Мегела Іван Георгійович
Спосіб одержання радіаційно стійкого силікатного скла
Номер патенту: 61274
Опубліковано: 17.11.2003
Автори: Гомоннай Олександр Васильович, Мегела Іван Георгійович, Турок Іван Іванович
МПК: G01N 23/00, C03C 4/00
Мітки: скла, стійкого, спосіб, одержання, силікатного, радіаційної
Формула / Реферат:
Спосіб одержання радіаційно стійкого силікатного скла, що включає введення добавок в силікатну матрицю, який відрізняється тим, що в силікатну матрицю як добавки вводять нанокристали твердих розчинів сульфіду-селеніду кадмію.
Пристрій для низькотемпературного опромінення твердих тіл
Номер патенту: 43233
Опубліковано: 15.11.2001
Автори: Гомоннай Олександр Васильович, Мегела Іван Георгійович
МПК: G21H 5/00, G01N 27/64
Мітки: опромінення, пристрій, низькотемпературного, твердих, тіл
Формула / Реферат:
Пристрій для низькотемпературного опромінення твердих тіл, який містить циліндричну герметичну камеру, вузол введения високоенергетичного пучка, що складається з патрубка i вікна, перекритого екраном, виготовленим зі слабопоглинаючого іонізуюче випромінювання матеріалу, який через прокладку фіксується гайкою притиску, патрубок для продувания газоподібного холодоагенту, нагрівач i термопару, який відрізняється тим, що додатково вводяться блок...
Спосіб обробки легованих монокристалів арсеніду індію
Номер патенту: 41850
Опубліковано: 17.09.2001
Автори: Мегела Іван Георгійович, Гомоннай Олександр Васильович
МПК: G21H 5/00
Мітки: легованих, спосіб, індію, монокристалів, арсеніду, обробки
Формула / Реферат:
Спосіб обробки легованих монокристалів арсеніду індію, що включає термічний відпал дефектів, який відрізняється тим, що підвищення домішкової однорідності матеріалу досягається радіостимульованою дифузією внаслідок високоенергетичного опромінення (електронами, y -квантами) величиною інтегрального потоку, при якій реалізується рівномірний просторовий розподіл домішок, причому введені радіаційні дефекти усуваються наступним температурним...