Пристрій для визначення роздільної здатності оптико-електронних приладів іч-ділянки спектру

Номер патенту: 27212

Опубліковано: 15.08.2000

Автори: Малютенко Володимир Костянтинович, Свєчніков Сергій Васильович, Салюк Ольга Юріївна, Болгов Сергій Семенович

Мітки: спектра, оптико-електронних, визначення, приладів, роздільної, здатності, іч-ділянки, пристрій

Текст:

...25 на миллиметр, Контраст ИК-изображения определяаодого излучения оптически тонкого ется амплитудой лазерного импульса. полупроводника при изменении конОн легко изменяется в широких предецентрации носителей, если температулах, но при данной амплитуде лазерра окружающего фона ниже температуры 3D ного импульса является величиной посполупроводника. тоянной , , ' Плотность излучения оптически тонкоп (oid«l) пластины определяется Так как устройство...

Номер патенту: 11815

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Малютенко Володимир Коснтянтинович, Болгов Сергій Семенович, Піпа Віктор Йосипович, Салюк Ольга Юріївна

МПК: G01M 11/00, G01J 5/10

Мітки: приладів, роздільної, визначення, здатності, спектра, оптико-електронних, пристрій, іч-області

Формула / Реферат:

Устройство для определения разрешающей способности оптико-электронных приборов ИК-области спектра, содержащее размещенную на на­гревателе полупроводниковую пластину с расположенными на пей непрозрачными элементами миры, снабженную двумя электрическими контактами, отличающееся тем, что, с целью по­вышения однородности контраста по всем диапазо­не его изменения, полупроводниковая пластина имеет толщинуплощадь ее из­лучающей грани...

Номер патенту: 27211

Опубліковано: 15.08.2000

Автори: Коллюх Олексій Галактионович, Малютенко Володимир Костянтинович, Болгов Сергій Семенович

Мітки: електромагнітного, джерело, випромінювання

Номер патенту: 27213

Опубліковано: 15.08.2000

Автори: Болгов Сергій Семенович, Савченко Ганна Павлівна, Гуга Костянтин Юрійович, Малютенко Володимир Костянтинович

Мітки: джерело, випромінювання, електромагнітного

Номер патенту: 43935

Опубліковано: 15.01.2002

Автори: Малютенко Володимир Костянтинович, Омеляновській Еразм Михайлович, Глушков Євгеній Олександрович, Болгов Сергій Семенович, Мороженко Василій Олександрович, Морозов Володимир Олексійович

МПК: H01L 21/66

Мітки: напівпровідників, спосіб, однорідності, контролю

Формула / Реферат:

Формула изобретения1. Способ контроля однородности полупроводников, включающий изготовление пластины полупроводника толщиной 1, определяемой соотношением a×1<<1, где a - коэффициент поглощения излучения на свободных носителях заряда, отличающийся тем, что, с целью повышения экспрессности при сохранении высокой точности, пластину нагревают до температуры выше фоновой, регистрируют тепловое изображение образца и по...