Мікроелектронний чотиризондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору
Номер патенту: 66947
Опубліковано: 25.01.2012
Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Нікешин Юрій Ігорович
Формула / Реферат
Мікроелектронний чотиризондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору, який містить котушку індуктивності і ємність, яка підключена до джерела живлення, який відрізняється тим, що в нього введено чотири зонди, друге джерело живлення, два резистори, біполярний транзистор, який з'єднаний з котушкою індуктивності та другим джерелом живлення, та польовий транзистор, до якого підключені другий та третій зонди, крім того ємність підключена до другого джерела живлення, а перший та четвертий зонди під'єднані до першого джерела живлення, перший резистор з'єднаний з котушкою індуктивності, а другий резистор з'єднаний спільною шиною.
Текст
Мікроелектронний чотиризондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору, який містить котушку індуктивності і ємність, яка підк 3 джерелом живлення, ємність з'єднана з другим джерелом живлення. На кресленні представлена схема мікроелектронного чотиризондового пристрою для вимірювання напівпровідникового опору. Пристрій містить чотири зонди 1, 2, 3, 4 відповідно, причому перший 1 та четвертий 4 з'єднані з першим джерелом живленням 5 та польовим транзистором 8, друге джерело живлення 12 з'єднано з ємністю 11 та котушкою індуктивності 10, перший і другий резистори 6, 7 кожний з яких з'єднаний з загальною шиною, ємність 11, яка з'єднана з котушкою 10 та загальною шиною, польовий транзистор 8 з'єднаний з біполярним транзистором 9 та з загальною шиною. Вихід пристрою утворений стоком біполярного транзистора 9 і загальною шиною. Пристрій працює наступним чином. В початковий момент часу живлення відсутнє і опір не вимірюється. Через перший 6 та другий 7 резистори здійснюється електричний режим живлення пристрою від другого джерела живлення 12 на другий Комп’ютерна верстка Л. Купенко 66947 4 2 та третій 3 зонди. Перше джерело живлення 5 діє напряму з першим 1 та четвертим 4 зондами. Ємність 11 запобігає проходженню змінного струму через друге джерело живлення 12. Підвищення напруги другого джерела постійної напруги 12 до величини, коли на електродах стоку польового транзистора 8 і емітера біполярного транзистора 9 виникає додатній опір, який приводить до виникнення електричних коливань в контурі, який утворений паралельним включенням повного опору з ємнісним характером на електродах стік-колектор польового транзистора 8 і біполярного транзистора 9 та котушкою індуктивності 10. При наступному вимірі опору, передається і приймається по чотирьох зондах 1, 2, 3, 4, при цьому змінюється вихідна напруга на чотирьох зондах 1, 2, 3, 4, яка також змінює ємнісну складову повного опору ємності 11 на електродах стік-колектор польового транзистора 8 і біполярного транзистора 9, а це викликає зміну резонансної частоти коливального контуру. Підписне Тираж 23 прим. Державна служба інтелектуальної власності України, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюMicroelectronic four-probe device for measurement of semiconductor resistance
Автори англійськоюOsadchuk Oleksandr Volodymyrovych, Nikeshyn Yurii Ihorovych
Назва патенту російськоюМикроэлектронное четырех-зондовое устройство для измерения полупроводникового сопротивления
Автори російськоюОсадчук Александр Владимирович, Никешин Юрий Игоревич
МПК / Мітки
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Мітки: мікроелектронний, пристрій, вимірювання, опору, чотиризондовий, напівпровідникового
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-66947-mikroelektronnijj-chotirizondovijj-pristrijj-dlya-vimiryuvannya-napivprovidnikovogo-oporu.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Мікроелектронний чотиризондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору</a>
Мікроелектронний пристрій для вимірювання тиску
Номер патенту: 16801
Опубліковано: 15.08.2006
Автори: Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович, Кривошея Андрій Олександрович
МПК: G01L 9/04
Мітки: тиску, пристрій, мікроелектронний, вимірювання
Формула / Реферат:
Мікроелектронний пристрій для вимірювання тиску, який містить джерело постійної напруги і тензочутливий міст із чотирьох однотипних тензорезисторів, який відрізняється тим, що додатково введені два біполярних транзистори, пасивна індуктивність, ємність і п'ять резисторів, причому перший вивід першого тензорезистора з'єднаний з першими виводами першого резистора, пасивної індуктивності, ємності, першою клемою джерела постійної напруги і першим...
Мікроелектронний пристрій для вимірювання теплової потужності
Номер патенту: 87585
Опубліковано: 27.07.2009
Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович, Барабан Сергій Володимирович, Ільченко Олена Миколаївна
Мітки: вимірювання, мікроелектронний, теплової, пристрій, потужності
Формула / Реферат:
Мікроелектронний пристрій для вимірювання теплової потужності, який містить польовий транзистор, пасивну індуктивність, конденсатор та перше і друге джерела напруги, який відрізняється тим, що на затвор польового транзистора напилено плівку піроелектрика і поглинач випромінювання, а в пристрій додатково введений біполярний транзистор з напиленими на базу плівкою піроелектрика і поглиначем випромінювання, причому затвор польового транзистора з...
Мікроелектронний пристрій для вимірювання температури з частотним виходом
Номер патенту: 62316
Опубліковано: 25.08.2011
Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович, Барабан Сергій Володимирович
МПК: G01K 7/00
Мітки: мікроелектронний, частотним, температури, виходом, пристрій, вимірювання
Формула / Реферат:
Мікроелектронний пристрій для вимірювання температури з частотним виходом, який містить термочутливий сегнетоелектричний конденсатор, який відрізняється тим, що введено біполярний транзистор, МДН-транзистор, перший та другий резистори, пасивну індуктивність, конденсатор, джерело постійної напруги, причому база біполярного транзистора з'єднана з першими виводами першого і другого резисторів, а другий вивід другого резистора з'єднаний зі...
Мікроелектронний пристрій для вимірювання температури
Номер патенту: 88814
Опубліковано: 25.11.2009
Автори: Ільченко Олена Миколаївна, Барабан Сергій Володимирович, Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович
МПК: G01K 7/00
Мітки: мікроелектронний, пристрій, температури, вимірювання
Формула / Реферат:
Мікроелектронний пристрій для вимірювання температури, що містить польовий транзистор, конденсатор, резистор та перше і друге джерела напруги, при цьому затвор польового транзистора з'єднаний з першим полюсом першого джерела напруги, який відрізняється тим, що на затвор польового транзистора напилено плівку піроелектрика і поглинач випромінювання, а в пристрій додатково введені біполярний транзистор з напиленими на базу плівкою піроелектрика...
Мікроелектронний пристрій для вимірювання температури з активним індуктивним піроелектричним елементом
Номер патенту: 41856
Опубліковано: 10.06.2009
Автори: Барабан Сергій Володимирович, Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович
МПК: G01K 7/00
Мітки: активним, температури, індуктивним, вимірювання, елементом, піроелектричним, мікроелектронний, пристрій
Формула / Реферат:
Мікроелектронний пристрій для вимірювання температури з активним індуктивним піроелектричним елементом, який містить польовий транзистор, конденсатор, резистор, перше і друге джерела напруги, загальну шину, який відрізняється тим, що на затвор польового транзистора напилено плівку піроелектрика і поглинач випромінювання, введено два біполярних транзистори з напиленими на базу плівкою піроелектрика і поглиначем випромінювання, другий...
Попередній патент: Спосіб переробки високотоксичних речовин та вилучення іонів міді(іі) з промивних вод електрохімічного мідніння
Наступний патент: Спосіб підвищення відтворювальних якостей племінних курей
Випадковий патент: Шків