G01R 31/26 — випробування окремих напівпровідникових приладів

Номер патенту: 110811

Опубліковано: 25.02.2016

Автори: Левченко Віталій Вікторович, Биковський Юрій Михайлович

МПК: G01R 31/26, G01R 19/32, G05B 19/048 ...

Мітки: цифрового, спосіб, стану, датчика, інтелектуального, діагностування

Формула / Реферат:

Спосіб діагностування стану цифрового інтелектуального датчика при дії на нього зовнішнього тиску, який полягає в тому, що на цифровий датчик подають імпульс ініціалізації, отримують первинний відгук датчика у вигляді вольт-амперної характеристики, який відрізняється тим, що заданий імпульс ініціалізації формують за допомогою комп′ютера у вигляді провалу напруги, вимірюють тривалість первинного відгуку датчика на кожний заданий імпульс...

Номер патенту: 104518

Опубліковано: 10.02.2016

Автори: Сологуб Владислав Вікторович, Малютенко Володимир Костянтинович, Тесленко Галина Іванівна, Кирюша Олексій Іванович

МПК: H01L 33/00, G01R 31/26

Мітки: ефективності, електричної, спосіб, світлодіода, вимірювання

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання електричної ефективності світлодіода , який включає прикладання до світлодіода електричної напруги  в прямому напрямку, вимірювання вольт-амперної характеристики, який відрізняється тим, що напругу прикладають в імпульсному режимі, тривалість і частоту імпульсу підбирають шляхом їх...

Номер патенту: 101022

Опубліковано: 25.08.2015

Автори: Шинкаренко Володимир Вікторович, Сліпокуров Віктор Сергійович, Болтовець Микола Силович, Конакова Раїса Василівна, Бєляєв Олександр Євгенович, Виноградов Анатолій Олегович, Басанець Володимир Васильович, Кудрик Ярослав Ярославович

МПК: G01R 31/26, G01R 19/28, G01R 27/04 ...

Мітки: лавинно-пролітних, імпульсних, спосіб, діодів, ненадійних, відбраковування, потенційно

Формула / Реферат:

Спосіб відбраковування потенційно ненадійних імпульсних лавинно-пролітних діодів, який включає прикладання до діода постійної напруги в зворотному напрямку і вимірювання вольт-амперної характеристики (ВАХ1), який відрізняється тим, що додатково прикладають до діода постійну напругу в прямому напрямку і вимірюють ВАХ2, з якої визначають величину послідовного диференційного опору R0 діода, а з ВАХ1 зворотного напряму в пробійній області...

Номер патенту: 100436

Опубліковано: 27.07.2015

Автори: Червак Оксана Петрівна, Нікешин Юрій Ігорович, Осадчук Ярослав Олександрович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Мітки: виходом, вимірювання, мікроелектронний, пристрій, напівпровідникового, двокаскадний, опору, частотним, шестизондовий

Формула / Реферат:

Двокаскадний мікроелектронний шестизондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору з частотним виходом включає ємність, котушку індуктивності, вимірювач різниці частот, джерело живлення, а також рамку - тримач, який відрізняється тим, що пристрій виконаний у вигляді двох каскадів, при цьому в перший каскад введено чотири зонди, друге джерело живлення, чотири резистори, ємність та два біполярних транзистори, причому третій та...

Номер патенту: 100080

Опубліковано: 10.07.2015

Автор: Тюменцев Володимир Антонович

МПК: G01Q 10/00, G01N 27/406, G01N 13/00 ...

Мітки: параметрів, пристрій, напівпровідникового, матеріалу, вимірів, електрофізичних

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вимірювання електрофізичних параметрів напівпровідникового матеріалу, що містить вимірювальні зонди, вимірювальну головку, важіль, пружину, механізми підйому і опускання зондів, переміщення вимірюваного зразка, переміщення вимірювальної головки щодо зразка, блоків управління і вимірювання, який відрізняється тим, що зонди жорстко кріпляться на вимірювальної головці, виконаній у вигляді плоскої металевої пластини, яка...

Номер патенту: 98569

Опубліковано: 27.04.2015

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Червак Оксана Петрівна, Осадчук Ярослав Олександрович, Нікешин Юрій Ігорович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: опору, вимірювання, пристрій, виходом, мікроелектронний, чотирьохзондовий, частотним, двокаскадний, напівпровідникового

Формула / Реферат:

Двокаскадний мікроелектронний чотиризондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору з частотним виходом включає ємність, котушку індуктивності, вимірювач різниці частот, джерело живлення, а також рамку-тримач, який відрізняється тим, що пристрій виконаний у вигляді двох каскадів, при цьому перший каскад містить два зонди, чотири резистори, ємність та два біполярних транзистори, третій та четвертий зонди з'єднані з першим та...

Номер патенту: 97781

Опубліковано: 10.04.2015

Автори: Сокол Євген Іванович, Хрипунов Геннадій Семенович, Нікітін Віктор Олексійович, Зайцев Роман Валентинович, Кіріченко Михайло Валерійович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: випромінювання, сегментний, концентратор

Формула / Реферат:

Сегментний концентратор випромінювання, який включає основу концентратора та світловідбиваючі сегменти, який відрізняється тим, що основу концентратора виконано у вигляді кругового масиву профільованих ребер, котрі задають профіль вигину світловідбиваючих сегментів за параболо-циліндричною формою, та світловідбиваючі сегменти виконано у вигляді трапецієподібних сегментів параболічного циліндра з довгою фокусною відстанню та багатошаровим...

Номер патенту: 96676

Опубліковано: 10.02.2015

Автори: Маслов Володимир Петрович, Качур Наталія Володимирівна, Порєв Володимир Андрійович, Пахалюк Руслан Ігорович, Божко Костянтин Михайлович

МПК: G01R 31/26, H02J 7/36

Мітки: сонячних, контролю, дефектів, спосіб, батареях, телевізійний

Формула / Реферат:

Телевізійний спосіб контролю дефектів у сонячних батареях, при якому на неосвітлену сонячну батарею подають зворотний темновий струм потужністю 0,4-2 кВт/м2, а дефекти визначають за світловим зображенням як локальні джерела випромінювання, який відрізняється тим, що фотоелементи сонячної батареї після подачі на неї зворотного темнового струму сканують паралельно площині фотоелементів телевізійною системою знімання зображення, яке транслюють...

Номер патенту: 95429

Опубліковано: 25.12.2014

Автори: Швець Євген Якович, Юдачов Андрій Валерійович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: пристрій, кристала, приладів, контролю, температури, напівпровідникових, силових

Формула / Реферат:

Пристрій контролю температури кристала силових напівпровідникових приладів, що містить комірки напівпровідникового датчика температури, який відрізняється тим, що комірки розташовані безпосередньо на кристалі силового напівпровідникового приладу.

Номер патенту: 94622

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Кіріченко Михайло Валерійович, Лук'янов Євген Олександрович, Хрипунов Геннадій Семенович, Копач Володимир Романович, Зайцев Роман Валентинович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Мітки: світлодіодно-галогеновий, освітлювач

Формула / Реферат:

Світлодіодно-галогеновий освітлювач, що має у своєму складі випромінюючий елемент у формі сегмента сфери, на внутрішній поверхні якого розміщено світлодіоди різного кольору та галогенові лампи, блок роздільного автоматичного керування потужністю випромінення світлодіодів кожного кольору та стабілізоване джерело постійного струму, який відрізняється тим, що надяскраві світлодіоди кількістю до 100 одиниць згруповано у світловипромінюючі...

Номер патенту: 106862

Опубліковано: 10.10.2014

Автори: Кобзар Юлія Леонідівна, Тодосійчук Тамара Тимофіївна, Стебленко Людмила Петрівна, Макара Володимир Арсенійович, Ященко Лариса Миколаївна, Калініченко Дмитро Володимирович, Подолян Артем Олександрович, Курилюк Алла Миколаївна

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26, H01L 27/30 ...

Мітки: підвищення, сонячних, спосіб, елементів, корисної, коефіцієнта, дії

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення коефіцієнта корисної дії сонячних елементів, виготовлених на основі кристалів кремнію сонячної якості, що використовуються для потреб сонячної енергетики, який відрізняється тим, що спочатку на поверхню кремнію сонячної якості наносять полімерну епоксіуретанову плівку товщиною 15-25 мкм, а потім витримують сформовані структури в стаціонарному магнітному полі з індукцією В = 0,15-0,19 Тл протягом 180-220 діб або в...

Номер патенту: 92797

Опубліковано: 10.09.2014

Автор: Божко Костянтин Михайлович

МПК: H02J 7/36, G01R 31/26

Мітки: сонячних, батареях, дефектів, спосіб, контролю

Формула / Реферат:

Спосіб контролю дефектів в сонячних батареях, що включає вимірювання параметрів електричного струму, який відрізняється тим, що на неосвітлену сонячну батарею подають зворотний темновий струм напругою в 500-1000 В, потім струм вимикають, а дефекти визначають за тепловим зображенням як локальні джерела випромінювання при охолодженні.

Номер патенту: 89047

Опубліковано: 10.04.2014

Автори: Велещук Віталій Петрович, Власенко Зоя Костянтинівна, Власенко Олександр Іванович, Киселюк Максим Павлович

МПК: G01R 31/26

Мітки: основі, спосіб, критичних, світлодіодних, структурах, контролю, експресного, дефектів

Формула / Реферат:

Спосіб експресного контролю критичних дефектів світлодіодних GaN структур, в якому до світлодіодної структури прикладають максимально можливу неруйнуючу постійну зворотну напругу і фіксують свічення мікроплазм, який відрізняється тим, що вимірюють кількість точок свічення мікроплазм NМП при даній напрузі, і по значенню NМП контролюють критичні дефекти у світлодіодних GaN структурах та оцінюють їх надійність.

Номер патенту: 88447

Опубліковано: 11.03.2014

Автори: Порєв Володимир Андрійович, Божко Костянтин Михайлович, Мотрич Іван Сергійович, Качур Наталія Володимирівна, Маслов Володимир Петрович

МПК: H02J 7/36, G01R 31/26

Мітки: батареях, дефектів, спосіб, сонячних, контролю

Формула / Реферат:

Спосіб контролю дефектів у сонячних батареях при вимірюванні параметрів електричного струму, який відрізняється тим, що на неосвітлену сонячну батарею подається зворотний темновий струм потужністю 0,4-2,0 кВт/м2, а дефекти визначаються за тепловим або світловим зображенням як локальні джерела випромінювання.

Номер патенту: 87430

Опубліковано: 10.02.2014

Автори: Птащенко Федір Олександрович, Довганюк Геннадій Віталійович, Гільмутдінова Валерія Рафаелівна, Птащенко Олександр Олександрович

МПК: G01R 31/26

Мітки: метод, пробою, поверхневого, виявлення, переході

Формула / Реферат:

Метод виявлення поверхневого пробою в р-n переході, який полягає в тому, що проводяться вимірювання вольт-амперної характеристики зворотного струму р-n переходу і по даній характеристиці визначається напруга пробою, який відрізняється тим, що вказані вимірювання проводяться два рази: при першому вимірюванні досліджуваний р-n перехід поміщується в сухе повітря, а при другому вимірюванні він поміщується в контейнер з повітрям і вологими парами...

Номер патенту: 85050

Опубліковано: 11.11.2013

Автори: Велещук Віталій Петрович, Власенко Зоя Костянтинівна, Ляшенко Олег Всеволодович, Власенко Олександр Іванович, Борщ Володимир Васильович, Киселюк Максим Павлович, Босий Віталій Ісаєвич

МПК: G01R 31/26

Мітки: діагностики, електролюмінесценції, світлодіодних, спосіб, структур, характеризації, мікроплазм

Формула / Реферат:

Спосіб діагностики та характеризації світлодіодних GaN структур, в якому до світлодіодної структури прикладають постійну зворотну напругу і фіксують свічення мікоплазм, який відрізняється тим, що величину зворотної напруги збільшують до максимально можливого неруйнівного значення і вимірюють спектр електролюмінесценції всіх мікоплазм, і за величиною інтенсивності електролюмінесценції та величиною відношення інтенсивностей максимумів синьої...

Номер патенту: 77670

Опубліковано: 25.02.2013

Автори: Кіріченко Михайло Валерійович, Поляков Володимир Іванович, Стребков Дмитро Семенович, Копач Володимир Романович, Хрипунов Геннадій Семенович, Зайцев Роман Валентинович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Мітки: вертикальними, ккд, комірками, фотоелектричного, підвищення, перетворювача, діодними, спосіб, кремнієвого

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення ККД багатоперехідного кремнієвого фотоелектричного перетворювача з послідовно з'єднаними вертикальними діодними комірками i сонячного модуля з таких приладів, котрий включає їх обробку у стаціонарному магнітному полі з індукцією більше 0,1 Тл, який відрізняється тим, що працюючий багатоперехідний кремнієвий фотоелектричний перетворювач з послідовно з'єднаними вертикальними діодними комірками і сонячний модуль з таких...

Номер патенту: 77613

Опубліковано: 25.02.2013

Автори: Кіріченко Михайло Валерійович, Копач Володимир Романович, Хрипунов Геннадій Семенович, Зайцев Роман Валентинович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Мітки: комірка, світловипромінююча

Формула / Реферат:

Світловипромінююча комірка, яка складається зі світлодіодів з безперервним спектром випромінювання в діапазоні довжин хвиль 0,38-1,10 мкм, розміщених по концентричній окружності на рівних відстанях один від одного у порядку чергування, яка відрізняється тим, що матричні світлодіоди розміщено на компактній системі охолодження, інтегровану систему керування спектральним складом їх випромінювання розміщено безпосередньо у світловипромінюючій...

Номер патенту: 76641

Опубліковано: 10.01.2013

Автори: Киселюк Максим Павлович, Ляшенко Олег Всеволодович, Власенко Олександр Іванович, Велещук Віталій Петрович, Бойко Микола Іванович

МПК: G01R 31/26

Мітки: спосіб, технологічних, контролю, світлодіодних, критичних, структурах, дефектів, основі

Формула / Реферат:

Спосіб контролю критичних технологічних дефектів у світлодіодних структурах на основі GaN, в якому до світлодіодної структури прикладають напругу, який відрізняється тим, що прикладають постійну зворотну напругу і її величину збільшують до моменту свічення першої мікроплазми та фіксують величину напруги, струму та її місцезнаходження і відповідно до цього визначають критичні етапи технології, що призводять до утворення структурних дефектів,...

Номер патенту: 76387

Опубліковано: 10.01.2013

Автори: Нікешин Юрій Ігорович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: пристрій, напівпровідникого, опору, чотиризондовий, вимірювання, мікроелектронний

Формула / Реферат:

Мікроелектронний чотиризондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору, який містить котушку індуктивності, яка підключена до джерела живлення, який відрізняється тим, що в нього введено чотири зонди, причому другий та третій з'єднані з біполярним транзистором, перший та четвертий з'єднані з першим джерелом живлення, друге джерело живлення з'єднано з другою ємністю та третім резистором, перший і другий резистори з'єднанні з...

Номер патенту: 76300

Опубліковано: 25.12.2012

Автори: Новохатська Тетяна Миколаївна, Чугай Олег Миколайович, Шматко Олександр Олександрович, Терзін Ігор Сергійович, Полубояров Олексій Олександрович, Сулима Сергій Віталійович, Олійник Сергій Володимирович, Комарь Віталій Корнійович

МПК: G01R 31/26

Мітки: розчинів, спосіб, електроопору, вимірювання, питомого, високоомних, твердих, напівпровідників

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання питомого електроопору високоомних твердих розчинів напівпровідників шляхом вимірювання в низькочастотній області тангенса кута діелектричних втрат  та електроємності  вимірювального конденсатора, який утворено за допомогою плоских електродів, діелектричних шарів та досліджуваного зразка;...

Номер патенту: 74631

Опубліковано: 12.11.2012

Автори: Нікешин Юрій Ігорович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Мітки: вимірювання, напівпровідникового, опору, шестизондовий, пристрій, мікроелектронний

Формула / Реферат:

Мікроелектронний шестизондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору, який містить котушку індуктивності, яка підключена до джерела живлення, який  відрізняється тим, що в нього введено шість зондів, активний індуктивний елемент, друге та третє джерело живлення, три резистори, два біполярних транзистори, до яких підключена перша та друга ємність, кожна з яких з'єднані з активним індуктивним елементом та другим джерелом живлення,...

Номер патенту: 68937

Опубліковано: 10.04.2012

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Нікешин Юрій Ігорович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: мікроелектронний, напівпровідникового, пристрій, шестизондовий, опору, вимірювання

Формула / Реферат:

Мікроелектронний шестизондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору, який містить котушку індуктивності і ємність, яка підключена до джерела живлення, який відрізняється тим, що в нього введено шість зондів, друге та третє джерело живлення, два резистори, біполярний транзистор, який з'єднаний з котушкою індуктивності та другим джерелом живлення, та польовий транзистор, до якого підключені третій та четвертий зонди, крім того...

Номер патенту: 66947

Опубліковано: 25.01.2012

Автори: Нікешин Юрій Ігорович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Мітки: напівпровідникового, опору, вимірювання, пристрій, мікроелектронний, чотиризондовий

Формула / Реферат:

Мікроелектронний чотиризондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору, який містить котушку індуктивності і ємність, яка підключена до джерела живлення, який  відрізняється тим, що в нього введено чотири зонди, друге джерело живлення, два резистори, біполярний транзистор, який з'єднаний з котушкою індуктивності та другим джерелом живлення, та польовий транзистор, до якого підключені другий та третій зонди, крім того ємність...

Номер патенту: 96998

Опубліковано: 26.12.2011

Автори: Єрмоленко Євген Олександрович, Бондаренко Олександр Федорович

МПК: G01R 31/26, G01R 19/32

Мітки: автоматизованого, вольт-амперних, напівпровідникових, приладів, спосіб, вимірювання, характеристик

Формула / Реферат:

Спосіб автоматизованого вимірювання вольт-амперних характеристик напівпровідникових приладів, який полягає в тому, що на досліджуваний напівпровідниковий прилад подають послідовність прямокутних електричних імпульсів зі змінною амплітудою, реєструють відповідні значення відгуків на послідовність електричних імпульсів, який відрізняється тим, що перед подачею послідовності прямокутних електричних імпульсів реєструють початковий тепловий стан...

Номер патенту: 61927

Опубліковано: 10.08.2011

Автори: Копач Володимир Романович, Лісачук Георгій Вікторович, Кіріченко Михайло Валерійович, Зайцев Роман Валентинович, Дейнеко Наталя Вікторівна, Хрипунов Геннадій Семенович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: елементів, сонячних, плівкових, спосіб, відновлювання, зазнали, деградації

Формула / Реферат:

Спосіб відновлювання плівкових СЕ, що зазнали деградацію, та виготовлені на основі сульфіду і телуриду кадмію, заснований на інтенсифікації процесів транспорту атомів міді, перебудові комплексів точкових дефектів, що містять мідь, фазовому перетворенні частки СuТе у Сu1,4Tе, зменшенні опору шару CdS та електродифузії у абсорбер аніонів сірки і міжвузловинних катіонів CuCd-, який відрізняється тим, що затемнений СЕ витримують протягом не...

Номер патенту: 60406

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Кіріченко Михайло Валерійович, Лісачук Георгій Вікторович, Хрипунов Геннадій Семенович, Зайцев Роман Валентинович, Копач Володимир Романович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: підвищення, фотоелектричного, кремнієвого, монокристалічного, спосіб, ккд, перетворювача

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення ККД монокристалічного кремнієвого фотоелектричного перетворювача, який включає обробку фотоелектричного перетворювача у стаціонарному магнітному полі індукцією більше 0,1 Тл, який відрізняється тим, що після обробки у стаціонарному магнітному полі на тильну поверхню монокристалічного кремнієвого фотоелектричного перетворювача наносять магнітний вініл.

Номер патенту: 53585

Опубліковано: 11.10.2010

Автори: Ластівка Галина Іванівна, Хандожко Олександр Григорович, Верига Андрій Дмитрович

МПК: G01R 31/26

Мітки: геліконового, напівпровідникових, резонансу, спосіб, матеріалах, реєстрації

Формула / Реферат:

Спосіб реєстрації геліконового резонансу в напівпровідникових матеріалах, що включає сканування магнітного поля в області умов геліконового резонансу, збудження в досліджуваній пластинці геліконових хвиль та реєстрацію частоти генерованих коливань, який відрізняється тим, що пластину геліконового резонатора розміщують в коливальному контурі автодинного давача, який одночасно є індукуючим та збуджуючим пристроєм, вимірюють зміну частоти...

Номер патенту: 90369

Опубліковано: 26.04.2010

Автори: Чугай Олег Миколайович, Абашин Сергій Леонідович, Сулима Сергій Віталійович, Олійник Сергій Володимирович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Терзін Ігор Сергійович, Чуйко Олексій Сергійович, Комарь Віталій Корнійович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Мітки: часу, носіїв, спосіб, напівпровідниках, струму, життя, нерівноважних, вимірювання

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання часу життя нерівноважних носіїв струму у напівпровідниках шляхом одержання частотної залежності фотопровідності, зумовленої дією прямокутних імпульсів світла, який відрізняється тим, що вимірюють амплітуду першої гармоніки сигналу фотопровідності, одержують залежність її розкладу у ряд Фур’є від частоти слідування імпульсів фотозбудження і з цієї залежності визначають час життя нерівноважних носіїв струму.

Номер патенту: 90037

Опубліковано: 25.03.2010

Автори: Олійник Сергій Володимирович, Герасименко Андрій Спартакович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Абашин Сергій Леонідович, Комарь Віталій Корнійович, Морозов Дмитро Сергійович, Сулима Сергій Віталійович, Чугай Олег Миколайович

МПК: G01R 31/26

Мітки: високоомних, вимірювання, твердих, спосіб, напівпровідників, розчинів, електроопору, питомого

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання питомого електроопору високоомних твердих розчинів напівпровідників шляхом вимірювання тангенса кута діелектричних втрат вимірювального конденсатора, який утворений за допомогою плоских електродів діелектричних шарів та досліджуваного зразка, у залежності від частоти змінного електричного поля в низькочастотній області, який відрізняється тим, що вимірюють електроємність вимірювального конденсатора, а питомий електроопір rs...

Номер патенту: 89911

Опубліковано: 10.03.2010

Автори: Семеновська Олена Володимирівна, Тимофєєв Володимир Іванович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Мітки: транзистора, субмікронного, спосіб, теплового, визначення, опору, кристала

Формула / Реферат:

Спосіб визначення теплового опору кристала субмікронного транзистора, що включає вимірювання розмірів фігури теплового еквівалента транзистора від розтікання теплового потоку від затвора всередину кристалу під кутами α і β, вимірювання величини приросту площ перерізу фігури теплового еквівалента за висотою кристала, який відрізняється тим, що вимірюють висоту злому бокової поверхні теплового еквівалента та на цій висоті вимірюють...

Номер патенту: 47386

Опубліковано: 25.01.2010

Автори: Бєляєв Олександр Євгенович, Болтовець Микола Силович, Шинкаренко Володимир Вікторович, Конакова Раїса Василівна, Кудрик Ярослав Ярославович

МПК: G01R 19/28, G01R 31/26, G01R 27/04 ...

Мітки: імпульсних, лавинопрольотних, напівпровідникових, лпд, надпотужних, діагностики, апаратура, надійності, діодів

Формула / Реферат:

Апарат для діагностики надійності напівпровідникових надпотужних імпульсних лавинопрольотних діодів (ЛПД), що містить зчитуючий пристрій, другу коаксіальну лінію затримки, формувач наносекундних імпульсів, до якого приєднана перша коаксіальна лінія затримки, який відрізняється тим, що до першої коаксіальної лінії затримки під'єднаний трійник, до якого підключені через узгоджувальні навантаження входи другої та третьої коаксіальних...

Номер патенту: 87695

Опубліковано: 10.08.2009

Автор: Угрин Юрій Орестович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: параметрів, визначення, спосіб, носіїв, неосновних, тілах, концентрації, рухливості, заряду, основних, твердих

Формула / Реферат:

Спосіб визначення основних параметрів, а саме концентрації і рухливості неосновних носіїв заряду в твердих тілах, що включає внесення зразка твердого тіла в магнітне поле, що перпендикулярне прикладеній напрузі, вимірюванні питомого опору у відсутності магнітного поля, точки перегину поперечного магнетоопору і його величини в цій точці, який відрізняється тим, що вимірюють питомий опір насичення, тобто максимальний питомий опір, а...

Номер патенту: 86167

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Фролов Андрій Віталійович, Сліпченко Микола Іванович, Яновська Наталія Миколаївна, Кирилюк Артур Андрійович, Письменецький Віктор Олександрович

МПК: G01J 1/44, G01R 31/26

Мітки: контролю, перетворювачів, фотоелектричних, параметрів, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для контролю параметрів фотоелектричних перетворювачів, що містить блок підключення та підсилювач потужності - повторювач напруги, з'єднаний із входом блока підключення, що приєднаний до досліджуваного фотоелектричного перетворювача та до входу вимірювача струму на операційному підсилювачі, який відрізняється тим, що в нього додатково введені персональний комп'ютер із програмним забезпеченням, мікроконтролер, регулятор підсилення...

Номер патенту: 33676

Опубліковано: 10.07.2008

Автори: Копач Володимир Романович, Хрипунов Геннадій Семенович, Кіріченко Михайло Валерійович, Лісачук Георгій Вікторович, Зайцев Роман Валентинович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Мітки: світлодіодний, освітлювач

Формула / Реферат:

Світлодіодний освітлювач, що має у своєму складі випромінюючий елемент у формі сегмента сфери, на внутрішній поверхні якого розміщені кольорові напівпровідникові світлодіоди, блок роздільного автоматичного керування потужністю випромінення світлодіодів кожного кольору та стабілізоване джерело постійного струму, який відрізняється тим, що світлодіоди у кількості 250-300 одиниць розміщені у випромінюючому елементі по спіралі Архімеда, котра...

Номер патенту: 10410

Опубліковано: 15.11.2005

Автор: Голощапов Сергій Степанович

МПК: G01R 27/26, G01R 31/26

Мітки: варікапів, параметрів, пристрій, контролю

Формула / Реферат:

Пристрій для контролю параметрів варикапів, що містить генератор високої частоти, схему з керованим коефіцієнтом передачі, ємність, перший вивід якої з'єднаний із першим виводом першого резистора і з першим виводом ємності подільника, другий вивід якого через другий резистор з'єднаний із джерелом зсуву і з першою клемою для підключення випробовуваного варикапа, друга клема якого спільно з другим виводом першого резистора з'єднана з загальною...

Номер патенту: 57427

Опубліковано: 16.06.2003

Автори: Гордієнко Юрій Омелянович, Бородін Борис Григорович, Бабиченко Сергій Васильович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: вимірювання, спосіб, швидкості, заряду, носіїв, рекомбінації, об`ємного, напівпровідниках, життя, поверхневої, часу

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання об'ємного часу життя і швидкості поверхневої рекомбінації носіїв заряду у напівпровідниках, який заснований на розміщенні досліджуваного напівпровідникового зразка в НВЧ резонаторному вимірювальному перетворювачі, освітленні його гармонійно модульованим монохроматичним світлом, виділенні на виході вимірювального перетворювача сигналів фотопровідності, який відрізняється тим, що здійснюють вимірювання спектрального...

Номер патенту: 55796

Опубліковано: 15.04.2003

Автори: Аппазов Едуард Сейярович, Шутов Станіслав Вікторович, Лубяний Віктор Захарович, Марончук Олександр Ігорович

МПК: G01R 31/26

Мітки: фотовольтаїчних, характеристик, експлуатаційних, пристрій, визначення, перетворювачів

Формула / Реферат:

Пристрій для вивчення експлуатаційних характеристик фотовольтаїчних перетворювачів, що містить охолоджувач, джерело гріючого струму, блок вимірювання температури, блок індикації, який відрізняється тим, що пристрій виконаний у вигляді вакуумної камери з оптичним вікном, в якій розташований мідний підкладкоутримувач, що нагрівається, який зворотним боком з'єднаний з охолоджувачем, виконаним у вигляді труби.

Номер патенту: 49699

Опубліковано: 16.09.2002

Автори: Лубяний Віктор Захарович, Голощапов Сергій Степанович

МПК: G01R 31/26, G01R 27/26

Мітки: пристрій, ємності, виміру

Формула / Реферат:

Пристрій для виміру ємності, що містить генератор високої частоти, вихід якого через конденсатор з’єднаний з першим виводом роздільного конденсатора і через послідовно з'єднані підсилювач і детектор - з аналоговим входом цифро-аналогового перетворювача, цифровий вхід якого з'єднаний із виходом першого лічильника імпульсів, а вихід - із першим входом першого блока порівняння, другий вхід якого сполучений з першою клемою опорної напруги, а...

Номер патенту: 47032

Опубліковано: 17.06.2002

Автори: Плющай Олександр Іванович, Немошкаленко Володимир Володимирович, Пріхна Тетяна Олексійовна, Кордюк Олександр Анатолійович

МПК: G01R 31/26, G01R 33/035

Мітки: критичної, надпровідниках, спосіб, густини, визначення, струму

Формула / Реферат:

Спосіб визначення критичної густини струму у надпровідниках полягає у тому, що індукують змінним магнітним полем струм у надпровіднику за рахунок зміни взаємного розташування надпровідника та постійного магніту, магнітний момент якого зорієнтовано вздовж лінії переміщення, який відрізняється тим, що реєструють силу взаємодії магніту з надпровідними частинами, з кожною окремо, що будуть зварюватись, та визначають середнє з цих сил, вимірюють...