Спосіб формування омічних контактів на поверхні сполук а 3 в 5

Винахід стосується області мікроелектроніки, а саме методів лазерної обробки поверхні напівпровідникових сполук A3B5 і може бути використаний в те хнології виготовлення омічних контактів напівпровідникових пристроїв. У способі (Авт. св. СРСР №1545847, кл. H01L21/268, 18.03.88) формування омічних контактів на поверхні арсеніду галію (GaAs) наносять епітаксіальний шар GaAs з достатньою концентрацією домішок, потім напилюють шар Au-Ge з подальшим напиленням плівки Au. Отриманий контакт відпалюють лазерним опроміненням. Недоліком такого способу е складна технологія за рахунок напилення декількох шарів, до структури яких пред'являють високі вимоги. Спосіб (Авт. св. СРСР №1505335, кл. H01L21/268, 22.09.87) виготовлення омічних контактів на напівпровідникових підложках включає напилення металевої плівки з дальнішим її відпалом лазерним опроміненням у вуглецевомісткій рідині. Недоліком цього способу є погіршення адгезійних властивостей контакту за рахунок дифузії атомів вуглецю в контактну область "метал - напівпровідник". Найбільш близьким за технічною суттю є спосіб (Авт. св. СРСР №1498306, кл. H01L21/268, 09.03.87) виготовлення омічних контактів на поверхні напівпровідників шляхом напилення металевої плівки і дальнішого її відпалу лазерним опроміненням з використанням імпульсного лазера з довжиною хвилі l = 1,06мкм. Одночасно область контакту опромінюють неперервним лазерним випромінюванням з довжиною хвилі l = 0,63мкм. Недоліком цього способу є погіршення адгезійних та омічних характеристик контакту за рахунок одночасного використання двох лазерів, що приводить до явища фотодесорбції, крім того ускладнення технології за рахунок використання двох різнотипних лазерів. В основу винаходу покладено завдання створити такий спосіб формування омічних контактів на поверхні сполук A3B5 , який приведе до покращення адгезійних і омічних властивостей контакту з одночасним спрощенням технології. Цей технічний результат досягається тим, що в способі формування омічних контактів на поверхні сполук A3B5 шля хом напилення металевої плівки, лазерного відпалу і опромінення лазерним випромінюванням згідно з винаходом перед напиленням металевої плівки область контакту опромінюють імпульсним лазерним випромінюванням з густиною потужності, достатньою для насичення поверхні напівпровідника атомами металевої компоненти кристалічної гратки. Дія лазерного випромінювання з густиною потужності значно меншою, ніж порогова, має тепловий і поверхневий характер. При потужності більшій, ніж порогова, напівпровідникова структура руйнується. Внаслідок попередньої лазерної дії на поверхні напівпровідникових сполук відбувається явище сублімації неметалевої компоненти і збагачення її атомами металу. Це приводить до металізації поверхні. На кресленні (фіг.) показаний графік концентраційного розподілу галію і фосфору на поверхні напівпровідника, де 1 - опромінені ділянки, 2 - неопромінені ділянки. Відомості, які підтверджують можливість здійснення винаходу, полягають в слідуючому. Поверхню кристалу GaP опромінюють лазерним імпульсним випромінюванням з довжиною хвилі l = 1,06мкм; густиною потужності P = 1 - 3МВт/см 2. Потім на дану область напилюють Au плівку і дану область формують шля хом відпалу лазерним опроміненням. При цьому використовують лазер, що й для попередньої дії. Як видно із фіг., внаслідок попередньої лазерної дії на поверхні напівпровідника значно зменшилась концентрація атомів фосфору, завдяки чому поверхня збагатилася атомами галію, що приводить до покращення адгезійних властивостей контакту. Створений таким чином контакт мав опір 1,1 × 10-3 - 8,0 × 10-4Ом/см 2. Вимірювання ефективного коефіцієнту випрямлення змінного струму дало значення kеф » 0, що підтверджує високу омічність отриманих контактів.