Пелещишин Роман Іванович
Спосіб формування омічних контактів на поверхні сполук а 3 в 5
Номер патенту: 25452
Опубліковано: 30.10.1998
Автори: Кособуцький Петро Сидорович, Пелещишин Роман Іванович, Гаркавенко Олександр Семенович, Крочук Ананій Савович
МПК: H01L 21/268
Мітки: омічних, формування, спосіб, сполук, поверхні, контактів
Формула / Реферат:
Спосіб формування омічних контактів на поверхні сполук A3B5 шляхом напилення металевої плівки, лазерного відпалу і опромінення лазерним випромінюванням, який відрізняється тим, що перед напиленням металевої плівки область контакту опромінюють імпульсним лазерним випромінюванням з густиною потужності, достатньою для насичення поверхні напівпровідника атомами металевої компоненти кристалічної гратки.