Спосіб монтажу інтегральної схеми

Изобретение относится к электронной промышленности и может быть использовано для монтажа (присоединения) кристаллов к подложке с воздействием ультразвука. Известен способ монтажа ИС, согласно которому кристалл припаивается к подложке" с воздействием ультразвука. При этом на металлическом основании размещают навеску припоя и прижимают эту навеску, вибратором подвергают ее воздействию ультразвука, в результате которого навеска закрепляется на основании [1]. Затем при пайке кристалл устанавливают на подложку, нагревают и сжимают, приводя отверждение. Недостатки данного способа состоят в том, что припайка кристалла к подложке требует дополнительных операций по вводу и выводу УЗ преобразователя (инструмента) в клеевой .шов или в навеску припоя с прерывистым воздействием УЗ колебаний, что снижает технологические возможности и прочность. К тому же, УЗ инструмент нарушает (изменяет) форму и массу навески. Наиболее близким к предлагаемому способу монтажа кристалла на подложку является способ пайки [2], в процессе которого при пайке на поверхности нагреваемой пластины размещают навеску припоя, для повышения смачиваемости подложки расплавленным припоем ее подвергают воздействию УЗ-колебаний с помощью вибратора, который вводится в расплавленный припой. Способ отличается тем, что ввод головки вибратора осуществляют, не прекращая подачи УЗ-колебаний. Недостатки данного способа состоят в том, что непрерывная подача УЗ-колебаний регламентируется вводом и выводом вибратора в расплавленный припой. Вследствие этого ограничиваются технологические возможности применениям снижается прочность присоединения. А ввод-вывод УЗ-преобразователя в клеевой шов изменяет форму и массу навески. В основу изобретения поставлена задача разработать способ монтажа интегральной схемы, в которой путем независимого воздействия УЗ - колебаний на протяжении всего цикла монтажа, повышается прочность соединения. Поставленная задача решается тем, что воздействие УЗ-колебаниями осуществляют со стороны нагревательного столика при нанесении связующего в течение 0,2-1.5 сек, размещении кристалла на связующем в течение 0,2-1,5 сек и сжатии кристалла с подложкой. Кроме этого, в качестве связующего используют припой, а сжатие и отверждение осуществляют в течение 1,5-3,5 сек. Вместе с тем в качестве связующего используют токопроводящий клей, отверждение связующего осуществляют при воздействии ультразвуковых колебаний и прогреве при температуре 140-160°С в течение 1,52 часов. Сравнение заявляемого решения с прототипом показывает, чтозаявляемый способ отличается тем, что воздействие УЗ-колебаниями осуществляется от преобразователя на клеевой шов или припой через подложку со стороны нагревательного столика, причем воздействие УЗ-колебаниями независимое на протяжении всего цикла соединения (монтажа) кристалла на подложку. Способ основан на независимом воздействии УЗ-колебаний на протяжении всего цикла монтажа кристалла на подложку со стороны нагревательного столика и может осуществляться, например, на установках ЭМ-4085 при монтаже кристалла с. 580 на подложку рамки выводной собранной (ПАБ 4.839.002) и на установках ЭМ-4025 при монтаже кристалла с. 312 на подложку корпуса (2104.18-1 ДГО.487.004 ТУ) с использованием в обеих установках столиков с вмонтированными УЗ-преобразователями (УЗП-2,5 890424) и генератором УЗ-колебаний мощностью N=6,3 Вт, связанным со столиками. На фиг. 1, 2 и 3 схематически представлены фрагменты маршрута монтажа кристалла на подложку; на фиг. 1 - на клеевую навеску (припой); на фиг. 2-е установленным кристаллом, прижатым инструментом; на фиг. 3 - на клеевую навеску (при пой) с кристаллом без инструмента. Способ осуществляется в три этапа. На первом этапе (см. фиг. 1); для изд. с. 580 на подложку 1 наносят клеевую навеску(УП5-201)2с воздействием УЗ-колебаниями в течение 0,2-1,5 сек от УЗ-преобразователя 3, вмонтированного в столик 4; для изд. с. 132 на подложку 1 наносят навеску припоя (Аи) 2, устанавливают на столик 4 с подогревом до 410±10°С и воздействуют УЗ-колебаниями в инертной среде в течение 0,2-1,5 сек от УЗ преобразователя 3. На втором этапе (см. фиг. 2): для изд. с. 580 размещают кристалл 5 на клеевой навеске 2 втечение 0,2-1,5 сек и сжимают его с подложкой 1 при помощи инструмента 6с усилием 0,1-0,5 Н, при этом .постоянно воздействуя УЗ-колебаниями со стороны столика 4; для изд. с. 132 размещают кристалл 5 на навеске припоя (Аи) 2 и инструментом 6 осуществляют сжатие с усилием 0,5-7 Н, при этом сжатие и отверждение осуществляется в течение 1.5-3,3 сек с воздействием УЗколебаний с подогревом столика 4 до 390±10°С в среде инертного газа до получения эвтектического сплава. На третьем этапе (см. фиг. 3): для изд. с. 580 сушку клеевого соединения на основе клея УПБ-201 осуществляют до отверждения при воздействии УЗ-колебаний и подогреве при 140-160°С в течение 1,5-2 час; для изд. с. 132 в корпусе (2104.18-1 ДГО.487.004 ТУ) сушка не проводится. На всех тре х этапах УЗ-колебания подавались на подложку с.частотой 20-100 кГц и амплитудой 0,005-0,015 мм. Предложенный способ монтажа ИС с воздействием ультразвука позволит получить равномерную регулируемую подачу адгезива, обеспечить смачиваемость подложки клеем или припоем и повысить сплошность адгезионного слоя, при этом повысится прочность соединения и уменьшится переходное сопротивление между кристаллов и подложкой.