Нікешин Юрій Ігорович

Номер патенту: 100436

Опубліковано: 27.07.2015

Автори: Осадчук Ярослав Олександрович, Нікешин Юрій Ігорович, Осадчук Олександр Володимирович, Червак Оксана Петрівна

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Мітки: шестизондовий, виходом, напівпровідникового, частотним, вимірювання, мікроелектронний, опору, двокаскадний, пристрій

Формула / Реферат:

Двокаскадний мікроелектронний шестизондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору з частотним виходом включає ємність, котушку індуктивності, вимірювач різниці частот, джерело живлення, а також рамку - тримач, який відрізняється тим, що пристрій виконаний у вигляді двох каскадів, при цьому в перший каскад введено чотири зонди, друге джерело живлення, чотири резистори, ємність та два біполярних транзистори, причому третій та...

Номер патенту: 98569

Опубліковано: 27.04.2015

Автори: Осадчук Ярослав Олександрович, Нікешин Юрій Ігорович, Осадчук Олександр Володимирович, Червак Оксана Петрівна

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: пристрій, чотирьохзондовий, напівпровідникового, мікроелектронний, частотним, двокаскадний, опору, вимірювання, виходом

Формула / Реферат:

Двокаскадний мікроелектронний чотиризондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору з частотним виходом включає ємність, котушку індуктивності, вимірювач різниці частот, джерело живлення, а також рамку-тримач, який відрізняється тим, що пристрій виконаний у вигляді двох каскадів, при цьому перший каскад містить два зонди, чотири резистори, ємність та два біполярних транзистори, третій та четвертий зонди з'єднані з першим та...

Номер патенту: 76387

Опубліковано: 10.01.2013

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Нікешин Юрій Ігорович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: чотиризондовий, пристрій, мікроелектронний, напівпровідникого, вимірювання, опору

Формула / Реферат:

Мікроелектронний чотиризондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору, який містить котушку індуктивності, яка підключена до джерела живлення, який відрізняється тим, що в нього введено чотири зонди, причому другий та третій з'єднані з біполярним транзистором, перший та четвертий з'єднані з першим джерелом живлення, друге джерело живлення з'єднано з другою ємністю та третім резистором, перший і другий резистори з'єднанні з...

Номер патенту: 74631

Опубліковано: 12.11.2012

Автори: Нікешин Юрій Ігорович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Мітки: мікроелектронний, шестизондовий, опору, напівпровідникового, вимірювання, пристрій

Формула / Реферат:

Мікроелектронний шестизондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору, який містить котушку індуктивності, яка підключена до джерела живлення, який  відрізняється тим, що в нього введено шість зондів, активний індуктивний елемент, друге та третє джерело живлення, три резистори, два біполярних транзистори, до яких підключена перша та друга ємність, кожна з яких з'єднані з активним індуктивним елементом та другим джерелом живлення,...

Номер патенту: 68937

Опубліковано: 10.04.2012

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Нікешин Юрій Ігорович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Мітки: напівпровідникового, пристрій, мікроелектронний, опору, шестизондовий, вимірювання

Формула / Реферат:

Мікроелектронний шестизондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору, який містить котушку індуктивності і ємність, яка підключена до джерела живлення, який відрізняється тим, що в нього введено шість зондів, друге та третє джерело живлення, два резистори, біполярний транзистор, який з'єднаний з котушкою індуктивності та другим джерелом живлення, та польовий транзистор, до якого підключені третій та четвертий зонди, крім того...

Номер патенту: 66947

Опубліковано: 25.01.2012

Автори: Нікешин Юрій Ігорович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Мітки: вимірювання, пристрій, мікроелектронний, чотиризондовий, напівпровідникового, опору

Формула / Реферат:

Мікроелектронний чотиризондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору, який містить котушку індуктивності і ємність, яка підключена до джерела живлення, який  відрізняється тим, що в нього введено чотири зонди, друге джерело живлення, два резистори, біполярний транзистор, який з'єднаний з котушкою індуктивності та другим джерелом живлення, та польовий транзистор, до якого підключені другий та третій зонди, крім того ємність...