанопористого, спосіб, опроміненням, потужним, лазерним, модифікації

Формула / Реферат:

1. Спосіб модифікації потужним лазерним опроміненням нанопористого вуглецю, який полягає в лазерному опроміненні нанопористого матеріалу, що знаходиться у прозорій для випромінювання капсулі, який відрізняється тим, що нанопористий вуглець одночасно із лазерним опроміненням піддають механічній та ультразвуковій обробці.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що механічну обробку здійснюють обертанням капсули зі швидкістю...

Номер патенту: 80764

Опубліковано: 25.10.2007

Автори: Попович Дмитро Іванович, Беркещук Михайло Васильович, Остафійчук Богдан Костянтинович, Будзуляк Іван Михайлович

МПК: H01G 9/145, H01G 4/008

Мітки: суперконденсатор

Формула / Реферат:

1. Суперконденсатор, що містить два розділені сепаратором електроди ізактивованого вуглецевого матеріалу в водному електроліті, який відрізняється тим, що в активований вуглецевий матеріал інжектовано ербій.  2. Суперконденсатор згідно з п. 1, який відрізняється тим, що вміст ербію складає 0,3 ваг. %.3. Суперконденсатор згідно з пп. 1, 2, який відрізняється тим, що активований вуглець, інжектований ербієм, опромінювався...

Номер патенту: 11169

Опубліковано: 15.12.2005

Автори: Попович Дмитро Іванович, Середницький Андрій Степанович, Котлярчук Богдан Костянтинович, Жировецький Василь Михайлович, Мойса Мирослав Іванович

МПК: C01G 9/00, C01B 13/14

Мітки: матеріалів, спосіб, основі, нанопорошкових, структур, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання нанопорошкових матеріалів з допомогою імпульсного лазерного випаровування мішеней, який відрізняється тим, що випаровування здійснюють із металічної мішені у потоці реактивного і інертного газів заданої концентрації.

Номер патенту: 8371

Опубліковано: 15.08.2005

Автори: Середницький Андрій Степанович, Котлярчук Богдан Костянтинович, Попович Дмитро Іванович

МПК: G01N 30/00

Мітки: спосіб, газів, реєстрації

Формула / Реферат:

Спосіб реєстрації газів з допомогою люмінесценції окисних матеріалів, який відрізняється тим, що реєструють і аналізують радикало-рекомбінаційне свічення при високочастотному збудженні газу, а як люмінофор використовують нанопорошковий матеріал.

Номер патенту: 59948

Опубліковано: 15.09.2003

Автори: Попович Дмитро Іванович, Котлярчук Богдан Костянтинович, Середницький Андрій Степанович

МПК: C30B 19/00

Мітки: тонких, матеріалів, шарів, одержання, нітридних, спосіб, напівпровідникових

Формула / Реферат:

Спосіб одержання тонких шарів напівпровідникових нітридних матеріалів лазерно-магнетронним напиленням, який відрізняється тим, що імпульсне лазерне випаровування металічної мішені та конденсацію парів на підкладці здійснюють у високовакуумній магнетронній установці в схрещених магнітному і електричному полях у спеціальному квазізамкненому хімічно-активному об’ємі в атмосфері азоту (аміаку).

Номер патенту: 40766

Опубліковано: 15.08.2001

Автори: Котлярчук Богдан Костянтинович, Попович Дмитро Іванович, Савчук Віктор Костянтинович

МПК: H01B 12/00

Мітки: спосіб, одержання, металооксидів, плівок, епітаксійних, надпровідних, високотемпературних

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання епітаксійних плівок високотемпературних надпровідних металооксидів шляхом імпульсної лазерної кристалізації квазіаморфних плівок Y-Ba-Cu-0 який відрізняється тим, що кристалізацію, попередньо напилених при температурі Ts=500-550°С на монокристалічну підкладку в кисневій атмосфері квазіаморфних плівок Y-Ba-Cu-0 товщиною 0,1-1,0 мкм, здійснюють в атмосфері кисню імпульсами лазерного випромінювання (λ=1,06 мкм)...