Патенти з міткою «арсеніду»

Номер патенту: 108960

Опубліковано: 10.08.2016

Автори: Фочук Петро Михайлович, Махній Віктор Петрович, Склярчук Валерій Михайлович

МПК: C01G 15/00

Мітки: арсеніду, галію, спосіб, поруватих, отримання, шарів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання поруватих шарів арсеніду галію, що включає механічне полірування підкладинки та її хімічне травлення, який відрізняється тим, що травлення проводять у розплаві KОН:NaNO3 (y масовому співвідношенні 1:25, відповідно) при температурі 500-700 °C протягом 20-40 хвилин.

Номер патенту: 60473

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Большакова Інеса Антонівна, Макідо Олена Юріївна, Кость Ярослав Ярославович, Шуригін Федір Михайлович, Ворошило Галина Іванівна

МПК: C30B 25/00

Мітки: отримання, легованих, спосіб, індію, арсеніду, мікрокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання мікрокристалів арсеніду індію, згідно з яким кварцову ампулу, в якій розташовують арсенід індію та підкладку з попередньо нанесеними на неї мікрочастинками золота, вакуумують до тиску в ампулі не більше (0,9¸1,1)·10-2 Па, заповнюють транспортним газом - хлористим воднем до тиску (3¸4)·104 Па, запаюють та розташовують у електропечі опору з нагрівом зони джерела арсеніду індію до температури...

Номер патенту: 54765

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Шуригін Федір Михайлович, Кость Ярослав Ярославович, Большакова Інеса Антонівна, Ворошило Галина Іванівна, Макідо Олена Юріївна

МПК: C30B 25/00

Мітки: нановіскерів, отримання, арсеніду, спосіб, галію

Формула / Реферат:

Спосіб отримання нановіскерів арсеніду галію, згідно з яким вакуумують об'єм камери осадження, в якій розташовують підкладку, на яку попередньо наносять мікрочастинки золота, джерела арсену та галію, транспортний газ, та нагрівають, який відрізняється тим, що як транспортний газ використовують хлористий водень, а як камеру осадження використовують запаяну кварцову ампулу, яка завантажена арсенідом галію у твердому стані з розташованою...

Номер патенту: 48871

Опубліковано: 12.04.2010

Автори: Большакова Інеса Антонівна, Шуригін Федір Михайлович, Кость Ярослав Ярославович, Макідо Олена Юріївна

МПК: C30B 25/00

Мітки: отримання, мікрокристалів, арсеніду, індію, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання мікрокристалів арсеніду індію, згідно з яким кварцову ампулу, в якій розташовують підкладку з попередньо нанесеними на неї мікрочастинками золота та арсенід індію, вакуумують, запаюють та розташовують у електропечі опору з нагрівом зони джерела арсеніду індію до температури Т=930±2 К, у такому режимі ампулу витримують до отримання мікрокристалів InAs, який відрізняється тим, що вакуумування проводять до тиску в ампулі не...

Номер патенту: 39071

Опубліковано: 10.02.2009

Автори: Лебедь Олег Миколайович, Шутов Станіслав Вікторович, Краснов Василь Олександрович

МПК: H01L 21/20

Мітки: детекторів, галію, випромінювання, епітаксійних, структур, діапазону, рентгенівського, спосіб, отримання, фотовольтаїчних, арсеніду

Формула / Реферат:

Спосіб отримання епітаксійних структур арсеніду галію для фотовольтаїчних детекторів рентгенівського діапазону випромінювання, в якому епітаксійне вирощування проводять на сильнолегованій підкладці n-типу нижнього n-GaAs буферного шару товщиною 2-5 μм, активного n-GaAs шару, верхнього p+-GaAs шару товщиною 1-2 μм, який відрізняється тим, що епітаксійне вирощування проводять шляхом примусового охолодження із обмеженого...

Номер патенту: 38629

Опубліковано: 12.01.2009

Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Яковенко Сергій Миколайович, Журба Олександр Михайлович

МПК: H01L 21/02, C30B 19/00

Мітки: арсеніду, графоепітаксії, спосіб, галію, фазі, рідкої

Формула / Реферат:

Спосіб графоепітаксії арсеніду галію із рідкої фази, що включає формування орієнтуючого мікрорельєфу на робочій поверхні аморфної підкладки, приведення її в контакт з попередньо насиченим розчином-розплавом, розміщеним в зазорі між аморфною підкладкою, розташованою робочою поверхнею униз, та обмежувальною пластиною, вирощування графоепітаксійної плівки напівпровідника шляхом пересичування розчину-розплаву за рахунок його примусового...

Номер патенту: 34736

Опубліковано: 26.08.2008

Автори: Краснов Василь Олександрович, Лебедь Олег Миколайович, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: H01L 21/02

Мітки: інфрачервоного, діапазону, випромінювання, отримання, світлодіодів, епітаксійних, структур, спосіб, арсеніду, галію

Формула / Реферат:

Спосіб отримання р-n структур арсеніду галію для світлодіодів інфрачервоного діапазону випромінювання з рідкої фази, при якому епітаксійне вирощування проводять на підкладці арсеніду галію шляхом примусового охолодження з обмеженого об'єму насиченого розчину арсеніду галію, легованого амфотерною домішкою кремнію, який відрізняється тим, що до розплаву галію добавляють ізовалентний компонент вісмуту в кількості 5-15 ат. %, а вміст кремнію в...

Номер патенту: 28402

Опубліковано: 10.12.2007

Автори: Краснов Василь Олександрович, Шутов Станіслав Вікторович, Лебедь Олег Миколайович

МПК: H01L 21/20

Мітки: галію, спосіб, гомоепітаксійних, арсеніду, товстих, отримання, шарів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання товстих гомоепітаксійних шарів арсеніду галію із розчину-розплаву на основі вісмуту, що включає здійснення послідовності з 38 циклів, кожний з яких являє собою перший інтервал гомогенізації розчину-розплаву, інтервал кристалізації, другий інтервал гомогенізації розчину-розплаву, інтервал розчинення, який відрізняється тим, що перший інтервал гомогенізації розчину-розплаву проводять при температурі 900 °С, а другий...

Номер патенту: 64602

Опубліковано: 15.03.2007

Автори: Ніколаєнко Юрій Єгорович, Ковтун Генадій Прокопович, Щербань Олексій Петрович

МПК: C30B 15/00, C30B 29/42

Мітки: одержання, спосіб, монокристалів, арсеніду, галію

Формула / Реферат:

Спосіб одержання монокристалів арсеніду галію, який включає розплавлення полікристалічного матеріалу під шаром герметизуючого флюсу, що містить вологу, в атмосфері високочистого інертного газу та витягування монокристалу з розплаву на затравку, який відрізняється тим, що перед витягуванням монокристалу з розплаву здійснюють вертикальну спрямовану кристалізацію розплаву у напрямку до флюсу із швидкістю 0,008...0,3 мм/хв з одночасним обертанням...

Номер патенту: 8493

Опубліковано: 15.08.2005

Автори: Іванов Володимир Миколайович, Ковтонюк Віктор Михайлович, Ніколаєнко Юрій Єгорович

МПК: H01L 47/00, H01L 29/00

Мітки: галію, ганна, діод, напівпровідниковий, арсеніду, надвисокочастотний

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий надвисокочастотний діод Ганна з арсеніду галію, що містить металокерамічний корпус, елементи з'єднання, тепловідвід із золота та встановлену на ньому мезаструктуру, яка виконана у вигляді диска із арсеніду галію типу n-n+-n++, на якій зі сторони n++ сформовано анодний омічний контакт, а зі сторони n сформовано пошаровий катодний омічний контакт, який включає шар золото-германієвого сплаву, антидифузійний шар із дибориду...

Номер патенту: 57444

Опубліковано: 16.06.2003

Автори: Літвінова Марина Борисівна, Коваленко Віктор Федорович

МПК: G01J 3/28

Мітки: галію, величини, нелегованого, визначення, концентрацій, арсеніду, співвідношення, вакансій, миш'яку, спосіб, монокристалах

Формула / Реферат:

Спосіб визначення величини співвідношення концентрацій вакансій галію і миш'яку в монокристалах нелегованого арсеніду галію, який включає опромінювання зразка лазером, регістрацію люмінесцентного випромінювання зразка, знаходження величини співвідношення інтенсивностей смуг випромінювання, яку відмічають на осі абсцис, який відрізняється тим, що на вісь ординат наносять шкалу значень співвідношення концентрацій вакансій галію і миш'яку і за...

Номер патенту: 50883

Опубліковано: 15.11.2002

Автори: Круковський Семен Іванович, Ніколаєнко Юрій Єгорович, Ваків Микола Михайлович

МПК: H01L 21/208

Мітки: галію, напівізолювального, шару, отримання, спосіб, арсеніду

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання шару напівізолювального арсеніду галію шляхом нарощування епітаксійного шару на напівізолювальній підкладці арсеніду галію із насиченого миш'яком розчину-розплаву галію при його примусовому охолодженні, який відрізняється тим, що розчин-розплав легують одночасно ітербієм та алюмінієм, а нарощування шару здійснюють в інтервалі температур 500-800°С.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що підкладку підрозчиняють...

Номер патенту: 41850

Опубліковано: 17.09.2001

Автори: Мегела Іван Георгійович, Гомоннай Олександр Васильович

МПК: G21H 5/00

Мітки: арсеніду, індію, легованих, спосіб, обробки, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб обробки легованих монокристалів арсеніду індію, що включає термічний відпал дефектів, який відрізняється тим, що підвищення домішкової однорідності матеріалу досягається радіостимульованою дифузією внаслідок високоенергетичного опромінення (електронами, y -квантами) величиною інтегрального потоку, при якій реалізується рівномірний просторовий розподіл домішок, причому введені радіаційні дефекти усуваються наступним температурним...

Номер патенту: 31924

Опубліковано: 15.12.2000

Автори: Омельчук Анатолій Опанасович, Козін Валентин Хомич

МПК: C22B 58/00

Мітки: арсеніду, переробки, спосіб, індію

Текст:

...і напротязі 1.5 год. продували через неї повітря.' Внаслідок реакції на холодних стінках кварцевого реактора було зібрано 17.26 г оксиду тривалентного миш'яку , що відповідав 80£ вилученню. На дні реактора було зібрано 10.68 г оксиду тривалентного індію , що відповідає ступеню вилучення 82%. Із отриманого оксиду індію відомими методами вилучали індій . Для цього його розчиняли в 2Н розчині сірчаної кислоти Отриманий . розчин піддавали...

Номер патенту: 25348

Опубліковано: 30.10.1998

Автори: Краснов Василь Олександрович, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: H01L 21/20

Мітки: епітаксією, спосіб, галію, шарів, кремнієвих, рідкофазною, арсеніду, одержання, основах, епітаксійних

Формула / Реферат:

Способ получения эпитаксиальных слоев арсенида галлия на кремниевых подложках жидкофазной эпитаксией, включающий заполнение зазора между пластиной-источником арсенида галлия и подложкой раствором арсенида галлия и кремния в расплаве галлия и кристаллизацию слоев при периодическом колебании температуры путем охлаждения и последующего нагрева, отличающийся тем, что подложку кремния располагают над пластиной-источником при величине зазора между...

Номер патенту: 24815

Опубліковано: 06.10.1998

Автори: Краснов Василь Олександрович, Попова Вікторія Євгенівна, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: C30B 19/00, C30B 29/40

Мітки: нарощування, арсеніду, спосіб, шарів, епітаксійного, галлію

Формула / Реферат:

Спосіб епітаксійного нарощування шарів арсеніду галлію, включаючий приготування розчину-розплаву на основі вісмута та арсеніду галію, контактування підкладки і розчину-розплаву при температурі початку епітаксії та примусового охолодження, який відрізняється тим, що розплав вісмуту насичується миш'яком шляхом розчинювання шихти арсеніду галію та арсеніду індію в співвідношенні 0,03 £ xInAs/XGaAs £ 0,21, а процес епітаксійного...

Номер патенту: 18621

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Плахотка Лариса Степанівна, Воронін Валєрій Олександрович, Губа Сергій Констянтинович

МПК: H01L 21/18

Мітки: схем, шотткі, спосіб, інтегральних, арсеніду, одержання, галію, польових, основі, структур, транзисторів

Формула / Реферат:

Способ получения структур арсенида галлия для интегральных схем на основе полевых транзисторов Шоттки, включающий последовательное выращивание в едином технологическом цикле на полуизолирующей подложке арсенида галлия высокоомного буферного слоя методом газофазного осаждения из смеси, содержащей трихлорид мышьяка с водородом, с использованием источника галлия, активного слоя  -типа проводимости и контактного слоя  -типа проводимости,...

Номер патенту: 9581

Опубліковано: 30.09.1996

Автори: Циганова Ганна Іскаковна, Шевчук Петро Павлович, Ільченко Василь Васильович, Тарасенко Сергій Олегович

МПК: B81C 1/00, C23F 1/10

Мітки: кобальту, арсеніду, травлення, основі, розчин, силіцидів, галію

Формула / Реферат:

Розчин для травлення силіцидів кобальту на основі арсеніду галію, що містить фтористоводневу і азотну кислоти, який відрізняється тим, що розчин додатково містить ортофосфорну і отцову кислоти при такому співвідношенні інгредієнтів, мас. %:            фтористоводнева            кислота Н 2F2 (пит. вага 1,14)                  35—45             азотна кислота НNОз           (пит. вага...

Номер патенту: 7499

Опубліковано: 29.09.1995

Автори: Скакун Василь Захарович, Яшнік Владілен Макарович, Коваленко Леонід Євгенійович, Іванов Володимир Миколайович, Цвірко Юрій Антонович

МПК: H01L 29/40

Мітки: контакт, бар'єром, шотткі, галлія, арсеніду