Пристрій для визначення роздільної здатності оптико-електронних приладів іч-області спектра

Изобретение относится к т е х н и ч е с к о й физике и предназначено для определения разрешающей способности оптико-электронных приборов ИК-области с п е к т р а . Цель изобретения - повышение однородности к о н т р а с т а по и з л у чающей поверхности во всем диапазоне е г о и з м е н е н и я . Устройство состоит Изобретение относится к т е х н и ч е с кой физике и предназначено для о п р е деления разрешающей способности ИКприборов, в ч а с т н о с т и тепловизоров и электронно-оптических п р е о б р а з о в а телей» Целью изобретения я в л я е т с я повышение однородности контраста во всем д и а п а з о н е е г о изменения. На чертеже изображена схема у с т р о й с т в а , содержащего н а г р е в а т е л ь 1 Я полупроводниковую пластину 2, поверх20-90 из полупроводниковой пластины, п о м е щенной на н а г р е в а т е л ь . Полупроводниковая пластина снабжена э л е к т р и ч е с к и ми контактами, соединенными с р е г у л и руемым источником напряжения. На и з лучающей грани полупроводниковой пластины или va противоположной ей грани расположены непрозрачные э л е менты миры. Управление величиной контр а с т а производится при изменении н а п ряжения источника питания за с ч е т управления концентрацией рекомбинирующих н о с и т е л е й , поступающих в п о л у проводниковую пластину ч е р е з у п р а в ляющий запорной или антизапорной электрический к о н т а к т . Повышение о д нородности к о н т р а с т а д о с т и г а е т с я за с ч е т т о г о , ч т о электрические к о н т а к ты расположены параллельно излучающей грани полупроводниковой пластины, и , таким образом, управление к о н ц е н т рацией носителей производится о д н о родно вдоль поверхности полупроводниковой пластины. 1 и л . ность 3 , на которую н а н о с я т с я э л е менты миры, работающей на п р о п у с к а ние, омический электрический контакт 4 , поверхность 5, на которую н а н о с я т с я элементы миры, работающей на отражение, источник питания 6, з а п о р ный или антизапорный электрический контакт 7, слои 8 и 9 д и э л е к т р и к а . Устройство р а б о т а е т следующим образом. Начальный контраст у с т р о й с т ва з а д а е т с я е г о нагревом выше фоновой температуры с помощью н а г р е в а т е л я 1. 1568689 При этом за счет разной, но фиксироты расположены параллельно изпучающей ванной излучательной способности пограни полупроводниковой пластины 2, лупроводниковой пластины 2 и элемени, таким образом, управление конценттов миры, нанесенных на поверхность рацией носителей производится однород3, или коэффициентов отражения матено вдоль ее поверхности. риала омического контакта 4 и элементов миры, нанесенных на поверхФ о р м у л а и з о б р е т е н и я ность 5, этот контраст имеет определенную величину. Изменения величины 10 Устройство для определения р а з р е начального контраста добиваются изшающей способности оптико-электронменением напряжения на полупроводниных приборов ИК-области с п е к т р а , ковой пластине 2 с помощью источника содержащее размещенную на нагревателе питания 6. Л зависимости от вида полупроводниковую пластину с распоиспользуемого электрического контакложенными на ней непрозрачными э л е та (запорный или антизапорный) и расментами миры, снабженную двумя э л е к положения элементов миры на поверхтрическими контактами, о т л и ч а ности 3 или 5 возможно несколько ю щ е е с я тем, что, с целью повышеразличных видов мир с управляемой вения однородности контраста во всем личиной контраста. Например, при имеющемся антизапорном контакте 7 полу- 20 диапазоне его изменения, полупроводпроводник исходно является оптически никовая пластина имеет толщину толстым. При отсутствии управляющего jj - _ —_. „— площадь ее излучаю_ напряжения на экране испытуемого прибора будет однородно засвеченное щей грани удовлетворяет условию 25 поле. При включении поля носители будут вытягиваться из объема полур _ проводника , его оптическая толщина уменьшится и на экране прибора поягде S - площадь полупроводниковой вится изображение миры. пластины; 30 1 р - диффузионная длина неосновОграничения, накладываемые на ных носителей заряда; размеры полупроводниковой пластины 2, О ~ удельное сопротивление послужат оптимизации параметров устлупроводника; ройства и связаны, с одной стороны, U - максимальное напряжение с конечной величиной ее пропускания» источника питания; а с другой - с ограниченной мощностью 35 Г - мощность источника питания; источника питания 6. n, r - концентрация электронов и Технология производства полупродырок в полупроводнике; водников также является фактором, С п Д г ~ сечения поглощения электроограничивающим площадь миры. Если 40 нов и дырок; имеющиеся однородные полупровоникоV - коэффициент пропускания вые пластины или мощность источника полупроводниковой пластины, питания не обеспечивают необходимых антизапорный или запорный контакт размеров, активный элемент устройствыполнен прозрачным на излучающей ва может быть выполнен в виде матри45 грани полупроводниковой пластины, а цы, причем размеры ячеек и их управомический контакт на противоположной t ление могут быть различными в зависиее грани выполнен непрозрачным, элемости от цели испытаний. При выполнементы миры выполнены из непрозрачнии активного элемента в виде матриного материала на слое прозрачного цы, состоящей из ячеек с автономным 50 диэлектрика, расположенного на антипитанием, возможно создание излучазапорном или запорном контакте или теля типа "температурный клин" и на омическом контакте из материала тепловых портретов". с коэффициентом отражения, отличным Устройство позволяет получить от коэффициента отражения омического высокую однородность контраста за счет того, что электрические контак- 55 контакта. 1568689 Г 8 7 2 5 4 Составитель А.Башарин Редактор А.Куприянов Техред М.Дидык ,• Корректор ВЛ^ирняк Заказ 1569/ДСП . Тираж 311 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР U3Q35, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. А/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 101