Малютенко Володимир Костянтинович

Номер патенту: 104518

Опубліковано: 10.02.2016

Автори: Кирюша Олексій Іванович, Малютенко Володимир Костянтинович, Сологуб Владислав Вікторович, Тесленко Галина Іванівна

МПК: H01L 33/00, G01R 31/26

Мітки: електричної, ефективності, вимірювання, світлодіода, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання електричної ефективності світлодіода , який включає прикладання до світлодіода електричної напруги  в прямому напрямку, вимірювання вольт-амперної характеристики, який відрізняється тим, що напругу прикладають в імпульсному режимі, тривалість і частоту імпульсу підбирають шляхом їх...

Номер патенту: 78989

Опубліковано: 10.04.2013

Автори: Богатиренко Вячеслав Валерійович, Нікірін Віктор Андрійович, Малютенко Володимир Костянтинович, Гамов Дмитро Вікторович, Мельник Віктор Павлович, Малютенко Олег Юрійович, Кирюша Олексій Іванович, Хацевич Ігор Мирославович

МПК: G01R 31/308, G01N 21/00

Мітки: виявлення, безконтактного, напівпровідниковому, областей, легованих, матеріали, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб безконтактного виявлення легованих областей в напівпровідниковому матеріалі, що включає визначення розподілу концентрації вільних носіїв заряду по поверхні зразка, який відрізняється тим, що зразок нагрівають до температури 50-200 °С і з допомогою тепловізійної камери реєструють розподіл по поверхні зразка густини потоку теплового інфрачервоного випромінювання в області за краєм фундаментального поглинання даного напівпровідника, який...

Номер патенту: 31100

Опубліковано: 25.03.2008

Автори: Болгов Сергій Семенович, Малютенко Володимир Костянтинович, Манойлов Едуард Геннадійович, Бєгун Євгенія Валеріївна, Каганович Елла Борисівна

МПК: H01L 31/14

Мітки: інфрачервоних, формування, двовимірних, динамічних, пристрій, зображень

Формула / Реферат:

1. Пристрій для формування динамічних двовимірних інфрачервоних зображень, що містить проектор оптичного випромінювання і перетворюючий екран, виконаний у вигляді пластини з напівпровідникового матеріалу, ширина забороненої зони якого менша за енергію кванта оптичного випромінювання, розташований на оптичній осі проектора оптичного випромінювання, пристрій для підтримання робочої температури перетворюючого екрана, який відрізняється тим, що...

Номер патенту: 25457

Опубліковано: 10.08.2007

Автори: Малютенко Володимир Костянтинович, Коганович Елла Борисівна, Кізяк Ірина Миронівна, Чирчик Сергій Васильович, Манойлов Едуард Геннадійович, Бєгун Євгенія Валеріївна

МПК: H01L 21/02

Мітки: поверхні, спосіб, пасивації, монокристалічного, кремнію

Формула / Реферат:

Спосіб пасивації поверхні монокристалічного кремнію, що включає вилучення природного оксиду кремнію з його поверхні, нанесення оксидної плівки та активацію межі її розподілу з кремнієм, який відрізняється тим, що природний оксид кремнію видаляють травленням поверхні кремнію в 25-50 % HF розчині протягом 3-10 хвилин при кімнатній температурі, нанесення оксидної плівки та активацію межі її розподілу з кремнієм проводять одностадійно...

Номер патенту: 23623

Опубліковано: 11.06.2007

Автори: Богатиренко Вячеслав Валерійович, Малютенко Володимир Костянтинович

МПК: G02F 3/00, G02F 1/00

Мітки: транзистор, оптичний

Формула / Реферат:

1. Оптичний транзистор, що містить джерело короткохвильового оптичного випромінювання, яке опромінює напівпровідниковий елемент, виготовлений з матеріалу із шириною забороненої зони, меншою за енергію кванта цього випромінювання, який відрізняється тим, що додатково введено пристрій для нагрівання напівпровідникового елемента, причому робоча температура елемента, форма і розміри елемента, коефіцієнти відбивання випромінювання від поверхні...

Номер патенту: 15589

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Малютенко Володимир Костянтинович, Чирчик Сергій Васильович

МПК: G01N 27/00

Мітки: безконтактний, параметрів, рекомбінаційних, спосіб, напівпровідниках, визначення

Формула / Реферат:

1. Безконтактний спосіб визначення рекомбінаційних параметрів в напівпровідниках, що включає нагрівання напівпровідника до температури, вищої за температуру навколишнього середовища, підтримують цю температуру сталою, опромінюють поверхню нагрітого напівпровідника монохроматичним світлом, для якого добуток коефіцієнта поглинання на дифузійну довжину носіїв заряду та добуток коефіцієнта поглинання на товщину напівпровідникового зразка набагато...

Номер патенту: 72012

Опубліковано: 17.01.2005

Автори: Малютенко Володимир Костянтинович, Богатиренко Вячеслав Валерійович, Снайдер Р. Доналд, Михайловська Катерина Василівна, Малютенко Олег Юрійович

МПК: G01J 1/00

Мітки: тепловим, керованим, контрастом, спосіб, сцен, імітування, інфрачервоних

Формула / Реферат:

1. Спосіб імітування інфрачервоних ІЧ сцен з керованим тепловим контрастом, за яким на підкладку наносять шар речовини, локально діють на цей шар, причому області, які зазнали згаданої дії, геометрично подібні до заданих зображень елементів сцени, який відрізняється тим, що як підкладку використовують пластину з напівпровідникового матеріалу, як речовину згаданого шару використовують метал з заданою випромінювальною здатністю в ІЧ області...

Номер патенту: 70973

Опубліковано: 15.11.2004

Автори: Борблик Віталій Леонідович, Вайнберг Віктор Володимирович, Малютенко Володимир Костянтинович

МПК: H01L 31/14

Мітки: електромагнітних, потужних, візуалізації, поперечного, полів, розподілу, пристрій, імпульсних, інтенсивності

Формула / Реферат:

1. Пристрій для візуалізації поперечного розподілу інтенсивності потужних імпульсних електромагнітних полів, який містить перетворюючий елемент, на який діє електромагнітне поле, та приймальну камеру інфрачервоного випромінювання, розміщену позаду нього, який відрізняється тим, що перетворюючий елемент виконано у вигляді пластини з напівпровідникового матеріалу з власною провідністю, ширина забороненої зони якого більша за енергію кванта...

Номер патенту: 68375

Опубліковано: 16.08.2004

Автори: Мурер Роберт Л., Кірчер Джеймс Р., Малютенко Володимир Костянтинович, Богатиренко Вячеслав Валерійович, Малютенко Олег Юрійович

МПК: G01J 1/00, H01L 31/14

Мітки: формування, інфрачервоних, зображень, двовимірних, динамічних, пристрій

Формула / Реферат:

1. Пристрій для формування динамічних двовимірних інфрачервоних зображень, що містить проектор оптичного випромінювання і перетворюючий екран, розташований на оптичній осі проектора оптичного випромінювання який відрізняється тим, що перетворюючий екран виконано у вигляді пластини з напівпровідникового матеріалу, ширина забороненої зони якого менша за енергію кванта оптичного випромінювання, і додатково введено пристрій для підтримання...

Номер патенту: 55342

Опубліковано: 17.03.2003

Автори: Яблонівській Євгеній Іванович, Болгов Сергій Семенович, Малютенко Володимир Костянтинович

МПК: H01L 21/66

Мітки: з'єднань, напівпровідникових, складних, складу, спосіб, контролю

Формула / Реферат:

Способ контроля состава сложных полупроводниковых соединений, включающий возбуждение люминесценции в полупроводниковой пластине, регистрацию люминесценции, измерение температуры пластины и определение состава, отличающийся тем, что, с целью повышения точности контроля для узкозонных соединений при упрощении способа, возбуждение полупроводниковой пластины производят путем помещения ее в скрещенные электрическое и магнитное поля, вектора...

Номер патенту: 50004

Опубліковано: 15.10.2002

Автори: Савченко Ганна Павлівна, Малютенко Володимир Костянтинович, Піпа Віктор Іванович, Плашенков Рудольф Іванович, Болгов Сергій Семенович, Вірста Володимір Миколаєвич

МПК: H01L 51/50, H01L 27/28, H01L 33/00 ...

Мітки: випромінювання, електромагнітного, джерело

Формула / Реферат:

Источник электромагнитного излучения, содержащий магнит, оптический фильтр и прямоугольную полупроводниковую пластину с биполярной проводи|мостью, снабженную электрическими контактами на двух противоположных боковых гранях, противоположные широкие грани которой выполнены с различающимися не менее чем на порядок скоростями поверхностной рекомбинации, и расположенную между полюсами магнита так, чтобы магнитное поле было направлено...

Номер патенту: 43934

Опубліковано: 15.01.2002

Автори: Яблонівській Євгеній Іванович, Болгов Сергій Семенович, Малютенко Володимир Костянтинович

МПК: G01K 11/00

Мітки: датчик, температури

Текст:

Номер патенту: 43932

Опубліковано: 15.01.2002

Автори: Малютенко Володимир Костянтинович, Борисов Віталій Олексійович, Болгов Сергій Семенович, Салюк Ольга Юріївна, Крестинін Сергій Миколайович

МПК: G01M 11/02

Мітки: здатності, приладів, іч-ділянки, пристрій, оптико-електронних, роздільної, спектру, визначення

Текст:

Номер патенту: 43933

Опубліковано: 15.01.2002

Автори: Борисов Віталій Олексійович, Малютенко Володимир Костянтинович, Крестинін Сергій Миколайович, Болгов Сергій Семенович, Салюк Ольга Юріївна

МПК: G01J 5/10

Мітки: приладів, пристрій, іч-ділянки, спектру, здатності, визначення, роздільної, оптико-електронних

Текст:

Номер патенту: 43937

Опубліковано: 15.01.2002

Автори: Малютенко Володимир Костянтинович, Арутюнов Олександр Сергійович, Ергаков Валерій Костянтинович, Болгов Сергій Семенович, Піпа Віктор Йосипович, Елізаров Анатолій Іванович, Савченко Ганна Павлівна

МПК: H01L 33/00

Мітки: електромагнітного, випромінювання, джерело

Текст:

Номер патенту: 43935

Опубліковано: 15.01.2002

Автори: Глушков Євгеній Олександрович, Омеляновській Еразм Михайлович, Мороженко Василій Олександрович, Болгов Сергій Семенович, Малютенко Володимир Костянтинович, Морозов Володимир Олексійович

МПК: H01L 21/66

Мітки: однорідності, контролю, спосіб, напівпровідників

Формула / Реферат:

Формула изобретения1. Способ контроля однородности полупроводников, включающий изготовление пластины полупроводника толщиной 1, определяемой соотношением a×1<<1, где a - коэффициент поглощения излучения на свободных носителях заряда, отличающийся тем, что, с целью повышения экспрессности при сохранении высокой точности, пластину нагревают до температуры выше фоновой, регистрируют тепловое изображение образца и по...

Номер патенту: 43936

Опубліковано: 15.01.2002

Автори: Салюк Ольга Юріївна, Болгов Сергій Семенович, Малютенко Володимир Костянтинович

МПК: G01M 11/02

Мітки: спектру, здатності, приладів, роздільної, визначення, іч-ділянки, пристрій, оптико-електронних

Текст:

Номер патенту: 29573

Опубліковано: 15.11.2000

Автори: Малютенко Володимир Костянтинович, Салюк Ольга Юріївна, Арутюнов Олександр Сергійович, Лісовенко Валентин Дмитрович, Болгов Сергій Семенович

МПК: H01J 31/00

Мітки: зображення, базі, імітатор, засіб, трубки, формування, електронно-променевої

Текст:

...Рассмотрим систему, состоящую из полупроводника (0 ^ х d). В области х < 0 находится вакуум. Интенсивность теплового излучения с поверхности х = 0 во все углы полусфере с учетом малости угла полного внутреннего отражения на границе раздела полупроводник-вакуум определяется выражением: Р = (1 - R) J (Т) + R J (Тф). где R - эффективный коэффициент отражения системы полупроводник-непрозрачная подложка при нормальном падении, J -...

Номер патенту: 29571

Опубліковано: 15.11.2000

Автори: Малютенко Володимир Костянтинович, Болгов Сергій Семенович, Савченко Ганна Павлівна

МПК: H01L 21/66

Мітки: напівпровідникової, засіб, пластини, контролю, однорідності

Текст:

...20 ра. На пути оптического пучка у с т а навливают коротковолновый фильтр и з лучения. Регулировка длинноволнового края поглощения достигается путем 25 его перемещения в направлении, перпендикулярном оптической оси линзовой системы. Фильтр имеет метки, п о казывающие ДЛИННОЕОЛНОВЬЕЙ край поглощения в данной точке фильтра. По этим меткам можно судить -о длине волны, 30 соответствующей границе фильтрации 7чгр на уровне оптической оси линзовой...

Номер патенту: 27212

Опубліковано: 15.08.2000

Автори: Болгов Сергій Семенович, Салюк Ольга Юріївна, Малютенко Володимир Костянтинович, Свєчніков Сергій Васильович

Мітки: роздільної, оптико-електронних, пристрій, спектра, здатності, іч-ділянки, приладів, визначення

Текст:

...25 на миллиметр, Контраст ИК-изображения определяаодого излучения оптически тонкого ется амплитудой лазерного импульса. полупроводника при изменении конОн легко изменяется в широких предецентрации носителей, если температулах, но при данной амплитуде лазерра окружающего фона ниже температуры 3D ного импульса является величиной посполупроводника. тоянной , , ' Плотность излучения оптически тонкоп (oid«l) пластины определяется Так как устройство...

Номер патенту: 27213

Опубліковано: 15.08.2000

Автори: Малютенко Володимир Костянтинович, Болгов Сергій Семенович, Гуга Костянтин Юрійович, Савченко Ганна Павлівна

Мітки: електромагнітного, джерело, випромінювання

Номер патенту: 27211

Опубліковано: 15.08.2000

Автори: Коллюх Олексій Галактионович, Малютенко Володимир Костянтинович, Болгов Сергій Семенович

Мітки: електромагнітного, джерело, випромінювання

Номер патенту: 15509

Опубліковано: 30.06.1997

Автори: Малютенко Володимир Костянтинович, Рибак Александр Михайлович, Гуга Костянтин Юрійович

МПК: H01L 27/14

Мітки: збудження, спосіб, випромінювання, інфрачервоного

Текст:

...и у поверхности грани 5 (Пху.хх - Псу.хх *0) А"* данного полупроводуменьшается, а у поверхности 4 остается никового материала была максимальной и неизменной из-за их быстрой безызлучане равной нулю. Следует отметить, что знательной рекомбинации. В силу принципа чения компонент тензора пьезосопротивлеэлектронейтральности электроны и дырки 55 ния известны для всех, используемых в движутся парами, поэтому уменьшение обънастоящее время...

Номер патенту: 9821

Опубліковано: 30.09.1996

Автори: Мороженко Василь Олександрович, Ліптуга Анатолій Іванович, Малютенко Володимир Костянтинович

МПК: H01L 31/02

Мітки: випромінювання, електромагнітного, джерело

Формула / Реферат:

(57) Источник электромагнитного излучения, включающий полупроводниковый активный  элемент,  расположенный  на нагревателе и снабженный электрическими контактами, один из которых является выпрямляющим, отличающийся тем, что активный элемент выполнен в виде прямого параллелепипеда, в основании которого лежит параллелограмм со сторонами а и с и острым углом , удовлетворяющими соотношениям:где - максимальное сечение поглощения...

Номер патенту: 9820

Опубліковано: 30.09.1996

Автори: Мороженко Василь Олександрович, Малютенко Володимир Костянтинович, Ліптуга Анатолій Іванович

МПК: H01L 31/02

Мітки: джерело, електромагнітного, випромінювання

Формула / Реферат:

(57) Источник электромагнитного излучения, включающий полупроводниковый активный  элемент,   расположенный  на нагревателе и снабженный электрическими контактами, один из которых является выпрямляющим, отличающийся тем, что активный элемент выполнен в виде прямого параллелепипеда, в основании которого лежит параллелограмм со сторонами а и с и острым углом , удовлетворяющими условиямгде - максимальное сечение поглощения...