Сонцезахисне покриття з високим коефіцієнтом сонячного теплонадходження

Реферат: Сонцезахисне покриття забезпечує високий коефіцієнт сонячного теплонадходження (SHGC) і низький коефіцієнт теплопередачі (U-величина) для уловлювання і збереження сонячного тепла. Покриття і виріб з покриттям особливо корисні для архітектурного скління в північному кліматі. Покриття включає перший діелектричний шар; суцільний металевий шар завтовшки менше 8 нм, сформований щонайменше на частині першого діелектричного шару; шар ґрунтовки, сформований щонайменше на частині металевого шару; другий діелектричний шар, сформований щонайменше на частині шару ґрунтовки; і зовнішнє покриття, сформоване щонайменше на частині другого діелектричного шару. При використанні на поверхні № 3 базового склопакета, покриття забезпечує SHGC, більший або рівний 0,6, і U-величину, меншу або рівну 0,35. UA 103676 C2 (12) UA 103676 C2 UA 103676 C2 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 Для даної заявки заявлено пріоритет по заявці US 61/176,534, поданій 8 травня 2009, яка повністю включена в опис посиланням. Галузь техніки, до якої відноситься винахід Цей винахід належить до сонцезахисних покриттів і в одному певному здійсненні до сонцезахисного покриття, що забезпечує високий коефіцієнт сонячного теплопотрапляння (SHGC) і низький загальний коефіцієнт теплопередачі (U-величина). Рівень техніки SHGC є часткою падаючого сонячного випромінювання, що проходить через вікно, і що пропускається безпосередньо, поглиненого і потім виділеного усередину. Чим нижче SHGC, тим менше проходить сонячного тепла. U-величина є часткою втрати або передачі несонячного тепла через матеріал. Чим нижче U-величина, тим більше стійкість до теплового потоку і краще показник ізоляції Сонцезахисні покриття відомі в галузях архітектурного і автомобільного скління. Ці сонцезахисні покриття поглинають або відсікають вибрані діапазони електромагнітного випромінювання, наприклад, галузь інфрачервоного сонячного випромінювання або ультрафіолетового сонячного випромінювання для зменшення кількості сонячної енергії, що потрапляє в транспортний засіб або будівлю. Це зниження пропускання сонячної енергії допомагає зменшити навантаження на охолоджуючі пристрої транспортного засобу або будівлі, особливо в літні місяці. Звичайні сонцезахисні покриття в основному забезпечують відносно низький SHGC. Хоча покриття з низьким SHGC є корисними для південного клімату, вони не такі затребувані в північному кліматі. Для північного клімату більш енергозберігаючі є вікна з вищим SHGC для уловлювання більшої кількості сонячного тепла в будівлі протягом зимових місяців. Це особливо актуально для північного клімату, де кількість холодніших днів осені і зими перевищує кількість тепліших днів весни і літа. Тому, було б бажано створити покриття і/або виріб з покриттям, яке покращує енергоефективність будівлі в північному кліматі, де бажано уловлювати сонячне тепло в будівлі. Покриття і/або виріб з покриттям може володіти низькою випромінювальною здатністю для забезпечення низької U-величини, з високим SHGC, щоб дозволити проходити більшій кількості сонячного тепла в будівлю і зберегти його в нім. Розкриття винаходу Покриття забезпечує високий коефіцієнт сонячного теплопотрапляння (SHGC) і низький коефіцієнт теплопередачі (U-величина) для уловлювання і збереження сонячного тепла. Покриття і виріб з покриттям особливо придатні для архітектурного скління в північному кліматі. Скління з покриттям включає підкладку і покриття, сформоване, щонайменше, на частині підкладки. Покриття включає перший діелектричний шар, сформований, щонайменше, на частині підкладки; суцільний металевий шар, що має товщину менше 8 нм, сформований, щонайменше, на частині першого діелектричного шару, шар ґрунтовки, сформований, щонайменше, на частині металевого шару; другий діелектричний шар, сформований, щонайменше, на частині шару ґрунтовки; і зовнішнє покриття, сформоване, щонайменше, на частині другого діелектричного шару. Покриття, при використанні на поверхні № 3 базові склопакети (IGU), забезпечує SHGC більш або рівний 0,6 і U-величину менш або рівну 0,35. У одному прикладі покриття товщина першого діелектричного шару складає 40-50 нм. Перший діелектричний шар включає плівку оксиду цинку, нанесену на плівку станата цинку, товщина плівки оксиду цинку складає 3-15 нм і товщина плівки станата цинку складає 25-40 нм. Металевий шар включає срібло, завтовшки менш або рівне 7,5 нм. Шар ґрунтовки включає титан. Товщина другого діелектричного складає 30-40 нм. Другий діелектричний шар включає плівку оксиду цинку і плівку станата цинку, нанесену на плівку оксиду цинку. Товщина плівки оксиду цинку складає 3-15 нм. Товщина зовнішнього покриття складає 2-6 нм і включає діоксид титану. Покриття, при використанні на поверхні № 3 базового IGU, забезпечує SHGC більш або рівний 0,6, наприклад, більш або рівний 0,65 і U-величину менш або рівну 0,35, наприклад, менш або рівну 0,33. У іншому прикладі покриття перший діелектричний шар включає перший шар, що включає станат цинку, другий шар, що включає оксид цинку, третій шар, що включає станат цинку, і четвертий шар, що включає оксид цинку, в якому товщина першого діелектричного шару складає 44-48 нм, товщина кожного з першого шару і третього шару, кожного складає 16-17 нм і товщина кожного з другого і четвертого шару складає 6-8 нм. Металевий шар включає срібло завтовшки менш або рівною 7 нм. Шар ґрунтовки включає титан. Другий діелектричний шар включає перший шар, що включає оксид цинку, другий шар, що включає станат цинку, третій шар, що включає оксид цинку, і четвертий шар, що включає станат цинку, в якому товщина 1 UA 103676 C2 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 другого діелектричного шару складає 30-35 нм, товщина кожного з першого шару і третього шару складає 3-5 нм, і товщина кожного з другого шару і четвертого шару складає 11-12 нм. Товщина зовнішнього покриття складає 5-10 нм і включає діоксид титану. Покриття, при використанні на поверхні № 3 базового IGU, забезпечує SHGC більш або рівний 0,6, наприклад, більш або рівний 0,65 і U-величину менш або рівну 0,35, наприклад, менш або рівну 0,33. Склопакет включає першу підкладку з поверхнею № 1 і поверхнею № 2 і другу підкладку, що знаходиться на відстані від першої підкладки з поверхнею № 3 і поверхнею № 4, з поверхнею №3 зверненою до поверхні №2. Покриття сформоване, щонайменше, на частині поверхні № 3. Покриття включає перший діелектричний шар, сформований, щонайменше, на частині підкладки; суцільний металевий шар, що включає срібло завтовшки менш або дорівнює 7,5 нм, сформований, щонайменше, на частині першого діелектричного шару; шар ґрунтовки, сформований, щонайменше, на частині металевого шару, причому плівка шару ґрунтовки включає титан; другий діелектричний шар сформований, щонайменше, на частині шару ґрунтовки; і зовнішнє покриття, сформоване, щонайменше, на частині другого діелектричного шару. SHGC склопакета складає більш або дорівнює 0,6, наприклад, більш або дорівнює 0,65 і U-величина менш або рівна 0,35, наприклад, менш або рівна 0,33. У одному прикладі товщина першого діелектричного шару складає 40-50 нм, перший діелектричний шар включає плівку оксиду цинку, нанесену на плівку станата цинку, товщина плівки оксиду цинку складає 3-15 нм, і товщина плівки станата цинку складає 25-40 нм. Металевий шар включає срібло завтовшки менш або дорівнює 7,5 нм. Плівка ґрунтовки включає титан. Другий діелектричний шар включає плівку оксиду цинку і плівку станата цинку, нанесену на плівку оксиду цинку, товщина другого діелектричного шару складає 30-40 нм і товщина плівки оксиду цинку складає 3-15 нм. Товщина зовнішнього покриття, що включає діоксид титану, складає 2-6 нм. У іншому склопакеті перший діелектричний шар включає перший шар, що включає станат цинку, другий шар, що включає оксид цинку, третій шар, що включає станат цинку і четвертий шар, що включає оксид цинку, в якому товщина першого діелектричного шару складає 44-48 нм, товщина кожного з першого шару і третього шару складає 16-17 нм і товщина кожного з другого шару і четвертого шару складає 6-8 нм. Металевий шар включає срібло завтовшки менш або дорівнює 7 нм. Плівка ґрунтовки включає титан. Другий діелектричний шар включає перший шар, що включає оксид цинку, другий шар, що включає станат цинку, третій шар, що включає оксид цинку і четвертий шар, що включає станат цинку, в якому товщина другого діелектричного шару складає 30-35 нм, товщина кожного з першого шару і третього шару складає 3-5 нм, і товщина кожного з другого шару і четвертого шару складає 11-12 нм. Товщина зовнішнього покриття, що включає діоксид титану, складає 5-10 нм. Інший склопакет включає першу підкладку з поверхнею № 1 і поверхнею №2 і; другу підкладку, що знаходиться на відстані від першої підкладки з поверхнею № 3 і поверхнею № 4, з поверхнею №3 зверненою до поверхні №2; і третю підкладку, що знаходиться на відстані від другої підкладки і з поверхнею № 5 і поверхнею № 6. Перше покриття сформоване, щонайменше, на частині поверхні №5. Перше покриття включає перший діелектричний шар, сформований, щонайменше, на частині підкладки; суцільний металевий шар сформований, щонайменше, на частині першого діелектричного шару; шар ґрунтовки, сформований, щонайменше, на частині металевого шару; другий діелектричний шар, сформований, щонайменше, на частині шару ґрунтовки; і зовнішнє покриття, сформоване, щонайменше, на частині другого діелектричного шару, причому товщина зовнішнього покриття, що включає діоксид титану, складає 2-6 нм. Друге покриття сформоване, щонайменше, на частині поверхні № 2, друге покриття включає, щонайменше, два металевих срібних шари, розділених діелектричними шарами. SHGC склопакета більш або дорівнює 0,6, наприклад, більш або дорівнює 0,65 і U-величина менш або рівна 0,35, наприклад, менш або рівна 0,33. У одному прикладі товщина першого діелектричного шару першого покриття складає 40-50 нм, перший діелектричний шар включає плівку оксиду цинку, нанесену на плівку станата цинку, товщина плівки оксиду цинку складає 3-15 нм і товщина плівки станата цинку складає 25-40 нм. Металевий шар першого покриття включає срібло завтовшки менш або дорівнює 7,5 нм. Плівка ґрунтовки першого покриття включає титан. Другий діелектричний шар першого покриття включає плівку оксиду цинку і плівку станата цинку, нанесену на плівку оксиду цинку, товщина другого діелектричного шару складає 30-40 нм і товщина плівки оксиду цинку складає 3-15 нм. Зовнішнє покриття першого покриття має товщину 2-6 нм і включає діоксид титану. У іншому прикладі перший діелектричний шар першого покриття включає перший шар, що включає станат цинку, другий шар, що включає оксид цинку, третій шар, що включає станат цинку, і четвертий шар, що включає оксид цинку, в якому товщина першого діелектричного шару складає 44-48 нм, товщина кожного з першого шару і третього шару складає 16-17 нм, і 2 UA 103676 C2 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 товщина кожного з другого шару і четвертого шару складає 6-8 нм. Металевий шар першого покриття включає срібло завтовшки менш або дорівнює 7 нм. Плівка ґрунтовки першого покриття включає титан. Другий діелектричний шар першого покриття включає перший шар, що включає оксид цинку, другий шар, що включає станат цинку, третій шар, що включає оксид цинку і четвертий шар, що включає станат цинку, в якому товщина другого діелектричного шару складає 30-35 нм, товщина кожного з першого шару і третього шару складає 3-5 нм, і товщина кожного з другого шару і четвертого шару складає 11-12 нм. Зовнішнє покриття першого покриття має товщину 5-10 нм, і включає діоксид титану. Короткий опис креслень Винахід буде описаний з посиланням на наступні фігури, в яких однакові числові показники скрізь означають однакові частини: Фіг. 1 представляє вигляд збоку (не у масштабі) склопакета (IGU) з покриттям винаходу; Фіг. 2 представляє вигляд збоку (не у масштабі) покриття, що включає ознаки винаходу; Фіг. 3 представляє вигляд збоку (не у масштабі) іншого покриття, що включає ознаки винаходу; і Фіг. 4 представляє вигляд збоку (не у масштабі) іншого склопакета (IGU) з покриттям винаходу. Здійснення винаходу Використані в описі, просторові терміни або терміни напряму, такі як "лівий", "правий", "внутрішній", "зовнішній", "вище", "нижче", тощо, у винаході використовуються так, як вони представлені на фігурах. Проте слід розуміти, що винахід може допускати різні альтернативні орієнтації і, відповідно, такі терміни не можна розглядати як такі, що обмежують. Крім того, всі числа, що представляють розміри, фізичні характеристики, технологічні параметри, кількості компонентів, умови реакції, тощо, використовувані в описі і формулі винаходу, повинні бути представлені у всіх випадках, якщо передують терміном "біля". Відповідно, якщо не обумовлене інше, числові величини, викладені в подальшій заявці і формулі винаходу можуть мінятися залежно від шуканих властивостей, які передбачається отримати відповідно до даного винаходу. Щонайменше, і не як спроба обмежити застосування теорії еквівалентів до об'єму домагань формули винаходу, кожне числове значення повинне бути розглянуте, щонайменше, з урахуванням представлених значущих цифр і застосуванням звичайних методів округлення. Крім того, слід розуміти, що всі діапазони, розкриті в описі, включають початкове і кінцеве значення діапазону і всіх піддіапазонів, включених в нього. Наприклад, вказаний діапазон "1-10", слід розглядати, як такий, що включає всі піддіапазони між (і включно) мінімальним значенням 1 і максимальним значенням 10; тобто, всі піддіапазони, що починаються з мінімального значення 1 або більш і що закінчуються максимальним значенням 10 або менш, наприклад, 1-3,3, 4,7-7,5, 5,5-10, тощо. Крім того, використані в описі терміни "сформований на", "обложений на", або "отриманий на" означають сформований, обложений або отриманий на, але не обов'язково в прямому контакті з поверхнею. Наприклад, шар покриття, "сформований на" підкладці, не виключає присутність одного або більшого числа інших шарів покриття або плівок того ж або іншого складу, розташованих між сформованим шаром покриття і підкладкою. Терміни "видима ділянка" або "видиме світло" відносяться до електромагнітного випромінювання з довжиною хвилі 380-800 нм. Терміни "інфрачервона ділянка" або "інфрачервоне лікування" відносяться до електромагнітного випромінювання з довжиною хвилі в діапазоні від більше 800 нм до 1000000 нм. Терміни "ультрафіолетова ділянка" або "ультрафіолетове випромінювання" означають електромагнітну енергію з довжиною хвилі в діапазоні від 300 нм до менше 380 нм. Крім того, всі документи, такі як, але не обмежені виданими патентами і заявками на патент, вказані в описі слід розглядати "включеними посиланням" у всьому їх обсязі. Використаний в описі термін "плівка" відноситься до ділянки з нанесеним покриттям необхідного або вибраного складу. "Шар" може включати одну або більш "плівок" і "покриття" або "пакет покриттів" можуть складатися з одного або більш "шарів". U-величина в описі виражена для зимових умов відповідно до визначення національної ради оцінки систем / Американського об'єднання інженерів по опалюванню, охолоджуванню і кондиціонуванню повітря (NFRC/ASHRAE) при 0ºF (-18ºC) зовнішньої температури, 70ºF (21ºC) кімнатної температури, вітрі 15 миль в годину і без сонячного опромінювання. В цілях подальшого обговорення винахід розглядатиметься відносно використання архітектурного скління, такого як, але без обмеження, склопакет (IGU). Використаний в описі термін "архітектурне скління" відноситься до будь-якого скління, розташованого на будівлі, такому як, але без обмеження вікна і скління даху. Проте слід розуміти, що винахід не обмежений використанням такого архітектурного скління, але може бути здійснено з склінням в будь-якій необхідній ділянці, такій як, але без обмеження багатошарові або ординарні житлові 3 UA 103676 C2 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 і/або промислові вікна, і/або скління наземних, повітряних, космічних, водних і підводних транспортних засобів. Тому, слід розуміти, що певні розкриті приклади здійснення представлені просто для пояснення основних концепцій винаходу і, що винахід не обмежений цими певними прикладами здійснень. Крім того, тоді як у звичайного "скління" може бути достатнє пропускання видимого світла так, що можна розглянути матеріали через скління, в здійсненні винаходу, "скління" не обов'язково повинне бути прозорим у видимому світлі, але може бути таким, що просвічує, або матовим (як описано далі). Не обмежуюче скління 10, що включає ознаки винаходу, представлене на Фіг. 1. Скління 10 може володіти будь-яким необхідним пропусканням і/або віддзеркаленням видимого світла, інфрачервоного випромінювання або ультрафіолетового випромінювання. Наприклад, скління 10 може мати будь-яке необхідне пропускання видимого світла, наприклад, від більше 0 % до 100 %. Приклад скління 10 на Фіг. 1 представлений у формі звичайного подвійного склопакета і включають перший шар 12 з першою основною поверхнею 14 (поверхня №1) протилежній другій основній поверхні 16 (поверхня №2). У ілюстративному не обмежуючому здійсненні перша основна поверхня 14 виходить на зовнішню сторону будівлі, тобто, є зовнішньою основною поверхнею, і друга основна поверхня 16 виходить всередину будівлі. Скління 10 також включає другий шар 18 із зовнішньою (першою) основною поверхнею 20 (поверхня №3) і внутрішньою (другий) основною поверхнею 22 (поверхня №4), розташований на відстані від першого шару 12. Ця нумерація поверхонь шарів відповідає звичайній практиці в галузі фенестрації. Перший і другий шари 12, 18 можуть бути сполучені будь-яким відповідним чином, наприклад, адгезивним з'єднанням в звичайній рамі 24. Проміжок або камера 26 сформовані між двома шарами 12, 18. Камера 26 може бути із заданою атмосферою, такою як повітря або нереакційноздатний газ, такий як газоподібний криптон або аргон. Сонцезахисне покриття 30 винаходу сформоване, щонайменше, на частині одного з шарів 12, 18, наприклад, але без обмеження, щонайменше, на частині поверхні №2 16 або, щонайменше, на частині поверхні №3 20, хоча при необхідності покриття також може бути на поверхні №1 або поверхні №4. Приклади склопакетів можуть бути знайдені, наприклад, в US 4,193,236; 4,464,874; 5,088,258; і 5,106,663. У широкій практиці винаходу, шари 12, 18 скління 10 можуть бути з одного і того ж або різних матеріалів. Шари 12, 18 можуть включати будь-який необхідний матеріал будь-яких характеристик. Наприклад, один або більш за шарів 12, 18 можуть бути прозорими або такими, що просвічують у видимому світлі. "Прозорий" означає, такий, що володіє пропусканням видимого світла від більше 0 % до 100 %. Альтернативно один або більш шарів 12, 18 можуть бути такими, що просвічують. Той, що "просвічує" означає той, що дозволяє пропускати електромагнітну енергію (наприклад, видиме світло), але розсіюючий цю енергію таким чином, що об'єкти з боку спостерігача видно неясно. Приклади відповідних матеріалів включають, але не обмежені, пластмасовими підкладками (наприклад, акрилові полімери, такі як поліакрилати; поліалкілметакрилати, такі як поліметилметакрилати, поліетилметакрилати, поліпропілметакрилати, тощо; поліуретани; полікарбонати; поліалкілтерефталати, такі як поліетилентерефталат (РЕТ), поліпропілентерефталати, полібутилентерефталати, тощо; полісилоксанвмісні полімери; або сополімери будь-яких мономерів для їх отримання, або їх будь-які суміші); керамічними підкладками; скляними підкладками; або сумішами, або комбінаціями будь-яких з цих матеріалів. Наприклад, один або більше шарів 12, 18 можуть включати звичайне натрієво-кальцієве силікатне скло, боросилікатне скло, або свинцеве скло. Скло може бути безбарвним склом. "Безбарвне скло" означає не тоноване або не забарвлене скло. Альтернативне скло може бути тонованим або склом забарвленим інакше. Скло може бути відпаленим склом або термообробленим. Відповідно до використання в описі термін "термооброблений" означає загартований або, щонайменше, частково загартований. Скло може бути будь-якого типу, наприклад, звичайним флоат-склом і може бути будь-якого складу, з будьякими оптичними властивостями, наприклад, з будь-якою величиною пропускання у видимій, ультрафіолетовій, інфрачервоній ділянках і/або загального пропускання сонячної енергії. "Флоат-скло" означає скло, виготовлене звичайним флоат-процесом, в якому розплавлене скло подають на розплавлений метал у ванні і охолоджують в контрольованих умовах для формування смуги флоат-скла. Приклади процесів виготовлення флоат-скла розкриті в US 4,466,562 і 4,671,155. Кожен з перших і других шарів 12, 18 може бути, наприклад, безбарвним флоат-склом або може бути тонованим або забарвленим склом або один шар 12, 18 може бути безбарвним склом і інший шар 12, 18 тонованим. Приклади скла, відповідного для першого шару 12 і/або другого шару 18, що не обмежують винахід, описані в US 4,746,347; 4,792,536; 5,030,593; 5,030,594; 5,240,886; 5,385,872; і 5,393,593. Перші і другі шари 12, 18 можуть мати будь-які 4 UA 103676 C2 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 необхідні розміри, наприклад, довжину, ширину, форму або товщину. У одному прикладі скління товщина кожного з перших і других шарів може складати 1-10 мм, наприклад, 1-8 мм, наприклад, 2-8 мм, таким як 3-7 мм, наприклад, 5-7 мм, наприклад, 6 мм. Не обмежуючі приклади скла, які можуть бути використані в практиці винаходу, включають безбарвне скло Starphire®, Solargreen®, Solextra®, GL-20®, GL-35™, Solarbronze®, Solargray®, Pacifica®, SolarBlue®, Solarphire®, Solarphire PV® і Optiblue® скла, все комерційно PPG Industries Inc, що поставляються. of Pittsburgh, Pennsylvania. Покриття 30 винаходу нанесене, щонайменше, на частину, щонайменше, однієї основної поверхні одного з скляних шарів 12, 18. У прикладі, показаному на Фіг. 1, покриття 30 сформоване, щонайменше, на частині зовнішньої поверхні 20 внутрішнього скляного шару 18. Покриття 30 формують покриттям з низьким коефіцієнтом випромінювання, яке пропускає і зберігає сонячне тепло. Покриття 30 може бути нанесене будь-яким звичайним способом, таким як, але без обмеження звичайними способами хімічного осадження з парової фази (CVD) і/або фізичного осадження з парової фази (PVD). Приклади процесів PVD включають випаровування термічне або електронним пучком і вакуумне напилення (таке як вакуумне осадження при магнетронному напиленні (MSVD)). Також можуть бути використані інші способи нанесення покриттів, такі як, але без обмеження золь-гель нанесення. У одному не обмежуючому здійсненні покриття 30 може бути нанесено MSVD. Приклади пристроїв і способів покриття MSVD добре відомі фахівцям в даній галузі техніки і описані, наприклад, в US 4.379,040; 4,861,669; 4,898,789; 4,898,790; 4,900,633; 4,920,006; 4,938,857; 5,328,768; і 5,492,750 Приклад не обмежуючого покриття 30 винаходу представлений на Фіг. 2. Цей приклад покриття 30 включає основний шар або перший діелектричний шар 40 нанесений, щонайменше, на частину основної поверхні підкладки (наприклад, поверхня №3 20 другого шару 18). Перший діелектричний шар 40 може бути одношаровим або може включати більш за одну плівку противідбиваючих матеріалів і/або діелектричних матеріалів, таких як, але без обмеження оксиди металів, оксиди сплавів металів, нітриди, оксинітриди або їх суміші. Перший діелектричний шар 40 може бути прозорим у видимому світлі. Приклади відповідних оксидів металів для першого діелектричного шару 40 включають оксиди титану, гафнію, цирконію, ніобію, цинку, вісмуту, свинцю, індію, олова і їх сумішей. Ці оксиди металів можуть містити невелику кількість інших матеріалів, таких як марганець в оксиді вісмуту, олово в оксиді індію, тощо. Крім того, можуть бути використані оксиди сплавів металів або сумішей металів, такі як оксиди, цинк, що містять, і олово (наприклад, станат цинку), оксиди сплавів олова індію, нітрид кремнію, нітрид кремнію алюмінію або нітрид алюмінію. Крім того, можуть бути використані допіровані оксиди металів, такі як оксиди олова, допіровані сурмою або індієм або оксиди кремнію, допіровані нікелем або бором. Перший діелектричний шар 40 може бути по суті однофазною плівкою, такою як плівка оксиду металевого сплаву, наприклад, станат цинку, або може бути сумішшю фаз, складених з оксидів цинку і олова, або може бути складений з декількох плівок. Товщина першого діелектричного шару 40 (як одношарової плівки, так і багатошарової плівки) може складати 20-70 нанометрів (нм), наприклад, 20-60 нм, наприклад, 30-60 нм, наприклад, 40-55 нм, наприклад, 44-46 нм, наприклад, 45 нм. Як показано на Фіг. 2, перший діелектричний шар 40 може включати багатошарову структуру з першою плівкою 42, наприклад, плівкою оксиду сплаву металу, нанесеною, щонайменше, на частину підкладки (такий як зовнішня основна поверхня 20 другого шару 18) і другою плівкою 44, наприклад, плівкою оксиду металу або плівкою суміші оксидів, нанесеної на першу плівку 42 оксиди металу. У одному не обмежуючому здійсненні перша плівка 42 може бути оксидом сплаву цинк/олово. "Оксид сплаву цинк/олова" означає і дійсні сплави і також суміші оксидів. Оксид сплаву цинк/олово може бути таким оксидом, який отриманий вакуумним осадженням при магнетронному напиленні з катодом з цинку і олова. Один не обмежуючий катод може включити цинк і олово в співвідношенні 5-95 % мас. цинку і 95 - 5 % мас. олова, наприклад, 1090 % мас. цинку і 90-10 % мас. олова. Проте також можуть бути використані інші співвідношення цинку до олова. Одним відповідним оксидом сплаву металу, який може бути присутнім в першій плівці 42, є станат цинку. "Станат цинку" означає сполуку ZnXSn1-XO2-X (формула 1), де "x" міняється від більше 0 до менше 1. Наприклад, "x" може бути більше 0 і може бути будь-яким дробовим або десятковим числом між більше 0 до менше 1. Наприклад, коли x=2/3, формула 1 є Zn2/3Sn1/3O4/3, яка частіше записується як “ Zn2SnO4". Плівка, що містить станат цинку, присутня в одній або більш за форми формули 1 в переважаючій кількості в плівці. Друга плівка 44 може бути плівкою оксиду металу, такий як плівка, що містить оксид цинку. Плівка оксиду цинку може бути нанесена з цинкового катода, який включає інші матеріали для 5 UA 103676 C2 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 поліпшення характеристик катода при напиленні. Наприклад, цинковий катод може включати невелику кількість (наприклад, до 10 % мас., наприклад, 5 % мас.) олова для поліпшення напилення. В цьому випадку отримувана плівка оксиду цинку включає невеликий відсоток оксиду олова, наприклад, до 10 % мас. оксиду олова, наприклад, до 5 % мас. оксиду олова. Шар покриття, нанесений з цинкового катода, що містить до 10 % мас. олова (доданого для збільшення провідності катода), позначається в описі як "плівка оксиду цинку" навіть при тому, що може бути присутньою невелика кількість олова. Вважається, що невелика кількість олова в катоді (наприклад, менш або рівне 10 % мас., наприклад, менш або рівне 5 % мас.), формує оксид олова в переважаючому оксиді цинку другої плівки 44. Перша плівка 42 може включати станат цинку з товщиною 20-60 нм, наприклад, 25-50 нм, наприклад, 35-40 нм. Друга плівка 44 може включати оксид цинку (наприклад, 90 % мас. оксиду цинку і 10 % мас. оксиду олова) з товщиною 3-15 нм, наприклад, 5-10 нм. Металевий шар 46 що відбиває тепло і/або випромінювання, може бути нанесений на перший діелектричний шар 40. Відбиваючий шар 46 може включати відбиваючий метал, такий як, але без обмеження золото, мідь, платину, осмій, титан, нікель, хром, паладій, алюміній, срібло або їх суміші, сплави або комбінації. У одному здійсненні відбиваючий шар 46 включає шар металевого срібла товщиною 3-8 нм, наприклад, 4-8 нм, наприклад, 5-7 нм, наприклад, 6-7 нм. Металевий шар 46 є суцільним шаром. Перший шар ґрунтовки 48 розташований на відбиваючому шарі 46. Перший шар ґрунтовки 48 може бути окремою плівкою або багатошаровою плівкою.Перший шар ґрунтовки 48 може включати матеріал, що поглинає кисень, який може бути протекторним в ході процесу нанесення для запобігання руйнуванню або окисленню першого відбиваючого шару 46 під час процесу напилення або подальших процесів нагрівання. Приклади матеріалів, придатних для першого шару ґрунтовки 48, включають метали або оксиди металів, такі як титан, цирконій, мідь, нікель, хром, алюміній; кремній, діоксид кремнію, нітрид кремнію, оксинітрид кремнію, хромо-нікелеві сплави (такі як інконель), цирконій, алюміній, сплави кремнію і алюмінію, сплави, що містять кобальт і хром (наприклад, стеліт) і їх суміші. Наприклад, перший шар ґрунтовки 48 може бути титаном товщиною 0,5-3 нм, наприклад, 0,5-2 нм, наприклад, 1-2 нм, наприклад, 1,4 нм. Слід розуміти, що шар ґрунтовки 48 формують першим нанесенням металу. Щонайменше, частина металу окислюється в ході подальшої обробки покриття 30. У випадку відпаленого покриття (приклади 1 і 3 далі) шар ґрунтовки титану окислюється під час подальшого нанесення оксидних шарів. У разі гартованого покриття (приклади 2 і 4 далі), частина титану окислюється під час подальшого нанесення оксидних шарів і залишок окислюється після гартування. Другий діелектричний шар 50 розташований на відбиваючому шарі 46 (наприклад, на першому шарі ґрунтовки 48). Другий діелектричний шар 50 включає один або більш оксидів металу або плівки, що містять оксиди сплавів металів, такі як вищеописані у випадку першого діелектричного шару 40, Наприклад, другий діелектричний шар 50 може включати першу плівку 52 оксиду металу, наприклад, плівку оксиду цинку (наприклад, 90 % мас. оксиду цинку і 10 % мас. оксиду олова), нанесену на першу плівку ґрунтовки 48 і другу плівку 54 оксиду сплаву металу, наприклад, плівку станата цинку, нанесену на першу плівку 52 оксиди цинку. Загальна товщина (наприклад, комбінована товщина шарів) другого діелектричного шару 50 може складати 10-50 нм, наприклад, 20-50 нм, наприклад, 30-50 нм, наприклад, 30-40 нм, наприклад, 35-40 нм, наприклад, 36,2 нм. Наприклад, товщина плівки 52 оксиду цинку може складати 3-15 нм, наприклад, 5-10 нм. Товщина шару 54 оксиду сплаву металів (станат цинку) може складати 15-35 нм, наприклад, 2035 нм, наприклад, 21-31 нм. Зовнішнє покриття 60 може бути розташовано на другому діелектричному шарі 50, Зовнішнє покриття 60 може допомогти захистити нижчерозташовані шари покриття від механічної і хімічної дії. Зовнішнє покриття 60 може бути, наприклад, одним або більшою кількістю шарів оксиду металу або нітриду металу. Приклади відповідних матеріалів включають оксиди і/або нітриди кремнію, титану, алюмінію, цирконію і їх сумішей, наприклад, суміш діоксиду кремнію і оксиду алюмінію. Наприклад, зовнішнє покриття 60 може бути діоксидом титану товщиною 1-10 нм, наприклад, 2-8 нм, наприклад, 4-6 нм, наприклад, 5 нм. Покриття 30 також може включати необов'язкове захисне покриття 70. Захисне покриття 70 сприяє захисту нижчерозташованих шарів від механічної і хімічної дії під час виготовлення, доставки, навантажувально-розвантажувальних операцій, обробки, і/або під час експлуатації дзеркала. Захисне покриття 70 також допомагає захистити нижчерозташовані шари від надходження рідкої води, пари води і інших забруднювачів навколишнього середовища (будь то тверда речовина, рідина або газ). 6 UA 103676 C2 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 Захисне покриття 70 може бути шаром покриття протикисневого захисту для запобігання або зниження проникнення навколишнього кисню в нижчерозташовані шари під час подальшої обробки, наприклад, такої як при нагріванні або вигині. Захисне покриття 70 може бути будьяким необхідним матеріалом або сумішшю матеріалів, наприклад, але без обмеження, одним або більшою кількістю неорганічних матеріалів. У одному прикладі здійснення захисне покриття 70 може включати шар, з одним або більшою кількістю матеріалів оксиду металу, таких як, але без обмеження оксидами алюмінію, кремнію або їх сумішами. Наприклад, захисне покриття 70 може бути одношаровим покриттям, що включає діоксид кремнію, оксид алюмінію або їх суміші. Наприклад, захисне покриття 70 може включати діоксид кремнію і оксид алюмінію в діапазоні 70-99 % мас. діоксиду кремнію і 1-30 % мас. оксиду алюмінію, наприклад, 75-90 % мас. діоксиду кремнію і 25-10 % мас. оксиду алюмінію, наприклад, 80-90 % мас. діоксиду кремнію і 20-10 % мас. оксиду алюмінію. У одному певному не обмежуючому здійсненні, захисне покриття 70 включає 85 % мас. діоксиду кремнію і 15 % мас. оксиду алюмінію. Також можуть бути присутніми інші матеріали, такі як алюміній, хром, гафній, ітрій, нікель, бор, фосфор, титан, цирконій і/або їх оксиди, наприклад, для коректування показника заломлення захисного покриття 70. Захисне покриття 70 може мати неоднорідну товщину. "Неоднорідна товщина" означає, що товщина захисного покриття 70 може змінюватися на даній одиниці площі, наприклад, у захисного покриття 70 можуть бути високі і низькі ділянки або області. Товщина захисного покриття 70 може складати 1-1000 нм, наприклад, 10-500 нм, наприклад, 20-300 нм, наприклад, 50-300 нм, наприклад, 50-200 нм, наприклад, 50-150 нм, наприклад, 50-120 нм, наприклад, 75-120 нм, наприклад, 75-100 нм. У певному не обмежуючому здійсненні товщина захисного покриття 50 може бути, щонайменше, 50 нм, наприклад, щонайменше, 75 нм, наприклад, щонайменше, 100 нм, наприклад, щонайменше, 110 нм, наприклад, щонайменше, 120 нм, наприклад, щонайменше, 150 нм, наприклад, щонайменше, 200 нм. У іншому не обмежуючому здійсненні захисне покриття 70 може включати багатошарову структуру, наприклад, перший шар, щонайменше, з одним другим шаром, сформованим на першому шарі. У одному певному не обмежуючому здійсненні перший шар може включати оксид алюмінію або суміш або сплав, що включає оксид алюмінію і діоксид кремнію. Наприклад, перший шар може включати суміш діоксиду кремнію і оксиду алюмінію, що містить більше 5 % мас. оксиду алюмінію, наприклад, більше 10 % мас. оксиду алюмінію, наприклад, більше 15 % мас. оксиду алюмінію, наприклад, більше 30 % мас. оксиду алюмінію, наприклад, більше 40 % мас. оксиду алюмінію, наприклад, 50-70 % мас. оксиду алюмінію, наприклад, 70 - 100 % мас. оксиду алюмінію і 30-0 % мас. діоксиду кремнію., наприклад, більше 90 % мас. оксиду алюмінію, наприклад, більше 95 % мас. оксиду алюмінію. У одному не обмежуючому здійсненні перший шар весь або по суті весь складається з оксиду алюмінію. Товщина першого шару може складати більше 0-1 мікрона, наприклад, 5-10 нм, наприклад, 10-25 нм, наприклад, 10-15 нм. Другий шар може включати діоксид кремнію або суміш або сплав, що включає діоксид кремнію і оксид алюмінію. Наприклад, другий шар може включати діоксид кремнію і суміш оксиду алюмінію, що містить більше 40 % мас. діоксиду кремнію, наприклад, більше 50 % мас. діоксиду кремнію, наприклад, більше 60 % мас. діоксиду кремнію, наприклад, більше 70 % мас. діоксиду кремнію, наприклад, більше 80 % мас. діоксиду кремнію, наприклад, 80-90 % мас. діоксиду кремнію і 10-20 % мас. оксиду алюмінію, наприклад, 85 % мас. діоксиду кремнію і 15 % мас. оксиду алюмінію. Товщина другого шару може складати більше 0 нм до 2 мікрон, наприклад, 5500 нм, наприклад, 5-200 нм, наприклад, 10-100 нм, наприклад, 30-50 нм, наприклад, 35-40 нм. У іншому не обмежуючому здійсненні товщина другого шару може складати більше 0 нм до 1 мікрона, наприклад, 5-10 нм, наприклад, 10-25 нм, наприклад, 10-15 нм. У іншому не обмежуючому здійсненні захисне покриття 70 може бути двошаровим, сформоване одним шаром, що містить оксид металу (наприклад, перший шар діоксид кремнію, що містить, і/або оксид алюмінію) сформованим на іншому шарі, таким, що містить оксид металу (наприклад, другий шар діоксид кремнію, що містить, і/або оксид алюмінію). Індивідуальні шари багатошарового захисного покриття можуть бути будь-якої необхідної товщини. Не обмежуючі приклади відповідних захисних покриттів 70 описані, наприклад, в US 10/007,382; 10/133,805; 10/397,001; 10/422,094; 10/422,095; і 10/422,096. Захисне покриття 70 може бути розміщено на зовнішньому покритті 60, Альтернативне захисне покриття 70 може бути розміщено під зовнішнім покриттям 60, наприклад, між зовнішнім покриттям 60 і другим діелектричним шаром 50. Або зовнішнє покриття 60 може бути виключено і захисне покриття 70 використано замість зовнішнього покриття 60, тобто, захисне покриття 70 створюють на другому діелектричному шарі 50. Необов'язковий другий шар (не показаний) ґрунтовки може бути розташований між першим діелектричним шаром 40 і металевим шаром 46. Необов'язковий другий шар ґрунтовки може 7 UA 103676 C2 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 бути сформований з будь-якого вищеописаного матеріалу для першого шару ґрунтовки 48. Наприклад, необов'язковий другий шар ґрунтовки може бути титаном товщиною 0,5-2 нм, наприклад, 1-2 нм, наприклад, 1.5 нм. Інше не обмежуюче покриття 100 винаходу представлено на Фіг. 3. Цей приклад покриття 100 включає шар основи або перший діелектричний шар 102 нанесений, щонайменше, на частину основної поверхні підкладки (наприклад, поверхня № 3 20 другого шару 18). Перший діелектричний шар 102 може бути одношаровим або може включати більш за одну плівку матеріалів, що противідбивають, і/або діелектричних матеріалів, таких як, але без обмеження оксиди металів, оксиди сплавів металів, нітриди, оксинітриди або їх суміші. Перший діелектричний шар 102 може бути прозорим у видимому світлі. Приклади відповідних оксидів металів для першого діелектричного шару 102 включають оксиди титану, гафнію, цирконію, ніобію, цинку, вісмуту, свинцю, індію, олова і їх сумішей. Ці оксиди металів можуть містити невелику кількість інших матеріалів, таких як марганець в оксиді вісмуту, олово в оксиді індію, тощо. Крім того, можуть бути використані оксиди сплавів металів або суміші металів, такі як оксиди, що містять цинк, і олово (наприклад, станат цинку), оксиди сплавів олова індію, нітрид кремнію, нітрид кремнію алюмінію або нітрид алюмінію. Крім того, можуть бути використані допіровані оксиди металів, такі як оксид олова, допірований оксидами сурми або індію, або оксид кремнію, допірований нікелем або бором. Перший діелектричний шар 102 може бути по суті однофазною плівкою, такою як плівка оксидів сплаву металів, наприклад, станат цинку, або може бути сумішшю фаз, що складається з оксидів цинку і олова, або може складатися з декількох плівок. Товщина першого діелектричного шару 102 (одношарової плівки або багатошарової плівки) може складати 20-70 нанометрів (нм), наприклад, 20-60 нм, наприклад, 30-60 нм, наприклад, 4055 нм, наприклад, 44-48 нм, наприклад, 47 нм. Перший діелектричний шар 102 може включати структуру з декількома плівками, з першою плівкою 104, наприклад, плівкою оксиду сплаву металів, другою плівкою 106, наприклад, плівкою оксиду металу або плівкою суміші оксидів, нанесеної на першу плівку 104 оксиду сплаву металів, третьою плівкою 108, наприклад, плівкою оксиду сплаву металів, і четвертою плівкою 110, наприклад, оксиду металу або плівкою суміші оксидів, нанесеної на третю плівку 104 оксиду сплаву металу. Перша плівка 104 і третя плівка 108 можуть включати станат цинку. Друга плівка 106 і четверта плівка 110 можуть включати оксид цинку, наприклад, 90 % мас. оксиду цинку і 10 % мас. оксиду олова. Наприклад, перша плівка 104 і третя плівка 108 можуть бути станатом цинку, з товщиною кожної плівки 5-25 нм, наприклад, 10-20 нм, наприклад, 15-20 нм, наприклад, 15-17 нм, наприклад, 16-17 нм. Плівки не обов'язково повинні бути однієї товщини. Друга плівка 106 і четверта плівка 110 можуть бути оксидом цинку (наприклад, 90 % мас. оксиду цинку і 10 % мас. оксиду олова), і товщина кожної може складати 3-10 нм, наприклад, 4-8 нм, наприклад, 5-8 нм, наприклад, 6-8 нм. Плівки не обов'язково повинні бути однакової товщини. Наприклад, друга плівка може бути товщою, ніж четверта плівка. Відбиваючий тепло і/або випромінювання металевий шар 112 нанесений на перший діелектричний шар 102 і може бути таким же, як вищеописаний металевий шар 46. У одному здійсненні відбиваючий шар 112 включає металеве срібло з товщиною 3-8 нм, наприклад, 4-8 нм, наприклад, 5-7 нм, наприклад, 6-7 нм. Металевий шар 112 є суцільним шаром. Шар ґрунтовки 114 розташований на відбиваючому шарі 112. Шар ґрунтовки 114 може бути таким, як вищеописаний шар ґрунтовки 48. Наприклад, шар ґрунтовки 114 може бути титаном і може мати товщину, що становить 0,5-5 нм, наприклад, 1-5 нм, наприклад, 2-5 нм, наприклад, 34 нм. Другий діелектричний шар 120 розташований на відбиваючому шарі 112 (наприклад, на першому шарі ґрунтовки 114). Другий діелектричний шар 120 включає одну або більшу кількість плівок, що містять оксиди металів або оксиди сплаву металів, такі як вищеописані у випадку першого діелектричного шару 40. Наприклад, другий діелектричний шар 120 може включати першу плівку 122 оксиду металу, наприклад, плівку оксиду цинку, другу плівку 124 оксиду сплаву металу, наприклад, плівку станата цинку, третю плівку 126 оксиду металу, наприклад, плівку оксиду цинку, і четверту плівку 126 оксиду сплаву металів, наприклад, плівку станата цинку. Загальна товщина (наприклад, комбінована товщина шарів) другого діелектричного шару 120 може складати 10-50 нм, наприклад, 20-50 нм, наприклад, 30-50 нм, наприклад, 30-40 нм, наприклад, 30-35 нм. Наприклад, товщина кожної з плівок 122 і 126 оксиду цинку може складати 3-15 нм, наприклад, 3-10 нм, наприклад, 3-5 нм, наприклад, 4-5 нм. Плівки не обов'язково повинні бути однакової товщини. Товщина шарів 124 і 128 оксидів сплаву металів (станат цинку) може 8 UA 103676 C2 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 складати 5-20 нм, наприклад, 5-15 нм, наприклад, 10-15 нм, наприклад, 11-12 нм. Плівки не обов'язково повинні бути однакової товщини. Зовнішнє покриття 140 може бути розташовано на другому діелектричному шарі 120. Зовнішнє покриття 140 може бути таким же як вищеописане зовнішнє покриття 60, Наприклад, зовнішнє покриття 140 може бути діоксидом титану товщиною 1-10 нм, наприклад, 2-8 нм, наприклад, 4-8 нм, наприклад, 6-8 нм. Може бути створене необов'язкове захисне покриття 150. Захисне покриття 150 може бути таким, як вищеописане захисне покриття 70. Захисне покриття 150 може бути розміщено на зовнішньому покритті 140, під зовнішнім покриттям 140, або може бути використано замість зовнішнього покриття 140. Покриття 30, 100 при використанні для виготовлення базового склопакета ("IGU"), з двома безбарвними 3 мм склами, проміжком між двома склами 0,5 дюйма, заповненим газоподібним аргоном, і покриття 30, 100 на поверхні №3 IGU (тобто на зовнішній поверхні внутрішньої шибки), може забезпечити SHGC більш або рівний 0,60, наприклад, більш або рівний 0,62, наприклад, більш або рівний 0,63, наприклад, більш або рівний 0,65, наприклад, більш або рівний 0,66, наприклад, більш або рівний 0,67, наприклад, більш або рівний 0,70, наприклад, більш або рівний 0,75, і U-величину менш або рівною 0,40, наприклад, менш або рівною 0,38, наприклад, менш або рівною 0,36, наприклад, менш або рівною 0,35, наприклад, менш або рівною 0,34, наприклад, менш або рівною 0,33, наприклад, менш або рівною 0,32, наприклад, не менше або рівною 0,30, наприклад, менш або рівною 0,28. Нейтральне покриття з високим пропусканням даного винаходу також добре підходить як покриття для використання в IGU 80 з потрійним склінням, як показано на Фіг. 3. IGU 80 Фіг. 3 подібний IGU 10 на Фіг. 1, але включають третій шар 82, що знаходиться на відстані від другого шару 18. У третього шару 82 є зовнішня поверхня 84 (поверхня №5), протилежна другій основній поверхні 86 (поверхня №6). Покриття винаходу 30 або 100 може бути нанесено на поверхню №5. Інше покриття 88 також може бути включено в IGU 80. В одному не обмежуючому здійсненні, покриття 88 може бути таким же, як покриття 30 або 100, Наприклад, покриття 30 або 100 може бути сформовано, щонайменше, на частині поверхні №5 і покриття 88 (покриття 30 або 100) може бути сформовано, щонайменше, на частині поверхні №2 або №3 для забезпечення високого SHGC. У іншому не обмежуючому здійсненні винаходу для досягнення нижчого SHGC IGU з високим пропусканням видимого світла і низькою U-величиною, покриття 30 або 100 може бути таким, як описано вище, але покриття 88 може бути покриттям з нижчим SHGC. Наприклад, покриття 88 може включати два або більше шарів металевого срібла, наприклад, три або більше шарів металевого срібла, наприклад, чотири або більше шарів металевого срібла. Приклади відповідних покриттів з нижчими SHGC включають покриття SOLARBAN® 60 (з 2 срібними відбиваючими шарами) або покриття SOLARBAN® 70XL (з 3 срібними відбиваючими шарами), обидва комерційно поставляються PPG Industries Inc. of Pittsburg, Pensylvania. Наприклад, покриття 30 або 100 винаходу може бути розміщено на поверхні №4 або №5 IGU 80 і покриття з нижчим SHGC 88 може бути розміщене на поверхні №2. Випромінювальна здатність покриття 88 може бути нижче, ніж у покриття 30 або 100, Наприклад, випромінювальна здатність покриття 30 або 100 винаходу менш або рівна 0,15, наприклад, менш або рівна 0,1. Випромінювальна здатність другого покриття 88 може бути менш або рівна 0,1, наприклад, менш або рівна 0,05. Наступні приклади ілюструють різні здійснення винаходу. Проте слід розуміти, що винахід не обмежений цими певними здійсненнями. Приклади Таблиця 1 ілюструє здійснення з набором покриттів даного винаходу. У кожному прикладі відбиваючим шаром є срібло, шаром ґрунтовки є оксид титану, захисним шаром є оксид титана і діелектричні шари включають підшари Zn2SnO4 і ZNO (90 % мас. оксиду цинку і 10 % мас. оксиду олова), в якому підшар ZnO розміщений на шарі срібла. Підшар ZnO складає 5-15 нм. Технічні дані для кожного покриття відносяться до склопакета, заповненого газоподібним аргоном, сформованого як описано вище. Координати кольору a*, b* і L* є звичайними в CIE (1931) і CIELAB системах, які відомі фахівцям в даній галузі техніки. Колір покриттів від нейтрального до синього при віддзеркаленні. SHGC і U-величини приведені для базового склопакета, описаного вище. Набір покриттів в прикладах 1 і 3 є відпаленим скляним продуктом, тобто, покрите скло не нагрівають до температури гартування скляної підкладки 10 (біля 1200 °F). Якщо покриття нагрівати до температури гартування скляної підкладки, то набір покриттів руйнуватиметься і стане матовим. Набори покриттів в прикладах 2 і 4 є відпаленим скляним продуктом, тобто, покриття досягає необхідних характеристик після гартування покритої скляної підкладки. 9 UA 103676 C2 Таблиця 1 Товщина шару (нм) Діапазон Набір покриттів Приклад 1 1-й Діелектричний шар 44,9 Відбиваючий шар 6,8 Шар ґрунтовки 1,4 2-й діелектричний шар 35 Захисний шар 5 SHGC U-величина L* a* b* Приклад 2 47,6 7 4,5 29,3 6,9 Приклад 3 45,1 6,9 1,4 36,2 5 Колір монолітного безбарвного скла Приклад 1 T Rf Rg 94,7 30,5 32,5 -1,0 -1,2 -1,8 1,1 -1,9 -5,1 15 94,4 -0,6 1,2 Приклад 2 30,4 -0,4 -2,2 32,8 -1,2 -6,9 L* a* b* 10 40-55 5,5-8,5 0,5-6 15-45 0-15 Характеристики 0,68 0,68 0,27 0,27 L* a* b* 5 Приклад 4 47 6,9 4,5 30,9 6,9 94,6 -1,1 1,3 Приклад 3 30,4 -0,5 -3,9 32,7 -1,5 -6,4 “T" означає колір в світлі, що проходить "Rf" означає колір у відбитому світлі з боку плівки "Rg" означає колір у відбитому світлі з боку скла Тип набору покриттів, представлений в відпалених прикладах 1 і 3, може бути підібраний щодо його кольору і характеристик з покриттям, що піддається відпалюванню, з подібними типами шарів, наприклад, представленими в прикладах 2 і 4. Проте для досягнення відповідності, (a) збільшена товщина шару ґрунтовки 48 з відпаленого покриття (наприклад, в прикладі 1 в порівнянні з прикладом 2, товщина шару ґрунтовки 48 приблизно подвоєна) щоб дозволити шару ґрунтовки бути гетером кисню під час нагрівання, (b) збільшена товщина захисного шару, 60 з відпаленого покриття щоб забезпечити додаткову довговічність, і (c) зменшена товщина другого діелектричного шару 50 з відпаленого покриття для оптичної компенсації збільшеної товщини шару ґрунтовки 48 і захисного шару 60. Приклад 5 Змодельоване покриття з наступною структурою: 10 UA 103676 C2 Таблиця 2 матеріал станат цинку оксид цинку станат цинку оксид цинку металеве срібло титан оксид цинку станат цинку оксид цинку станат цинку Діоксид титану (зовнішнє покриття) товщина (нм) 16,6 7,6 16,6 6,8 6,4 3,4 4,7 11,4 4,3 11,7 7,3 Координати кольору покриття наступні: Таблиця 3 L* a* b* T 95,2 -0,7 1,3 Rf 29,7 -0,7 -3,4 Rg 31,4 -1,4 -6,6 5 10 15 Це покриття забезпечує базовому склопакету значення SHGC 0,27 і U-величину 0,68. Слід розуміти, що SHGC може бути додатково збільшений при використанні скла з низьким змістом заліза, наприклад, скла STARPHIRE®, скла Solarphire® і скла Solarphire PV®, всі поставляються комерційно PPG Industries Inc., Pittsburgh, Pennsylvania, в якості одного або більшої кількості стекол в IGU, таких як зовнішнє скло. Крім того, на U-величину може впливати вибір газу в повітряному проміжку, наприклад, заміна повітрям аргону збільшить U-величину. Фахівцям в даній галузі техніки слід розуміти, що модифікації винаходу можуть бути здійснені, не відступаючи від принципів, розкритих в попередньому описі. Відповідно, окремі здійснення, детально описані в заявці, є тільки ілюстративними і не обмежують обсяг домагань винаходу, які повністю визначені у формулі винаходу і всіх її еквівалентів, що додається. ФОРМУЛА ВИНАХОДУ 20 25 30 35 1. Скління з покриттям, яке включає: скляну підкладку; перший діелектричний шар, сформований щонайменше на частині підкладки, який має товщину в діапазоні від 40 до 50 нм та включає перший шар, що містить станат цинку, та другий шар, що містить оксид цинку, розташований на першому шарі; суцільний металевий шар, сформований щонайменше на частині першого діелектричного шару, який має срібло з товщиною в діапазоні від 6 до 8 нм; шар ґрунтовки, що містить титан, сформований щонайменше на частині металевого шару; другий діелектричний шар, сформований щонайменше на частині шару ґрунтовки, який має товщину в діапазоні від 30 до 40 нм та включає перший шар, що містить оксид цинку, та другий шар, що містить станат цинку, розташований на шарі оксиду цинку; і зовнішнє покриття, сформоване щонайменше на частині другого діелектричного шару, яке містить діоксид титану з товщиною в діапазоні від 1 до 10 нм, у якому покриття при використанні на поверхні № 3 базового склопакета (IGU) забезпечує коефіцієнт сонячного теплонадходження (SHGC), більший або рівний 0,6, і коефіцієнт теплопередачі (U-величина), менший або рівний 0,35. 2. Скління за п. 1, яке відрізняється тим, що товщина шарів оксиду цинку в першому діелектричному шарі та другому діелектричному шарі складає 3-15 нм. 3. Скління за п. 1, яке відрізняється тим, що зовнішнє покриття має товщину 2-6 нм. 4. Скління за п. 1, яке відрізняється тим, що перший діелектричний шар додатково включає третій шар, що містить станат цинку і четвертий шар, що містить оксид цинку, причому товщина 11 UA 103676 C2 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 кожного з першого шару та третього шару складає 15-17 нм та товщина кожного з другого шару та четвертого шару складає 5-8 нм. 5. Скління за п. 4, яке відрізняється тим, що товщина першого діелектричного шару складає 44-48 нм, товщина кожного з першого шару і третього шару складає 16-17 нм і товщина кожного з другого шару і четвертого шару складає 6-8 нм. 6. Скління за п. 1, яке відрізняється тим, що другий діелектричний шар додатково включає третій шар, що містить оксид цинку і четвертий шар, що містить станат цинку, причому товщина кожного з першого шару та третього шару складає 3-10 нм та товщина кожного з другого шару та четвертого шару складає 10-15 нм. 7. Скління за п. 6, яке відрізняється тим, що товщина другого діелектричного шару складає 3035 нм, товщина кожного з першого шару і третього шару складає 3-5 нм, і товщина кожного з другого шару і четвертого шару складає 11-12 нм. 8. Скління за п. 1, яке відрізняється тим, що товщина шару станату цинку першого діелектричного шару складає 25-40 нм, товщина зовнішнього покриття складає 2-6 нм, і в якому покриття при використанні на поверхні № 3 базового IGU забезпечує SHGC, більший або рівний 0,65, і U-величину, меншу або рівну 0,33. 9. Скління за п. 1, яке відрізняється тим, що перший діелектричний шар включає перший шар, що включає станат цинку, другий шар, що включає оксид цинку, третій шар, що включає станат цинку і четвертий шар, що включає оксид цинку, в якому товщина першого діелектричного шару складає 44-48 нм, товщина кожного з першого шару і третього шару складає 16-17 нм, і товщина кожного з другого шару і четвертого шару складає 6-8 нм, другий діелектричний шар включає перший шар, що включає оксид цинку, другий шар, що включає станат цинку, третій шар, що включає оксид цинку, і четвертий шар, що включає станат цинку, в якому товщина другого діелектричного шару складає 30-35 нм, товщина кожного з першого шару і третього шару складає 3-5 нм, і товщина кожного з другого шару і четвертого шару складає 11-12 нм, товщина зовнішнього покриття складає 6-8 нм, і в якому покриття при використанні на поверхні № 3 базового IGU забезпечує SHGC, більший або рівний 0,65, і U-величину, меншу або рівну 0,35. 10. Склопакет, який включає: першу підкладку, що має поверхню № 1 і поверхню № 2; другу підкладку, яка розташована на відстані від першої підкладки і має поверхню № 3 і поверхню № 4, з поверхнею № 3 напроти поверхні № 2; і покриття, сформоване щонайменше на частині поверхні № 3, яке включає: перший діелектричний шар, сформований щонайменше на частині підкладки, який має товщину в діапазоні від 40 до 50 нм та включає перший шар, що містить станат цинку, та другий шар, що містить оксид цинку; суцільний металевий шар, сформований щонайменше на частині першого діелектричного шару, що містить срібло з товщиною в діапазоні від 6 до 8 нм; шар ґрунтовки, що містить титан, сформований щонайменше на частині металевого шару; другий діелектричний шар, сформований щонайменше на частині шару ґрунтовки, що має товщину в діапазоні від 30 до 40 нм та включає перший шар, що містить оксид цинку, та другий шар, що містить станат цинку, розташований на шарі оксиду цинку; і зовнішнє покриття, сформоване щонайменше на частині другого діелектричного шару, яке містить діоксид титану та має товщину в діапазоні від 2 до 8 нм, який має SHGC, більший або рівний 0,65, і U-величину, меншу або рівну 0,35. 11. Склопакет за п. 10, який відрізняється тим, що товщина шару оксиду цинку в першому діелектричному шарі складає 3-15 нм, а товщина шару станату цинку складає 25-40 нм, металевий шар включає срібло завтовшки менше або рівне 7,5 нм, товщина шару оксиду цинку в другому діелектричному шарі складає 3-15 нм, і товщина зовнішнього покриття складає 2-8 нм. 12. Склопакет за п. 11, який відрізняється тим, що перший діелектричний шар включає перший шар, який включає станат цинку, другий шар, що включає оксид цинку, третій шар, який включає станат цинку, і четвертий шар, що включає оксид цинку, в якому товщина першого діелектричного шару складає 44-48 нм, товщина кожного з першого шару і третього шару складає 16-17 нм, і товщина кожного з другого шару і четвертого шару складає 6-8 нм, металевий шар включає срібло завтовшки менше або рівне 7 нм, другий діелектричний шар включає перший шар, який включає оксид цинку, другий шар, який включає станат цинку, третій шар, який включає оксид цинку, і четвертий шар, який включає станат цинку, в якому товщина другого діелектричного шару складає 30-35 нм, товщина кожного 12 UA 103676 C2 5 10 15 20 25 30 35 40 45 з першого шару і третього шару складає 3-5 нм, і товщина кожного з другого шару і четвертого шару складає 11-12 нм, і товщина зовнішнього покриття складає 6-8 нм. 13. Склопакет, який включає: першу підкладку, що має поверхню № 1 і поверхню № 2; другу підкладку, яка розташована на відстані від першої підкладки, і має поверхню № 3 і поверхню № 4, з поверхнею № 3 навпроти поверхні № 2; третю підкладку, яка розташована на відстані від другої підкладки, і має поверхню № 5 і поверхню № 6; перше покриття, сформоване щонайменше на частині поверхні № 5, яке включає: перший діелектричний шар, сформований щонайменше на частині підкладки, який має товщину в діапазоні від 40 до 50 нм та включає перший шар, що містить станат цинку, та другий шар, що містить оксид цинку; суцільний металевий шар, сформований щонайменше на частині першого діелектричного шару, що містить срібло з товщиною в діапазоні від 6 до 8 нм; шар ґрунтовки, що містить титан, сформований щонайменше на частині металевого шару; другий діелектричний шар, сформований щонайменше на частині шару ґрунтовки, що має товщину в діапазоні від 30 до 40 нм та включає перший шар, що містить оксид цинку, та другий шар, що містить станат цинку, розташований на шарі оксиду цинку; і зовнішнє покриття, сформоване щонайменше на частині другого діелектричного шару, яке включає діоксид титану, і товщина якого складає 1-10 нм, і друге покриття, сформоване щонайменше на частині поверхні № 2, яке включає щонайменше два металевих срібних шари, розділених діелектричними шарами, який має SHGC, більший або рівний 0,65, і U-величину, меншу або рівну 0,35. 14. Склопакет за п. 13, який відрізняється тим, що товщина першого діелектричного шару першого покриття складає 40-50 нм, перший діелектричний шар включає шар оксиду цинку, нанесений на шар станату цинку, товщина шару оксиду цинку складає 3-15 нм, і товщина шару станату цинку складає 25-40 нм, металевий шар першого покриття включає срібло завтовшки менше або рівне 7,5 нм, другий діелектричний шар першого покриття включає шар оксиду цинку і шар станату цинку, нанесений на шар оксиду цинку, товщина другого діелектричного шару складає 30-40 нм, і товщина шару оксиду цинку складає 3-15 нм, і зовнішнє покриття першого покриття має товщину 2-6 нм. 15. Склопакет за п. 13, який відрізняється тим, що перший діелектричний шар першого покриття включає перший шар, що включає станат цинку, другий шар, що включає оксид цинку, третій шар, що включає станат цинку, і четвертий шар, що включає оксид цинку, в якому товщина першого діелектричного шару складає 44-48 нм, товщина кожного з першого шару і третього шару складає 16-17 нм, і товщина кожного з другого шару і четвертого шару складає 6-8 нм, металевий шар першого покриття включає срібло завтовшки менше або рівне 7 нм, другий діелектричний шар першого покриття включає перший шар, що включає оксид цинку, другий шар, що включає станат цинку, третій шар, що включає оксид цинку, і четвертий шар, що включає станат цинку, в якому товщина другого діелектричного шару складає 30-35 нм, товщина кожного з першого шару і третього шару складає 3-5 нм, і товщина кожного з другого шару і четвертого шару складає 11-12 нм, і зовнішнє покриття першого покриття містить діоксид титану і має товщину 5-10 нм. 13 UA 103676 C2 14 UA 103676 C2 Комп’ютерна верстка Л. Бурлак Державна служба інтелектуальної власності України, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601 15