C30B 33/02 — термообробка

Номер патенту: 118459

Опубліковано: 10.08.2017

Автори: Хвищун Микола В'ячеславович, Маслюк Володимир Трохимович, Луньов Сергій Валентинович, Зімич Андрій Іванович

МПК: C30B 33/04, C30B 15/00, C30B 33/02 ...

Мітки: магніточутливого, спосіб, мікросенсора, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання магніточутливого мікросенсора, що включає одержання напівпровідникового домішкового монокристалу, піддавання його ізотермічному відпалу та з'єднання після охолодження до кімнатної температури з двома парами контактів, який відрізняється тим, що домішковий монокристал виготовляють з речовини n-типу провідності, та додатково опромінюють його потоком високоенергетичних електронів, а ізотермічний відпал здійснюють після...

Номер патенту: 104018

Опубліковано: 12.01.2016

Автори: Манохін Олексій Георгійович, Бєлєвцев Олександр Рудольфович, Ємельянов Ігор Олександрович, Лисенко Олексій Юрійович, Грущинська Олена Володимирівна

МПК: C30B 33/02, C30B 29/20

Мітки: високотемпературного, рубінів, відпалу, сапфірів, синіх, комплекс

Формула / Реферат:

1. Комплекс для високотемпературного відпалу рубінів і синіх сапфірів, що включає модуль печі для відпалу, модуль контролю температури і модуль управління газовим режимом, кожний з яких інтегрований з керуючим модулем, та модуль живлення, який відрізняється тим, що додатково містить модуль дефектоскопії, що включає рентгенофлуоресцентний аналізатор, гемологічний мікроскоп та блок бази даних характеристик рубінів і синіх сапфірів,...

Номер патенту: 104701

Опубліковано: 25.02.2014

Автори: Гриньов Борис Вікторович, Трубаєва Ольга Геннадіївна, Старжинський Микола Григорович, Жуков Олександр Вікторович, Лалаянц Олександр Іванович, Зеня Ігор Михайлович

МПК: C30B 33/02, C30B 29/48

Мітки: кристалів, цинку, активованих, сцинтиляційних, селеном, сульфіду, термообробки, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки кристалів сульфіду цинку, активованих селеном, що включає їх відпал в насичених парах цинку при температурі 950-1300 °C протягом 30-50 годин, який відрізняється тим, що здійснюють попередній відпал кристалів у змішаному середовищі водню і парів селену при Т=600-950 °C протягом 8-10 годин.

Номер патенту: 100736

Опубліковано: 25.01.2013

Автори: Піскун Наталія Василівна, Асніс Юхим Аркадійович, Бабич Вілик Максимович, Статкевич Ігор Іванович, Баранський Петро Іванович

МПК: C30B 13/12, C30B 29/06, C30B 13/22 ...

Мітки: спосіб, кремнію, електронно-променевої, пристрій-натікач, безтигельної, одержання, методом, здійснення, монокристалів, плавки, зонної, легованих

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання легованих монокристалів кремнію методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки, який полягає в тому, що розплавляють зону вихідного стрижня дисковим електронним променем і подають легуючу домішку у плавильну камеру, яка вакуумується, при цьому газ легуючої домішки подають безпосередньо в плавильну камеру за допомогою пристрою-натікача, що включає циліндричний корпус з штуцерами для підключення входу і виходу...

Номер патенту: 94312

Опубліковано: 26.04.2011

Автори: Гринь Григорій Васильович, Гаврилюк Олег Якович

МПК: C30B 15/00, C30B 33/02, C30B 29/06 ...

Мітки: очищення, спосіб, кремнію, оборотів

Формула / Реферат:

Спосіб очищення оборотів кремнію, що включає плавлення оборотів кремнію електронним променем в плавильній ємності у вакуумі, витримку розплаву, зливання розплаву в тигель, який відрізняється тим, що плавлення і витримку розплаву ведуть в потоці інертного чи реакційного газу над поверхнею розплаву при глибині розплаву не більше ніж 5 см та максимальній потужності електронного променя, яка не призводить до кипіння розплаву.

Номер патенту: 89341

Опубліковано: 11.01.2010

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Старжинський Микола Григорович, Катрунов Костянтин Олексійович, Гальчинецький Леонід Павлович, Гриньов Борис Вікторович, Галкін Сергій Миколайович, Лалаянц Олександр Іванович

МПК: C01G 9/00, C30B 29/46, C01B 19/00 ...

Мітки: термообробки, спосіб, селеніду, цинку, активованих, кристалів

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку, що включає попередній відпал кристалів і подальший відпал кристалів у насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим двостадійним охолодженням спочатку до температури 600±10 °С зі швидкістю 100+10 °С/хв., потім до кімнатної температури зі швидкістю 2-3 °С/хв., який відрізняється тим, що попередній відпал кристалів проводять у водні при...

Номер патенту: 87331

Опубліковано: 10.07.2009

Автори: Трубаєва Ольга Геннадіївна, Катрунов Костянтин Олексійович, Гальчинецький Леонід Павлович, Лалаянц Олександр Іванович, Старжинський Микола Григорович, Рижиков Володимир Діомидович, Сілін Віталій Іванович, Гриньов Борис Вікторович

МПК: C01G 9/00, C01B 19/00, C30B 29/00 ...

Мітки: термообробки, спосіб, кристалів, селеніду, цинку, активованих

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку, що включає відпал кристалів у насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим двостадійним охолодженням спочатку до температури 600±10 °С зі швидкістю 100±10 °С/хв., потім до кімнатної температури зі швидкістю 2-3 °С/хв., який відрізняється тим, що додатково здійснюють попередній відпал кристалів у проточній нейтральній атмосфері при температурі...

Номер патенту: 86104

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Гриньов Борис Вікторович, Нагорна Людмила Лаврентіївна, Тупіцина Ірина Аркадіївна

МПК: C30B 33/02, C30B 29/32

Мітки: вольфрамату, кадмію, спосіб, сцинтиляційних, термообробки, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки сцинтиляційних монокристалів вольфрамату кадмію, що включає нагрівання і витримку монокристалів з наступним їх охолодженням, який відрізняється тим, що монокристали нагрівають в відновній атмосфері при температурі 550-800 °С .

Номер патенту: 81729

Опубліковано: 25.01.2008

Автори: Пекар Григорій Соломонович, Сингаївський Олександр Федорович

МПК: C30B 33/02, C30B 15/00, C30B 29/08 ...

Мітки: германій, оптичний

Формула / Реферат:

Кристали оптичного германію, що містять електрично-активні атоми донорної домішки у концентрації 1·1013-5·1014см-3, які відрізняються тим, що як донорну домішку використовують натрій.

Номер патенту: 25246

Опубліковано: 25.07.2007

Автор: Бондаренко Сергій Вікторович

МПК: C30B 33/04, C01B 31/06, C30B 33/02, C30B 29/04 ...

Мітки: обробки, алмазів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб обробки алмазів, що включає дію електронного пучка з інтегральним потоком в інтервалі 5.10-5-5.1018 електрон/см2 і відпалу в інтервалі температур 300-1900 °С, який відрізняється тим, що дії електронного пучка з одночасно діючим електричним полем напруженістю понад 10 В/см піддають принаймні одну локальну ділянку кристала для надання цій ділянці певного колірного відтінку.

Номер патенту: 76387

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Галкін Сергій Миколайович, Воронкін Євгеній Федорович, Рижиков Володимир Діомидович, Сілін Віталій Іванович, Старжинський Микола Григорович, Катрунов Костянтин Олексійович, Лалаянц Олександр Іванович, Гальчинецький Леонід Павлович, Гриньов Борис Вікторович

МПК: C30B 33/02

Мітки: термообробки, сцинтиляційного, кристала, селеніду, легованого, цинку, домішкою, матеріалу, ізовалентною, спосіб, основі

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки сцинтиляційного матеріалу на основі кристала селеніду цинку, легованого ізовалентною домішкою, що включає термообробку в насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим охолодженням до кімнатної температури, який відрізняється тим, що охолодження проводять у два етапи, при цьому на першому етапі охолодження проводять до температури 600±10 °С зі швидкістю 100±10 °С/хв, а на другому етапі...

Номер патенту: 76025

Опубліковано: 15.06.2006

Автори: Нагорна Людмила Лаврентієвна, Кривошеін Вадим Іванович, Бабійчук Інна Петрівна, Катрунов Костянтин Олексійович, Бондар Валерій Григорійович, Рижиков Володимир Діомидович, Пирогов Євген Миколайович, Гриньов Борис Вікторович

МПК: C30B 29/10, C30B 33/02

Мітки: свинцю, термічної, спосіб, вольфрамату, обробки, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб термічної обробки монокристалів вольфрамату свинцю, який полягає в тому, що монокристали нагрівають, витримують при постійній температурі в атмосфері інертного газу та кисневмісній атмосфері і охолоджують до кімнатної температури, який відрізняється тим, що нагрівання здійснюють зі швидкістю 50-200 град./годину до температури 1030-1050°С, у початковій стадії термічну обробку проводять в атмосфері азоту з домішкою 1-5 об.% кисню при...

Номер патенту: 53469

Опубліковано: 15.12.2005

Автори: Кривоносов Євген Володимирович, Литвинов Леонід Аркадійович, Буй Алєксандр Алєксандровіч

МПК: C30B 33/02, C30B 29/20

Мітки: тикору, виробів, спосіб, термообробки, монокристалів, титаном, сапфіра

Формула / Реферат:

1. Ступочний млин, що містить у своєму складі ступу, який відрізняється тим, що в якості енергоприводу і товкача використовують дизель-молот.2. Ступочний млин за п. 1, який відрізняється тим, що в якості пального для дизель-молоту використовують природний пальний газ.

Номер патенту: 65682

Опубліковано: 15.04.2004

Автори: Тіманюк Володимир Олександрович, Клочко Аркадій Вікторович, Кабанов Анатолій Єгорович

МПК: C30B 33/00, C30B 33/02, C30B 33/04 ...

Мітки: металевих, монокристалів, ультразвуковий, спосіб, орієнтування

Формула / Реферат:

Ультразвуковий спосіб орієнтування металевих монокристалів, що включає пропускання ультразвуку крізь охолоджений до температури рідкого гелію зразок у напрямку відкритої поверхні Фермі, уміщення зразка в магнітне поле 5-15 кВ, яке спрямоване перпендикулярно розповсюдженню ультразвуку, реєстрацію піків поглинання при зміщенні кута між напрямком розповсюдження ультразвуку і магнітним полем, який відрізняється тим, що вказаний кут змінюють в...

Номер патенту: 65336

Опубліковано: 15.03.2004

Автори: Писклинець Уляна Михайлівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Прокопів Володимир Васильович

МПК: C30B 33/02, C30B 31/00

Мітки: p-типу, отримання, провідності, cdte:cl, спосіб, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів CdTe:Cl р-типу провідності, в якому монокристали телуриду кадмію вирощують методом Бріджмена, легування кристалів проводять в процесі росту шляхом додавання в ампулу наважки CdCl2 з подальшим двотемпературним відпалом у парах компонентів, який відрізняється тим, що концентрація легуючої домішки складає NCl =2-1018 см-3, температура відпалу - 1173 К, парціальний тиск пари кадмію змінюють у межах 2·102-6·103 Па,...

Номер патенту: 57145

Опубліковано: 16.06.2003

Автори: Бондар Валерій Григорійович, Рижиков Володимир Діомидович, Коневський Віктор Семенович

МПК: C30B 29/34, C30B 33/02

Мітки: спосіб, ортосилікату, монокристалів, гадолінію, відпалу

Формула / Реферат:

Спосіб відпалу монокристалів ортосилікату гадолінію шляхом нагрівання монокристалів до температури відпалу по нелінійному закону, наступної ізотермічної витримки при цій температурі і зниженням температури також по нелінійному закону, який відрізняється тим, що відпал монокристалів відтворюють у тепловому полі з осьовим градієнтом температури від 0,3 до 0,75 град/см, підвищують температуру до 600 - 750°С зі швидкістю 28 - 33 град/г, потім до...

Номер патенту: 53469

Опубліковано: 15.01.2003

Автори: Литвинов Леонід Аркадійович, Кривоносов Євген Володимирович, Буй Алєксандр Алєксандровіч

МПК: C30B 29/20, C30B 33/02

Мітки: спосіб, титаном, термообробки, тикора, виробів, монокристалів, сапфіра

Формула / Реферат:

1. Ступочний млин, що містить у своєму складі ступу, який відрізняється тим, що в якості енергоприводу і товкача використовують дизель-молот.2. Ступочний млин за п. 1, який відрізняється тим, що в якості пального для дизель-молоту використовують природний пальний газ.

Номер патенту: 43991

Опубліковано: 15.01.2002

Автори: Запухляк Руслан Ігорович, Фреїк Дмитро Михайлович, Прокопів Володимир Васильович, Матеїк Галина Дмитрівна, Михайльонка Руслан Ярославович

МПК: C30B 11/02, C30B 33/02

Мітки: отримання, спосіб, германій, свинець, термоелектричних, сплавів, телур

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричних сплавів PbTe-GeTe, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують у першій зоні до отримання розплаву і переміщують у другу зону до здійснення...

Номер патенту: 25044

Опубліковано: 25.12.1998

Автори: Гордієнко Людмила Сергійовна, Онопрієнко Петро Миколайович, Ілюха Олександр Іванович, Чернишов Олександр Антонович, Семиноженко Володимир Петрович, Осадчий Федір Антонович

МПК: C30B 29/00, C30B 33/02

Мітки: пластин, виготовлення, спосіб, сцинтиляційних, полікристалічних, великогабаритних, оптичних, матеріалів

Формула / Реферат:

Способ изготовления крупногабаритных поликристаллических пластин из оптических и сцинтилляционных материалов, включающий нагрев кристаллической заготовки до температуры 0,5Tпл < T < Tпл, где Tпл - температура плавления исходного материала, термомеханическое деформирование одноосным сжатием и последующее охлаждение, до комнатной температуры, отличающийся тем, что термомеханическое деформирование одноосным сжатием осуществляют с помощью...

Номер патенту: 24066

Опубліковано: 31.08.1998

Автори: Давиденко Микола Іванович, Бугай Олена Абрамівна, Трохименко Володимир Васильович

МПК: C30B 29/12, C30B 33/02, C30B 33/00 ...

Мітки: кристалів, одержання, оптичних, деталей, лужно-галоїдних, спосіб

Формула / Реферат:

1. Способ получения оптических деталей из щелочно-галоидных кристаллов, включающий резку цилиндрического кристалла на заготовки, их нагрев и выдержку при температуре 460~600°С с последующим охлаждением до комнатной температуры, отличающийся тем, что резку осуществляют аксиально боковой поверхности кристалла до толщины заготовок h и длины не более 3,14 R, где R - радиус заготовки, нагрев ведут со скоростью 30-50°С/ч, выдержку осуществляют в...

Номер патенту: 16664

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Вострецов Юрій Якович, Нагорна Людмила Лаврентіївна, Пирогов Євген Миколайович, Овечкін Андрій Євгенійович

МПК: C30B 33/02, C30B 29/32

Мітки: вольфрамату, спосіб, монокристалів, кадмію, термообробки

Формула / Реферат:

Способ термообработки монокристаллов вольфрамата кадмия, включающий нагрев, выдер­жку и охлаждение в кислородсодержащей атмос­фере, отличающийся тем. что, с целью увеличе­ния выхода годных и повышения светового выхода кристаллов, предварительно нагрев ведут со скоро­стью 50-100 град/ч при непрерывной откачке до 380-450°С с последующей выдержкой в течение 2-5 ч, затем откачку прекращают, вводят кисло­родсодержащую атмосферу, продолжают нагрев...

Номер патенту: 16735

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Бороденко Юрій Афанасійович, Кухтіна Ніна Миколаївна, Лисецька Олена Костянтинівна, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: C30B 29/48, C30B 33/02

Мітки: елементів, обробки, кристалічних, цинку, спосіб, основі, селеніду

Формула / Реферат:

Способ обработки кристаллических элемен­тов на основе СБленида цинка путем их выдержки при нагреве в газовой атмосфере, отличающийся тем, что, с целью увеличения прозрачности эле­ментов, обработку ведут при 1000- 1080°С в среде порошкообразного селенида цинка в протоке во­дорода в течение 3-10 ч для элементов с исход­ным коэффициентом оптического поглощения 1)<10~ см' или исходным коэффициентом ослаб­ления л < 0.7 см' и с добавлением в...

Номер патенту: 16710

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Старжинський Микола Григорович, Файнер Михайло Шайович, Гальчинецький Леонід Павлович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: C30B 29/46, C30B 33/02

Мітки: термообробки, елементів, спосіб, оптичних, селеніду, цинку

Формула / Реферат:

Способ термообработки оптических элемен­тов из селенида цинка, включающий выдержку при их нагреве, отличающийся тем, что, с целью уменьшения коэффициента оптического поглоще­ния в инфракрасной области, термообработку про­водят в атмосфере насыщенного пара теллура при нагреве до 1000-1050°С в течение 40-44 ч.

Номер патенту: 9942

Опубліковано: 30.09.1996

Автори: Бороденко Юрій Афанасійович, Кухтіна Ніна Миколаївна, Пирогов Євген Миколайович, Рижиков Володимир Діамидович, Бурачас Станіслав Феліксович

МПК: C30B 33/02, C30B 29/32

Мітки: спосіб, вісмуту, термообробки, германату, кристалів

Текст:

...что нагрев, выдержку и охлаждение кристаллов BGO в кислородсодержащей атмосфере с цепью улучшения сцинтилляционных параметров и увеличения выхода годных кристаллов осуществляют в следующих режимах; нагрев со скоростью 75-200 град/час до температуры 990 + 40°С, выдержку при этой температуре в течение 0,5-2 часов с пропусканием через кристалл постоянного электрического тока 2 плотностью 0,05-0.25 мА/см , охлаждение со скоростью 50-100 град/час...

Номер патенту: 6395

Опубліковано: 29.12.1994

Автори: Кривошеін Вадим Іванович, Бондаренко Станіслав Костянтинович, Мартинов Валерій Павлович, Пирогов Євген Миколайович, Бурачас Станіслав Феліксович, Бондар Валерій Григорович

МПК: C30B 33/02, C30B 29/02

Мітки: коштовних, вирошування, тиглів, металів, відновлення, монокристалів, спосіб

Формула / Реферат:

(57) Способ восстановления тиглей из драгоценных металлов для выращивания монокристаллов, включающий прокатку тигля и сварку трещин, отличающийся тем, что перед прокаткой тигель отжигают при 1200-1400°С и давлении 101-10-3 торр в течение 0,5-5,0 часов.

Номер патенту: 5190

Опубліковано: 28.12.1994

Автори: Бороденко Юрій Афанасійович, Кухтіна Ніна Миколаївна, Бурачас Станіслав Феліксович, Рижиков Володимир Діомидович, Пирогов Євген Миколайович

МПК: C30B 33/02, C30B 29/32

Мітки: германату, кристалів, вісмуту, спосіб, термообробки

Формула / Реферат:

Способ термообработки кристаллов гepманата висмута, включающий нагрев кристаллов со скоростью 75-200 град/час, выдержку и последующее охлаждение в кислородсодержащей атмосфере сначала со скоростью 50-100 град/час до температуры 900-960°С, а затем со скоростью 100-200 град/час, отличающийся тем, что кислородсодержащую атмосферу создают путем ведения процесса в замкнутом объеме в присутствии пятиокиси сурьмы в количестве 0,2-2,0 г/м3, а...