Патенти з міткою «індію»

Номер патенту: 119253

Опубліковано: 25.09.2017

Автори: Роговцов Олександр Олександрович, Железнова Лідія Іванівна, Трунова Олена Костянтинівна, Слюсарчук Людмила Іванівна

МПК: C01G 15/00, C01G 3/00, C01G 51/00 ...

Мітки: одержання, гексафторацетилацетонатних, летких, комплексів, металами, індію, гетерометалічних, спосіб, перехідними

Формула / Реферат:

Спосіб одержання летких гетерометалічних гексафторацетилацетонатних комплексів індію з перехідними металами загальної формули InM(rOA)n.2AN (М - Со(ІІ), Cu(II), Zn(II), Nd(III); НГФА-гексафторацетилацетон (F3C-C(O)-CH2-C(O)-CF3), AN - ацетонітрил (СН3-CN)), шляхом проведення прямого синтезу в середовищі апротонного розчинника з металевого індію, хлориду 3d-металу або оксиду неодиму та гексафторацетилацетону, який відрізняється тим, що леткі...

Номер патенту: 115174

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Сабов Томаш Мар'янович, Оберемок Олександр Степанович, Романюк Андрій Борисович, Федулов Віктор Васильович, Кладько Василь Петрович, Мельник Віктор Павлович, Сафрюк Надія Володимирівна, Голтвянський Юрій Васильович

МПК: H01L 21/265, H01L 31/18

Мітки: виготовлення, антимоніді, спосіб, індію, фотодіодів

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фотодіодів, який включає створення на поверхні антимоніду індію 1-го типу провідності з концентрацією легуючих атомів не більше 3·1015 см-3 локальних областей р-n переходу шляхом імплантації іонів, які дозволяють створити 2-ий тип провідності в приповерхневій області підкладки, нанесення маски за допомогою якої долеговують області 1-го типу провідності до концентрації 1017-1019 см-3, зняття маски, після чого...

Номер патенту: 115173

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Гудименко Олександр Йосипович, Романюк Борис Миколайович, Дубіковський Олександр Володимирович, Попов Валентин Георгієвич, Мусаєв Сергій Мусаєвич, Педченко Юрій Миколайович, Калистий Геннадій Володимирович, Сапон Сергій Васильович

МПК: H01L 31/18, H01L 21/265

Мітки: індію, виготовлення, антимоніді, фотодіоду, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фотодіодів на основі кристалів антимоніду індію n-типу провідності, що включає в себе підготовку поверхні вихідної пластини антимоніду індію, формування легованих областей р-типу провідності, формування захисної плівки шляхом анодного окиснення (АОП) в електроліті, нанесення пасивуючої просвітлюючої діелектричної плівки та формування контактної системи, який відрізняється тим, що після формування захисної плівки АОП...

Номер патенту: 106632

Опубліковано: 25.04.2016

Автори: Маслов Володимир Петрович, Назарчук Світлана Степанівна, Качур Наталія Володимирівна, Дунаєвський Вадим Іванович, Туру Тетяна Анатоліївна

МПК: G01B 11/06, C23C 14/35, C23C 14/08 ...

Мітки: тонкоплівкового, оксиду, олова, спосіб, контролю, нагрівального, елемента, прозорого, індію, основі

Формула / Реферат:

Спосіб контролю однорідності товщини виготовлених тонкоплівкових прозорих електропровідних покриттів на основі оксидів індію та олова, який полягає в визначенні показника оптичного пропускания, який відрізняється тим, що як випромінювання використовують поляризоване світло, а топологію розподілу неоднорідності товщини визначають за допомогою аналізатора поляризованого світла, яке пройшло через зразок з покриттям.

Номер патенту: 82990

Опубліковано: 27.08.2013

Автори: Кость Ярослав Ярославович, Шуригін Федір Михайлович, Ворошило Галина Іванівна, Большакова Інеса Антонівна, Макідо Олена Юріївна

МПК: C30B 25/00

Мітки: стійких, отримання, антимоніду, мікрокристалів, спосіб, легованих, поля, індію, сенсорів, радіаційної, магнітного

Формула / Реферат:

Спосіб отримання легованих мікрокристалів антимоніду індію для радіаційно-стійких сенсорів магнітного поля, згідно з яким кварцову ампулу, в якій послідовно розташовують очищену підкладку, з попередньо нанесеним на неї металом-каталізатором - золотом, джерело антимоніду індію та йод, вакуумують до тиску в ампулі не більше (0,9¸1,1)×10-4 Па, запаюють та розмішують у двозонній печі опору з нагрівом зони джерела вихідних компонентів...

Номер патенту: 80524

Опубліковано: 10.06.2013

Автор: Сичікова Яна Олександрівна

МПК: C30B 33/10, C25F 3/00

Мітки: кристалітів, поруватого, виготовлення, фосфіду, поверхні, оксидних, індію, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання кристалічного оксиду індію методом електрохімічного травлення, який відрізняється тим, що травлення проводять обробкою монокристалу у розчині кислоти протягом 5-15 хвилин.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що розчин готовлять за формулою: плавикова кислота (HF), етиловий спирт (С2Н5ОН) та вода (Н2О) у співвідношенні 1:2:1.3. Спосіб за п. 2, який відрізняється тим, що травлення проводять при...

Номер патенту: 74650

Опубліковано: 12.11.2012

Автори: Близнюк Антоніна Вікторівна, Омельчук Анатолій Опанасович, Козін Валентин Хомич

МПК: C22B 58/00

Мітки: порошку, одержання, спосіб, чистоти, високодисперсного, індію, високої

Формула / Реферат:

Спосіб отримання високодисперсного порошку індію високої чистоти, що включає хімічне диспергування, який відрізняється тим, що диспергування здійснюють за рахунок поляризації індієвих електродів в розчині гідроксиду натрію з концентрацією 0,1-4,0 моль/л змінним струмом промислової частоти при густині струму 3,0-8,0 А/см2.

Номер патенту: 74253

Опубліковано: 25.10.2012

Автори: Кость Ярослав Ярославович, Ворошило Галина Іванівна, Макідо Олена Юріївна, Большакова Інеса Антонівна, Штабалюк Агата Петрівна, Шуригін Федір Михайлович

МПК: C30B 25/00

Мітки: виготовлення, тонких, антимоніду, поля, основі, спосіб, плівок, сенсорів, магнітного, індію

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення сенсорів магнітного поля на основі тонких плівок антимоніду індію, згідно з яким на готовій плівці створюють геометричну конфігурацію магнітного сенсора та наносять електроди хімічним або електрохімічним способом, до яких припаюють мідний провід, який відрізняється тим, що плівку з припаяним мідним проводом розміщують у вакуумну камеру, вакуумують до тиску в камері 1·10-6-1·10-5 Па, нагрівають до температури 200-250 °С,...

Номер патенту: 99078

Опубліковано: 10.07.2012

Автори: Макідо Олена Юріївна, Ворошило Галина Іванівна, Шуригін Федір Михайлович, Кость Ярослав Ярославович, Большакова Інеса Антонівна, Штабалюк Агата Петрівна

МПК: C30B 29/40, C30B 25/00

Мітки: підвищення, індію, стабільності, спосіб, антимоніду, параметрів, мікрокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення стабільності параметрів мікрокристалів антимоніду індію, згідно з яким кварцову ампулу, в якій розташовують очищену підкладку, з попередньо нанесеним на неї металом-каталізатором - золотом, джерело антимоніду індію та йод, вакуумують до тиску в ампулі не більше (0,9-1,1)∙10-4 Па, запаюють та розміщують у двозонній печі опору з нагрівом зони джерела вихідних компонентів до температури Т=700±5 °С та нагрівом зони...

Номер патенту: 70433

Опубліковано: 11.06.2012

Автори: Чеботарьов Олександр Миколайович, Рахлицька Олена Михайлівна

МПК: B01D 15/04

Мітки: розділення, спосіб, ііі, галію, індію, ультратонкого, елементів-аналогів

Формула / Реферат:

Спосіб ультратонкого розділення елементів-аналогів галію (ІІІ) та індію (ІІІ), який полягає в тому, що в аналітичному зразку водної суміші мікрокількостей вказаних елементів встановлюють певне значення кислотності середовища, кількісно переносять до ємності з сорбентом, як сорбент використовують гідрофобний органокремнезем, який відрізняється тим, що сорбцію проводять в статичному режимі в одну стадію, що спрощує процес розділення і не...

Номер патенту: 62771

Опубліковано: 12.09.2011

Автори: Чеботарьов Олександр Миколайович, Рахлицька Олена Михайлівна

МПК: B01D 15/04

Мітки: індію, ультратонкого, алюмінію, галію, спосіб, ііі, елементів-аналогів, мікрокількостей, відокремлення

Формула / Реферат:

Спосіб ультратонкого відокремлення мікрокількостей алюмінію (III) від його елементів-аналогів галію (III) та індію (III), який полягає в тому, що в аналітичному зразку водної суміші вказаних елементів в інтервалі концентрацій 0,5÷5 мкг/мл встановлюють певне значення кислотності середовища, кількісно переносять до ємності з сорбентом, як такий використовують диметилхлорсиланаеросил (ДМХСА), який попередньо гідрофілізують, який...

Номер патенту: 62573

Опубліковано: 12.09.2011

Автори: Сичікова Яна Олександрівна, Кідалов Валерій Вітальович, Сукач Георгій Олексійович

МПК: H01L 21/00

Мітки: індію, поверхні, кристалографічно, визначення, орієнтації, фосфіду, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб визначення кристалографічної орієнтації поверхні фосфіду індію, який включає електрохімічну обробку кристала в розчинах плавикової чи соляної кислот з подальшим спостереженням ямок травлення на скануючому електронному мікроскопі, за формою ямок травлення визначають орієнтацію напівпровідника.

Номер патенту: 62226

Опубліковано: 25.08.2011

Автори: Сичікова Яна Олександрівна, Кідалов Валерій Вітальович

МПК: C03C 15/00

Мітки: індію, n-типу, поліруючого, травника, фосфіду, склад

Формула / Реферат:

Склад поліруючого травника для фосфіду індію n-типу, що включає плавикову кислоту (HF), який відрізняється тим, що додатково містить бромоводневу кислоту (HBr) та воду (H2O) при наступному співвідношенні компонентів: H2O:HF:HBr=5:5:l.

Номер патенту: 60473

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Ворошило Галина Іванівна, Кость Ярослав Ярославович, Макідо Олена Юріївна, Шуригін Федір Михайлович, Большакова Інеса Антонівна

МПК: C30B 25/00

Мітки: арсеніду, легованих, спосіб, мікрокристалів, індію, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання мікрокристалів арсеніду індію, згідно з яким кварцову ампулу, в якій розташовують арсенід індію та підкладку з попередньо нанесеними на неї мікрочастинками золота, вакуумують до тиску в ампулі не більше (0,9¸1,1)·10-2 Па, заповнюють транспортним газом - хлористим воднем до тиску (3¸4)·104 Па, запаюють та розташовують у електропечі опору з нагрівом зони джерела арсеніду індію до температури...

Номер патенту: 93456

Опубліковано: 10.02.2011

Автори: Кідалов Валерій Вітальович, Сукач Георгій Олексійович, Сичікова Яна Олександрівна

МПК: G01N 1/32, G01N 27/00

Мітки: структури, кристалів, фосфіду, індію, композиційної, неоднорідності, спосіб, дослідження

Формула / Реферат:

1. Спосіб дослідження композиційної неоднорідності структури кристалів фосфіду індію, який відрізняється тим, що включає обробку поверхні монокристалічного фосфіду індію шляхом селективного електрохімічного травлення, яке проводять шляхом обробки монокристала фосфіду індію у розчині етилового спирту, води та HF у співвідношенні 2:1:1 відповідно при проходженні крізь електроліт постійного струму щільністю 50 мА/см2.2. Спосіб за п. 1,...

Номер патенту: 53712

Опубліковано: 11.10.2010

Автори: Сукач Георгій Олексійович, Сичікова Яна Олександрівна, Балан Олександр Сергійович, Кідалов Валерій Вітальович, Коноваленко Анатолій Анатольович

МПК: H01L 21/306

Мітки: поверхні, текстурування, спосіб, фосфіду, індію, р-типу

Формула / Реферат:

1. Cпосіб виготовлення текстурованих структур з розвиненою морфологією на поверхні монокристалічного фосфіду індію р-типу, а саме фотоелектрохімічного травлення, що проводять у розчині плавикової бромоводневої кислоти концентрацією НВr:Н2О=1:1.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що травлення проводять у 50% розчині бромідної кислоти при щільності струму 150 мА/см2 та часі анодування 8 хв.3. Спосіб за п. 1, який...

Номер патенту: 51830

Опубліковано: 10.08.2010

Автори: Сичікова Яна Олександрівна, Сукач Георгій Олексійович, Кідалов Валерій Вітальович

МПК: G01N 27/00

Мітки: електролітичного, травлення, плавікової, фосфіду, розчині, отримання, поверхні, спосіб, індію, кислоти, методом, макропоруватої

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання макропоруватого шару на поверхні монокристалічного фосфіду індію, який включає обробку поверхні монокристалічного ІnР шляхом електрохімічного травлення.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що електрохімічне травлення проводять обробкою монокристалу ІnР у розчині етилового спирту, води та HF у відношенні 2:1:1 відповідно при проходженні крізь електроліт постійного струму щільністю 110 мА/см протягом 15...

Номер патенту: 51542

Опубліковано: 26.07.2010

Автори: Ковтонюк Віктор Михайлович, Раєвська Нелля Сергіївна, Веремійченко Георгій Микитович, Іванов Володимир Миколайович

МПК: H01L 47/00, H01L 29/00

Мітки: фосфіду, діод, індію, ганна

Формула / Реферат:

Надвисокочастотний діод Ганна з фосфіду індію, який містить в собі епітаксіальну мезаструктуру типу n-n+-n++, на протилежних поверхнях якої сформовані катодний та анодний контакти із сплаву золото-германій, бар'єрні шари із дибориду титану або дибориду цирконію, до яких сформовані контактуючі шари з молібдену, потім з'єднувальні шари із золота та тепловідвід до катодного контакту, і яка вісесиметрично розташована в діелектричному корпусі із...

Номер патенту: 50341

Опубліковано: 10.06.2010

Автори: Сичікова Яна Олександрівна, Кідалов Валерій Вітальович, Сукач Георгій Олексійович

МПК: G01N 27/00

Мітки: плавікової, шляхом, шару, травлення, індію, розчині, кислоти, електрохімічного, фосфіду, нанопоруватого, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання нанопоруватого шару на поверхні монокристалічного фосфіду індію, який включає обробку поверхні монокристалічного ІnР шляхом електрохімічного травлення.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що електрохімічне травлення проводять обробкою монокристала ІnР у розчині етилового спирту, води та HF у відношенні 2:1:1 відповідно при проходженні крізь електроліт постійного струму щільністю 30 мА/см2 протягом 5...

Номер патенту: 90834

Опубліковано: 25.05.2010

Автори: Шуригін Федір Михайлович, Большакова Інеса Антонівна, Ворошило Галина Іванівна, Кость Ярослав Ярославович, Макідо Олена Юріївна

МПК: C30B 29/40, C30B 29/10, C30B 25/00 ...

Мітки: антимоніду, індію, мікрокристалів, одержання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання мікрокристалів антимоніду індію, за яким кварцову ампулу, в якій розташовують очищену підкладку, з попередньо нанесеним на неї металом-каталізатором золотом, та джерело антимоніду індію, вакуумують, запаюють та нагрівають, який відрізняється тим, що одночасно з підкладкою та джерелом антимоніду індію в кварцовій ампулі розташовують йод, вакуумування проводять до тиску в ампулі не більше (0,9-4,1)·10-4 Па, після вакуумування...

Номер патенту: 49947

Опубліковано: 11.05.2010

Автори: Сукач Георгій Олексійович, Кідалов Валерій Віталійович, Сичікова Яна Олександрівна

МПК: G01N 27/00

Мітки: поверхні, поруватої, травлення, отримання, фосфіду, спосіб, р-типу, індію, методом, фотоелектрохімічного

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання поруватого шару на поверхні монокристалічного фосфіду індію р-типу методом фотоелектрохімічного травлення, який відрізняється тим, що електрохімічне травлення проводять обробкою монокристала ІnР у розчині 5% соляної кислоти при проходженні крізь електроліт постійного струму щільністю 150 мА/см2 протягом 15 хв.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що електрохімічне травлення проводять при освітленні зразків...

Номер патенту: 48871

Опубліковано: 12.04.2010

Автори: Макідо Олена Юріївна, Кость Ярослав Ярославович, Шуригін Федір Михайлович, Большакова Інеса Антонівна

МПК: C30B 25/00

Мітки: арсеніду, спосіб, індію, мікрокристалів, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання мікрокристалів арсеніду індію, згідно з яким кварцову ампулу, в якій розташовують підкладку з попередньо нанесеними на неї мікрочастинками золота та арсенід індію, вакуумують, запаюють та розташовують у електропечі опору з нагрівом зони джерела арсеніду індію до температури Т=930±2 К, у такому режимі ампулу витримують до отримання мікрокристалів InAs, який відрізняється тим, що вакуумування проводять до тиску в ампулі не...

Номер патенту: 83210

Опубліковано: 25.06.2008

Автори: Омельчук Анатолій Опанасович, Козін Валентин Хомич, Козін Роман Валентинович

МПК: C22B 58/00, C25C 7/00

Мітки: рафінування, індію, об`ємного, спосіб, реалізації, електрохімічного, пристрій

Формула / Реферат:

1. Спосіб об'ємного електрохімічного рафінування індію, що включає розчинення чорнового індію з утворенням галогенідів індію нижчих ступенів окислення, який відрізняється тим, що рафінування здійснюють в електролітичній суміші наступного складу, мас. %:NH4Cl – 10-20NH4I – 20-30ZnCl2 – 60, забезпечуючи відновлення сполук індію різних ступенів окислення, в електролізері з електрохімічним реактором та допоміжними...

Номер патенту: 79316

Опубліковано: 11.06.2007

Автори: Пул Ендрю Девід, Кі Леслі Енн, Пейн Марк Джон

МПК: C07C 51/12, C07C 53/08

Мітки: цьому, індію, оцтової, кислоти, способи, спосіб, цинку, одержання, ртуті, кадмію, стабілізатора, галію, застосування

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання оцтової кислоти карбонілюванням метанолу і/або його реакційноздатної похідної монооксидом вуглецю, який відрізняється тим, що його здійснюють в щонайменше одній реакційній зоні карбонілювання, що містить рідку реакційну композицію, яка включає іридієвий каталізатор карбонілювання, метилйодидний співкаталізатор, воду в обмеженій концентрації, оцтову кислоту, метилацетат, щонайменше один промотор, вибраний з рутенію, осмію...

Номер патенту: 79019

Опубліковано: 10.05.2007

Автори: Козін Роман Валентинович, Омельчук Анатолій Опанасович, Козін Валентин Хомич

МПК: C22B 58/00

Мітки: спосіб, сплаву, пристрій, індію, реалізації, вилучення, індій-олово

Формула / Реферат:

1. Спосіб вилучення і рафінування індію зі сплаву індій-олово, що включає електроліз з електродами, катодом і анодом, який відрізняється тим, що вилучення і рафінування індію здійснюють в багатоелектродному біполярному електролізері, в якому електроди розділено композитним твердофазним електролітом на основі β-глинозему та тетрахлоріндату індію.2. Спосіб по п. 1, який відрізняється тим, що вилучення і рафінування ведуть в...

Номер патенту: 22675

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Плахотнюк Максим Миколайович, КРАВЧЕНКО ЮРІЙ СТЕПАНОВИЧ

МПК: H01L 21/306

Мітки: індію, спосіб, оптично, плазмового, прозорих, олова, травлення, оксиду, плівок

Формула / Реферат:

Спосіб плазмового травлення оптично прозорих плівок оксиду індію та олова, при якому травлення проводять у плазмі, яку одержують високочастотним електромагнітним полем в реакційній камері при пониженому тиску газу та суміші основного газу-реагенту та інертного газу-носія аргону, який відрізняється тим, що як основний газ-реагент використовують тетрахлорид вуглецю, процес травлення здійснюють за рахунок взаємодії з поверхнею плівок оксиду...

Номер патенту: 41850

Опубліковано: 17.09.2001

Автори: Мегела Іван Георгійович, Гомоннай Олександр Васильович

МПК: G21H 5/00

Мітки: обробки, монокристалів, індію, легованих, арсеніду, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб обробки легованих монокристалів арсеніду індію, що включає термічний відпал дефектів, який відрізняється тим, що підвищення домішкової однорідності матеріалу досягається радіостимульованою дифузією внаслідок високоенергетичного опромінення (електронами, y -квантами) величиною інтегрального потоку, при якій реалізується рівномірний просторовий розподіл домішок, причому введені радіаційні дефекти усуваються наступним температурним...

Номер патенту: 28793

Опубліковано: 15.08.2001

Автори: Горбань Олександр Миколайович, Горбенко Віталій Іванович, Швець Юлій Олександрович

МПК: H01L 21/223

Мітки: електричного, типу, метал-напівпровідник, спосіб, фосфіду, контакту, отримання, індію

Формула / Реферат:

Спосіб отримання електричного контакту типу "метал-напівпровідник" до фосфіду індію, що включає його ва­куумування та нагрівання до температури дисоціації, який відрізняється тим, що нагрівання проводять в умовах низького вакууму в середовищі, яке вміщує атомарний водень з концентрацією від 1·1018 до 1·1021 атомів/м3.

Номер патенту: 31924

Опубліковано: 15.12.2000

Автори: Козін Валентин Хомич, Омельчук Анатолій Опанасович

МПК: C22B 58/00

Мітки: індію, спосіб, арсеніду, переробки

Текст:

...і напротязі 1.5 год. продували через неї повітря.' Внаслідок реакції на холодних стінках кварцевого реактора було зібрано 17.26 г оксиду тривалентного миш'яку , що відповідав 80£ вилученню. На дні реактора було зібрано 10.68 г оксиду тривалентного індію , що відповідає ступеню вилучення 82%. Із отриманого оксиду індію відомими методами вилучали індій . Для цього його розчиняли в 2Н розчині сірчаної кислоти Отриманий . розчин піддавали...

Номер патенту: 30008

Опубліковано: 15.11.2000

Автори: Алемасова Антоніна Сергіївна, Дмитрук Наталя Петрівна, Шевчук Іван Олексійович, Засядько Світлана Вікторівна

МПК: G01N 21/71

Мітки: сплавах, спосіб, електротермічного, атомно-абсорбційного, визначення, пробопідготовки, індію, цинкових, цинку

Формула / Реферат:

Спосіб пробопідготовки для електротермічного атомно-абсорбційного визначення індію в цинку та цинкових сплавах, що містить у собі розчинення проби при нагріванні в присутності азотної кислоти, охолодженні отриманого розчину, який відрізняється тим, що після охолодження в розчин додатково вводять сірчанокислий офенантролін в кількості 0,001моль/л.

Номер патенту: 28793

Опубліковано: 16.10.2000

Автори: Швець Юлій Олександрович, Горбенко Віталій Іванович, Горбань Олександр Миколайович

МПК: H01L 21/223

Мітки: фосфіду, індію, металнапівпровідник, отримання, спосіб, електричного, типу, контакту

Формула / Реферат:

Спосіб отримання електричного контакту типу "метал-напівпровідник" до фосфіду індію, що включає його ва­куумування та нагрівання до температури дисоціації, який відрізняється тим, що нагрівання проводять в умовах низького вакууму в середовищі, яке вміщує атомарний водень з концентрацією від 1·1018 до 1·1021 атомів/м3.