Спосіб обробки носія для запису та зберігання інформації

Изобретение относится к оптоэлектронике, а именно к технологии приема, отображения и хранения информации, и может быть использовано при формировании информационной среды для магнитооптических запоминающих систем, работающих в ультрафиолетовом (УФ) и дальнем инфракрасном (ИК) диапазонах. Известен носитель информации, содержащий полупроводниковый слой, расположенный на подложке и выполненный из аморфного полупроводника (Pb0,5Sn0,2) 0,5Te0,5 (Авт. св. СССР №1494038, Бюл. №26, опубл. 1989). Однако данный носитель информации чувствителен лишь к ближнему ИК-излучению, что сужает рабочий диапазон магнитооптической системы. Известен также магнитооптический носитель информации, содержащий рабочий слой в виде аморфной магнитной пленки состава Bi, Fe, Sm, а в качестве основы - Gd3Ga5O12 (Авт. св. СССР №1589320, Бюл. №32, опубл. 1990). Однако данное техническое решение неприменимо в дальнем ИК-диапазоне и УФобласти в качестве информационной среды для магнитооптических систем ввиду того, что его температурный диапазон недостаточен для образования кислородных вакансий, необходимых для повышения чувствительности носителя. Наиболее близким техническим решением, принятым в качестве прототипа, является способ обработки носителя для записи информации, состоящий в облучении электронами или g-лучами дозой 5 - 100Мрад перед экспонированием ультрафиолетовым светом полиолефиновой пленки (Авт. св. СССР №1246762, Бюл. №19, опубл. 1990). Однако этот способ не позволяет улучшить оптические свойства пленки (коэффициент прозрачности до 40%), так как после облучения в структуре носителя образуются радиационные дефекты, которые устраняются последующим отжигом. Облучение g-лучами, действительно, повышает светочувствительность носителя и контрастность изображения, но возникающие в процессе облучения радиационные центры окраски сужают информационный рабочий диапазон. Это связано с взаимоналожением радиационных дефектов, уничтожить которые позволяет высокотемпературный отжиг, предусмотренный в заявляемом способе. Признаком, общим с прототипом, является облучение пленки g-лучами. Признаками, отличными от прототипа, являются: высокотемпературный отжиг; намагничивание пленки; просвечивание ее в ультрафиолетовом и дальнем инфракрасном диапазонах. В основу изобретения поставлена задача обработки пленок структуры типа феррит-гранат путем их высокотемпературного отжига, облучения и намагничивания, что позволяет, за счет регулирования коэффициента прозрачности, записывать и хранить информацию как в ультрафиолетовом, так и в дальнем инфракрасном диапазонах. Сущность заявляемого изобретения, таким образом, сводится к следующему: облучению пленки g-лучами, ее высокотемпературному отжигу, намагничиванию и просвечиванию пленки ультрафиолетовым светом (0,2 - 1мкм) либо высокотемпературному отжигу, облучению пленки g-лучами, намагничиванию и просвечиванию инфракрасным излучением (5 - 100мкм). Заявляемая совокупность существенных признаков данного способа позволяет регулировать оптические свойства пленки, в частности, коэффициент поглощения (или коэффициент прозрачности) в зависимости от величины магнитного поля. Чем больше величина напряженности магнитного поля, тем выше коэффициент прозрачности обработанной пленки. В табл.1 показана зависимость коэффициента просветления обработанных пленок от величины напряженности магнитного поля при их просвечивании в УФ-диапазоне. Коэффициент просветления - разность между коэффициентом прозрачности магнитооптической пленки до обработки и коэффициентом прозрачности магнитооптической пленки после обработки ее в соответствии с заявляемым способом. В табл.2 показана зависимость коэффициента просветления обработанных пленок от величины магнитного поля при просвечивании их в дальнем ИК-диапазоне. Возможность осуществления способа подтверждают следующие примеры конкретного выполнения. Пример 1. Магнитооптическую пленку типа феррит-гранат подвергали облучению дозой 2 × 107Р на установке ЛМБ-1 закрытого вида "Гамма" изотопа 137C. Затем отжигали на воздухе при T = 1000 ± 15°C в течение часа. После свободного охлаждения образцы подвергались действию магнитного поля и экспонировались ультрафиолетовым светом в диапазоне от 0,2 до 1мкм (см. табл.1). Пример 2. Феррит-гранатовую пленку подвергали высокотемпературному отжигу на воздухе при T = 1000 ± 15°C в течение одного часа. Охлаждались образцы в печи до комнатной температуры, затем облучали в "Гамма" установке изотопа 137C дозой 102 - 107Р и намагничивали в зависимости от желаемого коэффициента прозрачности (см. табл.2). В дальнейшем подвергались просвечиванию в ИК-диапазоне (5 100мкм). Таким образом достигается возможность получения указанного технического результата: после специальной обработки, включающей облучение и отжиг, в пленке происходят структурные изменения, которые позволяют регулировать коэффициент прозрачности величиной магнитного поля в. диапазонах УФ (0,2 1мкм) и ИК (5 - 100мкм). Запись информации производится действием постоянного магнитного поля, а стирание - действием переменного магнитного поля величиной, равной величине постоянного магнитного поля.