H01L 21/268 — з використанням електромагнітного випромінювання, наприклад лазерного
Спосіб створення омічного контакту до inn
Номер патенту: 108190
Опубліковано: 11.07.2016
Автори: Бєляєв Олександр Євгенович, Шеремет Володимир Миколайович, Конакова Раїса Василівна, Кладько Василь Петрович, Сафрюк Надія Володимирівна, Сай Павло Олегович, Шинкаренко Володимир Вікторович, Саченко Анатолій Васильович, Виноградов Анатолій Олегович, Болтовець Микола Силович
МПК: H01L 21/268, H01L 29/45
Мітки: контакту, омічного, створення, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб створення омічного контакту до InN, який включає в себе магнетронне напилювання в єдиному технологічному циклі на очищену поверхню n-InN контактоутворюючого шару, товщиною 10÷200 нм, шару дифузійного бар'єру, товщиною 10÷200 нм, зовнішнього контактного шару Au, товщиною 500÷1000 нм, який відрізняється тим, що як дифузійний бар'єр використовують шар Ті, контактоутворюючий - шар Pd, a напилювання проводять на...
Спосіб виготовлення термостійких контактних систем метал-si
Номер патенту: 106825
Опубліковано: 10.05.2016
Автори: Атаубаєва Акумис Берисбаївна, Виноградов Анатолій Олегович, Коростинська Тамара Василівна, Бєляєв Олександр Євгенович, Конакова Раїса Василівна, Кудрик Ярослав Ярославович, Болтовець Микола Силович
МПК: H01L 29/00, H01L 21/268
Мітки: контактних, систем, метал-si, спосіб, виготовлення, термостійких
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення термостійких контактних систем метал-Si, який включає в себе очищення поверхні кремнієвої підкладки, магнетронне напилювання контактоутворюючого шару та шару дифузійного бар'єру ТіВ2, товщиною 60¸100 нм, і зовнішнього контактного шару на підігріту до 100¸150 °C підкладку Si, який відрізняється тим, що як контактоутворюючий шар наносять шар Ті, товщиною 10¸30 нм, та наносять додатковий шар...
Ненагрівний спосіб виготовлення омічного контакту до n+-кремнію
Номер патенту: 101023
Опубліковано: 25.08.2015
Автори: Конакова Раїса Василівна, Болтовець Микола Силович, Коростинська Тамара Василівна, Кудрик Ярослав Ярославович, Виноградов Анатолій Олегович, Атаубаєва Акумис Берисбаївна, Бєляєв Олександр Євгенович
МПК: H01L 21/268, H01L 21/314
Мітки: ненагрівний, омічного, спосіб, n+-кремнію, контакту, виготовлення
Формула / Реферат:
Ненагрівний спосіб виготовлення омічного контакту до n+-кремнію, який включає очищення поверхні пластини кремнію, напилення контактоутворюючого шару, зовнішнього контактного шару та мікрохвильову обробку контактної структури, який відрізняється тим, що попередньо підігрівають пластину n+-кремнію до 290-330 °C, як контактоутворюючий шар напилюють шар паладію товщиною 20-30 нм, а потім шар титану товщиною 50-55 нм і проводять ненагрівну...
Спосіб створення низькотемпературного омічного контакту до напівпровідників типу а3в5
Номер патенту: 97882
Опубліковано: 10.04.2015
Автори: Бєляєв Олександр Євгенович, Іванов Володимир Миколайович, Новицький Сергій Вадимович, Саченко Анатолій Васильович, Арсєнтьєв Іван Нікітовіч, Ткаченко Олександр Кирилович, Пилипчук Олександр Сергійович, Болтовець Микола Силович, Шеремет Володимир Миколайович, Конакова Раїса Василівна, Бобиль Алєксандр Васільєвіч
МПК: H01L 21/268
Мітки: контакту, створення, омічного, типу, напівпровідників, спосіб, а3в5, низькотемпературного
Формула / Реферат:
Спосіб створення низькотемпературного омічного контакту до напівпровідників типу А3В5, який включає очищення поверхні пластини напівпровідника і напилення на попередньо підігріту пластину двох контактоутворюючих шарів з шару металу і шару германію, потім шар дифузійного бар'єру тугоплавкої сполуки та зовнішній контактний шар, після чого отриману контактну структуру відпалюють в атмосфері суміші водню та азоту, який відрізняється тим, що як...
Спосіб створення омічних контактів до n-ain
Номер патенту: 94616
Опубліковано: 25.11.2014
Автори: Пантєлєєв Валєрій Ніколаєвіч, Капітанчук Леонід Мусійович, Конакова Раїса Василівна, Шеремет Володимир Миколайович, Болтовець Микола Силович, Саченко Анатолій Васильович, Жиляєв Юрій Васільєвіч, Бєляєв Олександр Євгенович, Коростинська Тамара Василівна, Сай Павло Олегович
МПК: H01L 21/268
Мітки: n-ain, омічних, контактів, спосіб, створення
Формула / Реферат:
Спосіб створення омічного контакту до n-A1N, який полягає в напиленні на поверхню напівпровідника шарів металу з подальшим термічним відпалом, який відрізняється тим, що на додатково підігріту до 300-400 °C поверхню n-A1N методом термовакуумного напилення наносять послідовні шари металів Pd-Ti-Pd-Au, а термічний відпал здійснюють при Т=850-950 °C тривалістю 30-60 с.
Спосіб виготовлення омічного контакту до n-si
Номер патенту: 91936
Опубліковано: 25.07.2014
Автори: Саченко Анатолій Васильович, Конакова Раїса Василівна, Пятліцкая Таццяна Владзіміравна, Шеремет Володимир Миколайович, Болтовець Микола Силович, Піліпєнка Владзімір Аляксандравіч, Виноградов Анатолій Олегович, Коростинська Тамара Василівна, Кудрик Ярослав Ярославович, Аніщик Віктар Міхайлавіч, Бєляєв Олександр Євгенович
МПК: H01L 21/268, H01L 21/00
Мітки: контакту, виготовлення, спосіб, омічного
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення омічного контакту до n-Si, що включає очищення поверхні пластини n-Si, легування фосфором приповерхневого n+-шару n-Si товщиною 150-200 нм до концентрації донорів в n+-шарі ~1-3·1020 см-3 і подальший нагрів n+-n-Si структури до 330-350 °C з одночасним послідовним напиленням шару паладію товщиною 30-35 нм і титану товщиною 50-55 нм, на який напилюють зовнішній контактний шар золота, який відрізняється тим, що легування...
Спосіб формування омічного контакту до n-si
Номер патенту: 87820
Опубліковано: 25.02.2014
Автори: Пятліцкая Таццяна Владзіміравна, Саченко Анатолій Васильович, Коростинська Тетяна Василівна, Шеремет Володимир Миколайович, Аніщик Віктар Міхайлавіч, Бєляєв Олександр Євгенович, Конакова Раїса Василівна, Виноградов Анатолій Олегович, Кудрик Ярослав Ярославович, Піліпєнка Владзімір Аляксандравіч, Болтовець Микола Силович
МПК: H01L 21/268
Мітки: формування, омічного, спосіб, контакту
Формула / Реферат:
Спосіб формування омічного контакту до n-Si, який включає очищення поверхні пластини кремнію і напилення на неї шару титану товщиною 50-55 нм, на який напилюють зовнішній контактній шар золота, який відрізняється тим, що спочатку приповерхневий шар товщиною 150-200 нм пластини кремнію додатково легують фосфором дифузійним методом до концентрації донорів ~1-3·1020 см-3, перед напиленням шару титану на пластину кремнію, попередньо нагріту до...
Спосіб створення омічного контакту до inp та gaas
Номер патенту: 83664
Опубліковано: 25.09.2013
Автори: Конакова Раїса Василівна, Бобиль Олександр Васильович, Саченко Анатолій Васильович, Іванов Володимир Миколайович, Бєляєв Олександр Євгенович, Новицький Сергій Вадимович, Кудрик Ярослав Ярославович
МПК: H01L 21/268
Мітки: створення, контакту, спосіб, омічного
Формула / Реферат:
Спосіб створення омічного контакту до ІnР та GaAs, який включає очищення пластини, на яку у вакуумі в одному технологічному циклі напилюють шари золота, германію, бориду або нітриду тугоплавкого металу та зовнішній контактний шар золота, після чого в інертній атмосфері проводять швидкий термічний відпал всієї структури, який відрізняється тим, що напилюють спочатку шар золота, а потім шар германію однакових товщин, сумарна товщина яких...
Спосіб формування омічного контакту до кремнію
Номер патенту: 78936
Опубліковано: 10.04.2013
Автори: Болтовець Микола Силович, Саченко Анатолій Васильович, Шеремет Володимир Миколайович, Бєляєв Олександр Євгенович, Новицький Сергій Вадимович, Кудрик Ярослав Ярославович, Конакова Раїса Василівна, Виноградов Анатолій Олегович
МПК: H01L 21/268
Мітки: омічного, контакту, формування, спосіб, кремнію
Формула / Реферат:
1. Спосіб формування омічного контакту до кремнію, який включає очищення поверхні пластини напівпровідника, підігрів пластини, напилення контактоутворюючого шару та зовнішнього контактного шару золота товщиною 100-110 нм, який відрізняється тим, що як контактоутворюючий шар наносять шар паладію товщиною 20-30 нм, а між шаром паладію та золота додатково напилюють шар титану товщиною 50-55 нм, при цьому напилення металів здійснюють на...
Спосіб лазерно-індукованого формування впорядкованих острівцевих нанорозмірних структур на поверхні монокристалів cdte
Номер патенту: 73662
Опубліковано: 10.10.2012
Автори: Бойко Микола Іванович, Байдулаєва Алія, Власенко Олександр Іванович
МПК: B82B 3/00, H01L 21/268
Мітки: острівцевих, монокристалів, впорядкованих, поверхні, лазерно-індукованого, спосіб, формування, нанорозмірних, структур
Формула / Реферат:
Спосіб формування впорядкованих острівцевих наноструктур на поверхні монокристалів CdTe, який ґрунтується на ефекті самоорганізації, при одноразовому опроміненні імпульсами рубінового лазера (λ=694 нм) тривалістю =2.10-8с, при нормальному падінні променя на поверхню кристала, який відрізняється тим, що опромінення здійснюють з густиною потужності імпульсу I, величина...
Пристрій формування наноелектронних структур
Номер патенту: 98849
Опубліковано: 25.06.2012
Автори: Ходаковський Микола Іванович, Золот Анатолій Іванович, Мержвинський Павло Анатолійович
МПК: H01L 21/268
Мітки: формування, пристрій, структур, наноелектронних
Формула / Реферат:
Пристрій формування наноелектронних структур, який містить блок лазерної системи, оптично зв'язаний через блок оптоволоконного вістря, зразок та діафрагму з фотоприймачем, вихід якого зв'язаний з входом блока оптоволоконного вістря, перші вхід та вихід останнього зв'язані з відповідним входом та виходом блока вибору режимів роботи, другий вхід-вихід якого зв'язаний з входом-виходом фотоприймача, третій вхід блока вибору режимів роботи є...
Спосіб одержання епітаксійних шарів
Номер патенту: 96837
Опубліковано: 12.12.2011
Автори: Писаревський Володимир Костянтинович, Кавич Володимир Йосипович, Морозов Леонід Михайлович
МПК: B23K 26/06, C23C 14/24, C23C 16/00 ...
Мітки: епітаксійних, одержання, спосіб, шарів
Формула / Реферат:
1. Спосіб одержання епітаксійних шарів, в якому підігрівають підкладку та мішень, випаровують матеріал мішені, транспортують пару та конденсують на підкладку у вакуумній камері, який відрізняється тим, що попередньо підготовлені підкладку та мішень розміщують на відстані 50±5 мм у вакуумній камері з тиском 10-5-10-7 Па, після чого підкладку підігрівають до температури 180-250 °С зовнішнім нагрівачем, а мішень нагрівають імпульсним лазерним...
Спосіб лазерно-індукованого формування острівцевих нанорозмірних структур на поверхні монокристалів cdte
Номер патенту: 61730
Опубліковано: 25.07.2011
Автори: Власенко Олександр Іванович, Байдулаєва Алія, Бойко Микола Іванович
МПК: H01L 21/268, B82B 3/00
Мітки: формування, структур, поверхні, лазерно-індукованого, монокристалів, нанорозмірних, острівцевих, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб формування острівцевих наноструктур на поверхні монокристалів CdTe імпульсами рубінового лазера (λ= 694 нм) тривалістю τ = 2·10-8с, при нормальному падінні променя на поверхню кристала який відрізняється тим, що опромінення здійснюють одиночним імпульсом з густиною потужності імпульсу I, величина якої лежить в межах 4 МВ т/см2< I< 8 МВ т/см2.
Спосіб створення омічних контактів до широкозонних напівпровідників
Номер патенту: 61621
Опубліковано: 25.07.2011
Автори: Бєляєв Олександр Євгенович, Новицький Сергій Вадимович, Кудрик Ярослав Ярославович, Болтовець Микола Силович, Шеремет Володимир Миколайович, Мілєнін Віктор Володимирович, Конакова Раїса Василівна
МПК: H01L 21/268
Мітки: спосіб, омічних, напівпровідників, створення, широкозонних, контактів
Формула / Реферат:
Спосіб створення омічних контактів до широкозонних напівпровідників з густиною структурних дефектів >105 см-2, який включає напилення на поверхню напівпровідника контактоутворюючого шару, в ролі якого виступає метал з роботою виходу, меншою ніж в напівпровіднику, створення дифузійного бар'єра шляхом напилення тугоплавких металів або їх сполук, напилення шару золота і проведення НВЧ обробки з частотою опромінення 2,45 ГГц, який...
Пристрій формування наноелектронних структур
Номер патенту: 58422
Опубліковано: 11.04.2011
Автори: Мержвинський Павло Анатолійович, Ходаковський Микола Іванович, Золот Анатолій Іванович
МПК: H01L 21/268
Мітки: структур, формування, наноелектронних, пристрій
Формула / Реферат:
Пристрій формування наноелектронних структур, що містить блок лазерної системи, оптично зв'язаний через блок оптоволоконного вістря, зразок та діафрагму з фотоприймачем, вихід якого зв'язаний з входом блока оптоволоконного вістря, вхід та вихід якого зв'язаний з відповідним входом та виходом блока вибору режимів роботи, другий вхід-вихід якого зв'язаний з входом-виходом фотоприймача, третій вхід є входом пристрою, який відрізняється тим, що...
Спосіб одержання фотолюмінесцентної плівки з германієвими квантовими точками
Номер патенту: 19622
Опубліковано: 15.12.2006
Автори: Бєгун Євгенія Валеріївна, Каганович Елла Борисівна, Свєчніков Сергій Васильович, Манойлов Едуард Геннадійович
МПК: H01L 21/203, H01L 21/268
Мітки: квантовими, спосіб, одержання, фотолюмінесцентної, точками, германієвими, плівки
Формула / Реферат:
Спосіб одержання фотолюмінесцентної плівки з германієвими квантовими точками імпульсним лазерним осадженням зворотного потоку частинок ерозійного факела на підкладку, що розташована в площині мішені, який відрізняється тим, що використовують мішень з германію, що містить 1-2 % по площині поверхні алюмінію, підкладку встановлюють на відстані 2-15 мм від осі ерозійного факела в вакуумній камері з тиском аргону 13-100 Па та діють...
Спосіб одержання фотолюмінесцентної плівки з кремнієвими квантовими точками
Номер патенту: 19621
Опубліковано: 15.12.2006
Автори: Свєчніков Сергій Васильович, Каганович Елла Борисівна, Бєгун Євгенія Валеріївна, Манойлов Едуард Геннадійович
МПК: H01L 21/203, H01L 21/268
Мітки: кремнієвими, фотолюмінесцентної, квантовими, одержання, плівки, спосіб, точками
Формула / Реферат:
Спосіб одержання фотолюмінесцентної плівки з кремнієвими квантовими точками, що включає формування Аl2О3 плівки з Si нанокристалами імпульсним лазерним осадженням з прямого потоку частинок ерозійного факела при дії променем IAГ:Nd3+ лазера на мішень, що містить Si, та активацію фотолюмінесценції, який відрізняється тим, що формування Аl2О3 плівки з Si нанокристалами та активацію фотолюмінесценції проводять одностадійно осадженням на кремнієву...
Спосіб одержання фотолюмінісцентної плівки з германієвими квантовими точками
Номер патенту: 18609
Опубліковано: 15.11.2006
Автори: Каганович Елла Борисівна, Бєгун Євгенія Валеріївна, Манойлов Едуард Геннадійович, Свєчніков Сергій Васильович
МПК: H01L 21/268, H01L 21/203
Мітки: фотолюмінісцентної, точками, одержання, плівки, спосіб, квантовими, германієвими
Формула / Реферат:
Спосіб одержання фотолюмінісцентної плівки з германієвими квантовими точками, що включає формування GeO2 плівки з германієвими нанокристалами імпульсним лазерним осадженням зі зворотного потоку частинок ерозійного факела на підкладку, що розташована в площині мішені, який відрізняється тим, що підкладку встановлюють на відстані в 2-15 мм від осі ерозійного факела та діють променем IAГ:Nd3+ лазера з довжиною хвилі 1,06 мкм, густиною енергії...
Спосіб одержання фотолюмінісцентної плівки з кремнієвими квантовими точками
Номер патенту: 15063
Опубліковано: 15.06.2006
Автори: Свєчніков Сергій Васильович, Пантелус Євгенія Валеріївна, Манойлов Едуард Геннадійович, Каганович Елла Борисівна
МПК: H01L 21/203, H01L 21/268
Мітки: точками, одержання, плівки, квантовими, кремнієвими, спосіб, фотолюмінісцентної
Формула / Реферат:
Спосіб одержання фотолюмінісцентної плівки з кремнієвими квантовими точками, що включає формування SiO2 плівки з кремнієвими нанокристалами на підкладку, впровадження вуглецю в плівку та активацію фотолюмінісценції, який відрізняється тим, що формування SiO2 плівки з кремнієвими нанокристалами, впровадження вуглецю в плівку та активацію фотолюмінісценції проводять одностадійно методом імпульсного лазерного осадження шляхом опромінення...
Спосіб формування фотолюмінесцентної плівки пористого кремнію
Номер патенту: 50353
Опубліковано: 15.10.2002
Автори: Свєчніков Сергій Васильович, Кізяк Ірина Миронівна, Каганович Елла Борисівна, Манойлов Едуард Геннадійович, Примаченко Віктор Євгенович
МПК: H01L 21/268, H01L 21/203
Мітки: фотолюмінесцентної, пористого, плівки, спосіб, кремнію, формування
Формула / Реферат:
Спосіб формування фотолюмінесцентної плівки пористого кремнію, що включає лазерну абляцію кремнієвої мішені в атмосфері інертного газу, осадження плівки із зворотного потоку часток ерозійного факела на розташовану в площині мішені підкладку та пасивацію внутрішньої поверхні плівки, який відрізняється тим, що абляцію здійснюють променем лазера ІAГ:Nd3+ з довжиною хвилі 1,06 мкм, густиною енергії імпульсу 15-30 Дж/см2, його тривалістю 8-12 нс...
Спосіб формування фотолюмінесцентної плівки нанокристалічного кремнію
Номер патенту: 50352
Опубліковано: 15.10.2002
Автори: Кізяк Ірина Миронівна, Примаченко Віктор Євгенович, Каганович Елла Борисівна, Свєчніков Сергій Васильович, Манойлов Едуард Геннадійович
МПК: H01L 21/203, H01L 21/268
Мітки: формування, плівки, спосіб, фотолюмінесцентної, нанокристалічного, кремнію
Формула / Реферат:
Спосіб формування фотолюмінесцентної плівки нанокристалічного кремнію, що включає абляцію лазером ІAГ : Nd3+ кремнієвої мішені в атмосфері аргону, осадження плівки із прямого потоку часток ерозійного факела на підкладку, розташовану на відстані від мішені по нормалі від неї, та активацію фотолюмінесценції, який відрізняється тим, що проводять лазерну абляцію променем довжиною хвилі 1,06 мкм, густиною енергії 15 - 30 Дж/см2, частотою імпульсів...
Спосіб формування омічних контактів на поверхні сполук а 3 в 5
Номер патенту: 25452
Опубліковано: 30.10.1998
Автори: Кособуцький Петро Сидорович, Гаркавенко Олександр Семенович, Пелещишин Роман Іванович, Крочук Ананій Савович
МПК: H01L 21/268
Мітки: контактів, формування, спосіб, сполук, омічних, поверхні
Формула / Реферат:
Спосіб формування омічних контактів на поверхні сполук A3B5 шляхом напилення металевої плівки, лазерного відпалу і опромінення лазерним випромінюванням, який відрізняється тим, що перед напиленням металевої плівки область контакту опромінюють імпульсним лазерним випромінюванням з густиною потужності, достатньою для насичення поверхні напівпровідника атомами металевої компоненти кристалічної гратки.
Спосіб створення р-n переходів у кремнії
Номер патенту: 15690
Опубліковано: 30.06.1997
Автори: Клембек Сергій Петрович, Антонова Валентина Антонівна, Герасімов Алєксєй Борісовіч, Філіпченко Ірина Миколаївна, Старков Володимир Євгенович
МПК: H01L 21/268
Мітки: спосіб, створення, переходів, кремнії
Формула / Реферат:
(57) Способ создания р-n переходов в кремнии, включающий введение примеси с планарной стороны пластины и диффузионную разгонку примеси импульсным некогерентным излучением с длиной волны из области собственного поглощения кремния в течение времени, необходимого для получения р-n перехода заданной глубины залегания, отличающийся тем, что разгонку осуществляют облучением пластины с непланарной стороны излучением с плотностью мощности не менее 20...
Спосіб обробки напівпровідникових матеріалів
Номер патенту: 13397
Опубліковано: 28.02.1997
Автори: Скляревич Владислав Юхимович, Шевелев Михайло Володимирович, Гурошев Вячеслав Іванович, Буненко Андрій Іванович
МПК: H01L 21/268
Мітки: обробки, спосіб, напівпровідникових, матеріалів
Формула / Реферат:
1. Способ обработки полупроводниковых материалов, состоящий в том, что на поверхности или в объеме этого материала создают атомы (ионы) примеси, а затем облучают указанные материалы электромагнитным излучением, отличающийся тем, что облучение осуществляют электроманитным излучением с частотой, равной резонансной частоте собственных колебаний атомов (ионов) примеси в материале полупроводника в диапазоне частот 30-150 Ггц, причем...