Гомоннай Олександр Васильович
Сегнетоелектричний матеріал
Номер патенту: 106518
Опубліковано: 10.09.2014
Автори: Росул Роман Романович, Гомоннай Олександр Васильович, Риган Михайло Юрійович, Соломон Андрій Михайлович, Гуранич Оксана Григорівна, Штець Петро Петрович, Рубіш Василь Михайлович, Гомоннай Олександр Олександрович
МПК: H01L 41/18
Мітки: сегнетоелектричний, матеріал
Формула / Реферат:
Сегнетоелектричний матеріал, який містить сульфід миш'яку та потрійний сульфід, який відрізняється тим, що як потрійний сульфід він містить тіоіндат талію при такому співвідношенні інгредієнтів, мас. %: тіоіндат талію 10-70, сульфід миш'яку решта.
Спосіб одержання радіаційно стійкого силікатного скла
Номер патенту: 61274
Опубліковано: 17.11.2003
Автори: Мегела Іван Георгійович, Гомоннай Олександр Васильович, Турок Іван Іванович
МПК: G01N 23/00, C03C 4/00
Мітки: скла, одержання, спосіб, силікатного, стійкого, радіаційної
Формула / Реферат:
Спосіб одержання радіаційно стійкого силікатного скла, що включає введення добавок в силікатну матрицю, який відрізняється тим, що в силікатну матрицю як добавки вводять нанокристали твердих розчинів сульфіду-селеніду кадмію.
Пристрій для низькотемпературного опромінення твердих тіл
Номер патенту: 43233
Опубліковано: 15.11.2001
Автори: Гомоннай Олександр Васильович, Мегела Іван Георгійович
МПК: G21H 5/00, G01N 27/64
Мітки: низькотемпературного, твердих, опромінення, пристрій, тіл
Формула / Реферат:
Пристрій для низькотемпературного опромінення твердих тіл, який містить циліндричну герметичну камеру, вузол введения високоенергетичного пучка, що складається з патрубка i вікна, перекритого екраном, виготовленим зі слабопоглинаючого іонізуюче випромінювання матеріалу, який через прокладку фіксується гайкою притиску, патрубок для продувания газоподібного холодоагенту, нагрівач i термопару, який відрізняється тим, що додатково вводяться блок...
Спосіб обробки легованих монокристалів арсеніду індію
Номер патенту: 41850
Опубліковано: 17.09.2001
Автори: Гомоннай Олександр Васильович, Мегела Іван Георгійович
МПК: G21H 5/00
Мітки: обробки, індію, монокристалів, спосіб, легованих, арсеніду
Формула / Реферат:
Спосіб обробки легованих монокристалів арсеніду індію, що включає термічний відпал дефектів, який відрізняється тим, що підвищення домішкової однорідності матеріалу досягається радіостимульованою дифузією внаслідок високоенергетичного опромінення (електронами, y -квантами) величиною інтегрального потоку, при якій реалізується рівномірний просторовий розподіл домішок, причому введені радіаційні дефекти усуваються наступним температурним...
Інтерферометр для визначення локальних змін показника заломлення ізотропних твердих тіл
Номер патенту: 40474
Опубліковано: 16.07.2001
Автор: Гомоннай Олександр Васильович
МПК: G01N 21/45
Мітки: заломлення, визначення, показника, тіл, ізотропних, інтерферометр, твердих, локальних, змін
Формула / Реферат:
Інтерферометр для визначення локальних змін показника заломлення ізотропних твердих тіл, що містить оптично зв'язані джерело випромінювання, плоскопаралельну світлоподільну пластину, відбивач, опорну оптичну газову кювету, комутатор та датчик його положення, фотоприймач, блок зчитування та обробки інформації, об'єктив, який відрізняється тим, що додатково містить компенсатор, оптичну кювету і пристрій для зміни в ній тиску еталонного газу та...
Багатоканальний інтерференційний газоаналізатор
Номер патенту: 38776
Опубліковано: 15.05.2001
Автор: Гомоннай Олександр Васильович
МПК: G01N 21/45
Мітки: газоаналізатор, інтерференційний, багатоканальний
Формула / Реферат:
Багатоканальний інтерферометричний газоаналізатор, що містить оптично зв'язані джерело випромінювання, плоскопаралельну світлоподільну пластину, порівняльну та робочу оптичні кювети, відбивач, комутатор та датчик його положення і фотоприймач, підключені до блоку зчитування та обробки інформації, об'єктив, який відрізняється тим, що додатково містить т≥1 робочих кювет, при цьому на світлоподільну пластинку нанесено покриття з...