Спосіб обробки алмазів

Спосіб обробки алмазів, що включає дію електронного пучка з інтегральним потоком в інтерва 3 25246 частиною верхньої поверхні якого у верхній частині 1 контейнера є отвір 5. Частини 1 і 2 рознімного контейнера підключені відповідно до позитивного і негативного полюсів джерела напруги (не показано). Верхня частина 1, таким чином, є маскою, яка захищає поверхню алмаза від дії електронного опромінювання. В масці 1 є отвір 5. Форма отвору може бути геометричною фігурою, наприклад, цифрою або буквою. Обробку алмазів відповідно до запропонованого способу здійснюють таким чином. Кристал 4 поміщають в свинцевий контейнер з товщиною маски 1, рівної 5мм. Верхня частина контейнера є маскою 1, яка має вікно 5 з контурами, наприклад геометричної фігури (прямокутника) або букви. За рахунок подачі напруги на частини 1 і 2 контейнера в кристалі 4 створюється електричне поле з напруженістю понад 10В/см. Після цього контейнер зверху піддають дії електронного опромінювання. Оскільки верхня частина 1 контейнера є маскою для електронного потоку, то електронній дії піддається тільки немаскована ділянка кристала 4, розташована під отвором 5 в масці 1. Кристал алмаза 4 нагрівається за рахунок електричного струму, зовнішнього джерела струму або високої інтенсивності електронного випромінювання. Опромінювання контейнера з кристалом інтегральним електронним потоком понад 1016см -2 викликає структурні зміни в немаскованій частині Комп’ютерна в ерстка Л.Литв иненко 4 алмаза під отвором 5, що приводять до зміни кольору в цій локальній частині алмаза. Інтенсивність і колір суттєво залежать від енергії електронів і дози опромінювання. Інтенсивна іонізація потоком електронів матеріалу в локальній ділянці при наявності електричного поля приводить до збільшення локального енерговиділення, ведучому до розпаду ряду дефектів типу пухирців і мікровключень. Слід зазначити, що можлива обробка алмаза без маски сканувальним електронним променем з енергією понад 500кеВ. Спосіб дозволяє отримати алмази з ділянками різних відтінків і кольорів, переважно зелених, голуби х, червоно-жовтих і чорних, при потоках електронів 1016-1018см -2 і температурою навколишнього середовища 300-800°С. При цьому можливо в кристалі формування об'ємних фігур і зображень у вигляді букв символів і т.д. Наявність електричного поля понад 102В/см приводить до локального розігрівання кристала до високих температур понад 1000°С, що приводять до розпаду бульбашкових де фектів. Різні відтінки і кольори одержують або зміною енергії електронів пучка в межах 0,310меВ, або шляхом заміни масок. Запропонований спосіб обробки алмазів може знайти широке використання в ювелірній промисловості як для їх облагороджування, так і доданням ним нових споживацьких властивостей. Підписне Тираж 26 прим. Міністерство осв іт и і науки України Держав ний департамент інтелектуальної в ласності, вул. Урицького, 45, м. Київ , МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислов ої в ласності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601