Золкіна Людмила Вікторівна

Номер патенту: 67198

Опубліковано: 15.06.2004

Автори: Золкіна Людмила Вікторівна, Кожемякін Геннадій Миколайович

МПК: H01L 21/20

Мітки: епітаксією, напівпровідникових, спосіб, вирощування, рідкофазною, шарів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування напівпровідникових шарів рідкофазною епітаксією, у якому вирощування проводять з розчину, поміщеного в графітовий тигель, на монокристалічну пластину в циліндричній кварцовій ампулі шляхом лінійного охолодження зі швидкістю 0,5 К/хв, який відрізняється тим, що в розчин вводять ультразвукові хвилі з частотою від 0,3 до 5 МГц у напрямку, перпендикулярному поверхні пластини, а процес кристалізації здійснюють зі швидкістю від...