Кожемякін Геннадій Миколайович

Номер патенту: 80251

Опубліковано: 27.05.2013

Автори: Олейникова Ганна Миколаївна, Кожемякін Геннадій Миколайович

МПК: H01L 35/30

Мітки: насос, тепловий, термоелектричний

Формула / Реферат:

Термоелектричний тепловий насос, що містить термоелектричний модуль, закріплений між верхнім і нижнім металевими радіаторами теплопереходами у вигляді керамічних пластин, між керамічними пластинами і поверхнями радіаторів розташовано тонкий шар теплопровідного компаунду, який відрізняється тим, що верхній радіатор виконано у вигляді плоскої металевої пластини завтовшки від 2 до 5 мм, нижній радіатор виконаний у вигляді ребер завтовшки від 1...

Номер патенту: 77894

Опубліковано: 25.02.2013

Автори: Кожемякін Геннадій Миколайович, Дегтярьова Анна Олександрівна

МПК: G01H 11/00

Мітки: вимірювання, пристрій, хвилеводах, ультразвуку, поглинання

Формула / Реферат:

Пристрій для вимірювання поглинання ультразвуку у хвилеводах, який містить хвилевід у вигляді стрижня з плавленого кварцу, а також джерело ультразвуку - генератор, розміщений з лівого боку пристрою, п'єзокварцовий приймач ультразвуку - осцилограф, розміщений на правому боці пристрою, який відрізняється тим, що у хвилеводі у центральній частині закріплений нагрівач завдовжки від 0,1 до 0,25 довжини хвилеводу, у якому розміщено внутрішню...

Номер патенту: 97868

Опубліковано: 26.03.2012

Автор: Кожемякін Геннадій Миколайович

МПК: F24H 3/06

Мітки: опалювальний, пристрій

Формула / Реферат:

1. Опалювальний пристрій, що містить горизонтальні теплообмінні труби з закріпленими поперечними ребрами, який відрізняється тим, що ребра у вигляді металевих пластин з одним отвором закріплені по щільний посадці окремо на кожну гілку U-подібної труби з зазором між ними від 3 до 10 мм, корпус має на задній панелі щілину уздовж всієї довжини і шириною від 0,1 до 0,5 його висоти, в нижній частині задньої панелі розташовано екран, загнутий...

Номер патенту: 56639

Опубліковано: 25.01.2011

Автор: Кожемякін Геннадій Миколайович

МПК: F24H 3/00

Мітки: опалювальний, пристрій

Формула / Реферат:

1. Опалювальний пристрій, що містить горизонтальні теплообмінні труби з закріпленими поперечними ребрами, який відрізняється тим, що ребра виконані у вигляді тонких металевих пластин з отворами, закріплених по щільній посадці окремо на кожну гілку U-подібної труби з зазором між ними від 3 до 10 мм, корпус має на задній панелі щілину уздовж всієї довжини і шириною від 0,1 до 0,5 його висоти, в нижній частині задньої панелі розташовано екран,...

Номер патенту: 41486

Опубліковано: 25.05.2009

Автор: Кожемякін Геннадій Миколайович

МПК: C30B 15/00, C30B 29/00

Мітки: вирощування, твердих, розчинів, кристалів, спосіб, галій-індій-сурма

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування кристалів твердих розчинів галій-індій-сурма (GaxIn1-xSb), який полягає в тому, що витягування кристала із розплаву здійснюють шляхом використання затравочного монокристала заданого складу, який відрізняється тим, що застосовують затравочний монокристал GaxIn1-xSb зі складом, котрий може відрізнятись від складу вирощуваного кристала менше або більше на х=0,01.

Номер патенту: 31909

Опубліковано: 25.04.2008

Автори: Рубан Роман Володимирович, Кожемякін Геннадій Миколайович

МПК: C30B 15/00, C30B 29/32

Мітки: твердих, спосіб, кристалів, галію, кристала, уздовж, однорідним, вирощування, розподілом, галій-індій-сурма, розчинів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування кристалів твердих розчинів галій-індій-сурма з однорідним розподілом галію уздовж кристала, який полягає в тому, що живлення розплаву здійснюють шляхом введення в розплав зливка підживлення, який відрізняється тим, що зливок підживлення хімічної сполуки галію-сурми, що має площу поперечного перерізу від 2,5 до 50 % від площі поперечного перерізу кристала, вводять у розплав галій-індій-сурма зі швидкістю, що відрізняється...

Номер патенту: 6610

Опубліковано: 16.05.2005

Автори: Кожемякін Геннадій Миколайович, Луцький Денис Валерійович

МПК: C30B 15/00

Мітки: сурма-вісмут, неоднорідним, спосіб, вирощування, твердих, розподілом, розчинів, кристалів, вісмуту, регульованим, уздовж, кристала

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування кристалів твердих розчинів сурма-вісмут з регульованим неоднорідним розподілом вісмуту уздовж кристала, який полягає у тому, що живлення розплаву здійснюють шляхом введення в розплав зливка підживлення, який відрізняється тим, що зливок вісмуту вводять у розплав сурми зі швидкістю від 0,1 до 0,3 мм/хв, при цьому рівень розплаву в тиглі не змінюють, а температуру на фронті кристалізації в процесі росту зменшують від...

Номер патенту: 67198

Опубліковано: 15.06.2004

Автори: Кожемякін Геннадій Миколайович, Золкіна Людмила Вікторівна

МПК: H01L 21/20

Мітки: напівпровідникових, епітаксією, вирощування, спосіб, рідкофазною, шарів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування напівпровідникових шарів рідкофазною епітаксією, у якому вирощування проводять з розчину, поміщеного в графітовий тигель, на монокристалічну пластину в циліндричній кварцовій ампулі шляхом лінійного охолодження зі швидкістю 0,5 К/хв, який відрізняється тим, що в розчин вводять ультразвукові хвилі з частотою від 0,3 до 5 МГц у напрямку, перпендикулярному поверхні пластини, а процес кристалізації здійснюють зі швидкістю від...

Номер патенту: 62899

Опубліковано: 15.12.2003

Автори: Кушнарьов Андрій Васильович, Кожемякін Геннадій Миколайович

МПК: C30B 15/14

Мітки: температури, вирощування, процесі, кристали, регулювання, пристрій, градієнта

Формула / Реферат:

Пристрій для регулювання градієнта температури в кристалі в процесі його вирощування, що містить усередині штока трубку з діаметром меншим, ніж внутрішній діаметр штока, який відрізняється тим, що на штоці закріплено циліндричний нагрівач із внутрішнім діаметром від 2 до 3 діаметрів штока і встановленому на відстані від 5 до 10 діаметрів штока щодо рівня розплаву.

Номер патенту: 58762

Опубліковано: 15.08.2003

Автори: Кулінічев Володимир Іванович, Фрегер Гаррі Юхимович, Кожемякін Геннадій Миколайович

МПК: H05B 3/14

Мітки: плоский, електронагрівник

Формула / Реферат:

Плоский електронагрівник, що містить плоский резистивний елемент з вуглецевої тканини, яку виготовлено з односпрямованих ниток з відстанню між ними, не перевищуючою діаметра нитки основи, які з'єднані нитками утка з відстанню між ними, більшою за діаметр ниток, та покритою з обох боків ізоляційною поліефірною плівкою, контактну групу, виконану у вигляді двох металевих смуг, з'єднаних із тканиною за допомогою заклепок, пропущених між...

Номер патенту: 46511

Опубліковано: 15.05.2002

Автори: Налівкін Михайло Олексійович, Кожемякін Геннадій Миколайович

МПК: C30B 15/00, C30B 29/32

Мітки: уздовж, розподілом, вирощування, зливка, сплавів, кристалів, вісмут-сурма, неоднорідним, спосіб, компонентів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування кристалів сплавів вісмут-сурма з неоднорідним розподілом компонентів уздовж зливка, у якому живлення розплаву здійснюють шляхом введення у розплав зливка сурми, який відрізняється тим, що розплав підживлюють твердою сурмою із змінною швидкістю від 0,56 до 0,5 мм/хв., концентрацію сурми у розплаві змінюють від 0,1 до 6,62 ат. %, а температуру на фронті кристалізації підвищують від 272°С до 300°С.