Патенти з міткою «епітаксією»

Номер патенту: 67198

Опубліковано: 15.06.2004

Автори: Кожемякін Геннадій Миколайович, Золкіна Людмила Вікторівна

МПК: H01L 21/20

Мітки: рідкофазною, шарів, напівпровідникових, епітаксією, спосіб, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування напівпровідникових шарів рідкофазною епітаксією, у якому вирощування проводять з розчину, поміщеного в графітовий тигель, на монокристалічну пластину в циліндричній кварцовій ампулі шляхом лінійного охолодження зі швидкістю 0,5 К/хв, який відрізняється тим, що в розчин вводять ультразвукові хвилі з частотою від 0,3 до 5 МГц у напрямку, перпендикулярному поверхні пластини, а процес кристалізації здійснюють зі швидкістю від...

Номер патенту: 25348

Опубліковано: 30.10.1998

Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Краснов Василь Олександрович

МПК: H01L 21/20

Мітки: арсеніду, епітаксією, епітаксійних, шарів, рідкофазною, галію, основах, одержання, кремнієвих, спосіб

Формула / Реферат:

Способ получения эпитаксиальных слоев арсенида галлия на кремниевых подложках жидкофазной эпитаксией, включающий заполнение зазора между пластиной-источником арсенида галлия и подложкой раствором арсенида галлия и кремния в расплаве галлия и кристаллизацию слоев при периодическом колебании температуры путем охлаждения и последующего нагрева, отличающийся тем, что подложку кремния располагают над пластиной-источником при величине зазора между...