Салюк Ольга Юріївна

Номер патенту: 43932

Опубліковано: 15.01.2002

Автори: Малютенко Володимир Костянтинович, Борисов Віталій Олексійович, Крестинін Сергій Миколайович, Салюк Ольга Юріївна, Болгов Сергій Семенович

МПК: G01M 11/02

Мітки: роздільної, пристрій, здатності, іч-ділянки, оптико-електронних, спектру, визначення, приладів

Текст:

Номер патенту: 43933

Опубліковано: 15.01.2002

Автори: Малютенко Володимир Костянтинович, Крестинін Сергій Миколайович, Борисов Віталій Олексійович, Салюк Ольга Юріївна, Болгов Сергій Семенович

МПК: G01J 5/10

Мітки: іч-ділянки, визначення, спектру, оптико-електронних, здатності, роздільної, пристрій, приладів

Текст:

Номер патенту: 43936

Опубліковано: 15.01.2002

Автори: Болгов Сергій Семенович, Малютенко Володимир Костянтинович, Салюк Ольга Юріївна

МПК: G01M 11/02

Мітки: визначення, іч-ділянки, спектру, здатності, пристрій, роздільної, приладів, оптико-електронних

Текст:

Номер патенту: 29573

Опубліковано: 15.11.2000

Автори: Малютенко Володимир Костянтинович, Болгов Сергій Семенович, Салюк Ольга Юріївна, Лісовенко Валентин Дмитрович, Арутюнов Олександр Сергійович

МПК: H01J 31/00

Мітки: базі, імітатор, трубки, засіб, формування, зображення, електронно-променевої

Текст:

...Рассмотрим систему, состоящую из полупроводника (0 ^ х d). В области х < 0 находится вакуум. Интенсивность теплового излучения с поверхности х = 0 во все углы полусфере с учетом малости угла полного внутреннего отражения на границе раздела полупроводник-вакуум определяется выражением: Р = (1 - R) J (Т) + R J (Тф). где R - эффективный коэффициент отражения системы полупроводник-непрозрачная подложка при нормальном падении, J -...

Номер патенту: 27212

Опубліковано: 15.08.2000

Автори: Свєчніков Сергій Васильович, Болгов Сергій Семенович, Салюк Ольга Юріївна, Малютенко Володимир Костянтинович

Мітки: здатності, роздільної, спектра, оптико-електронних, визначення, пристрій, іч-ділянки, приладів

Текст:

...25 на миллиметр, Контраст ИК-изображения определяаодого излучения оптически тонкого ется амплитудой лазерного импульса. полупроводника при изменении конОн легко изменяется в широких предецентрации носителей, если температулах, но при данной амплитуде лазерра окружающего фона ниже температуры 3D ного импульса является величиной посполупроводника. тоянной , , ' Плотность излучения оптически тонкоп (oid«l) пластины определяется Так как устройство...

Номер патенту: 11815

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Піпа Віктор Йосипович, Малютенко Володимир Коснтянтинович, Салюк Ольга Юріївна, Болгов Сергій Семенович

МПК: G01M 11/00, G01J 5/10

Мітки: оптико-електронних, визначення, пристрій, роздільної, приладів, іч-області, спектра, здатності

Формула / Реферат:

Устройство для определения разрешающей способности оптико-электронных приборов ИК-области спектра, содержащее размещенную на на­гревателе полупроводниковую пластину с расположенными на пей непрозрачными элементами миры, снабженную двумя электрическими контактами, отличающееся тем, что, с целью по­вышения однородности контраста по всем диапазо­не его изменения, полупроводниковая пластина имеет толщинуплощадь ее из­лучающей грани...

Номер патенту: 9819

Опубліковано: 30.09.1996

Автори: Салюк Ольга Юріївна, Яблоновський Євгеній Іванович, Морозов Владімір Алєксєєвіч, Константінов Вячєслав Міхайловіч, Ігумєнов Валєрій Тімофєєвіч, Болгов Сергій Семенович

МПК: H01L 33/00

Мітки: напівпровідниковий, інфрачервоний, випромінювач

Формула / Реферат:

(57) Инфракрасный полупроводниковый излучатель на основе гетероэпитаксиальной структуры, с омическими контактами к узкозонному слою, помещенной в магнитное поле, параллельное слоям гетероструктуры, причем толщина узкозонного слоя не менее диффузионной длины неосновных носителей заряда, отличающийся тем, что на поверхности узкозонного слоя, свободной от омических контактов, дополнительно размещен прозрачный автоэпитаксиэльный слой с...