Спосіб виготовлення магнітного носія інформації

т СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИН ПОДЛЕЖИТ 0ЛУБЛИНОВА№Ю В ОТКРЫТОЙ ПЕЧАТИ і • [19)OU(H , (51) & П С # " П408І5 А 11/14 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 121) 3659613/24-24 (22) 05.10.83 (71) Институт металлофизики АН УССР Н.А.Лесник и С.Я.Харитонский с (53) 681.327 (088.6) S? (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАГНИТНОГО Н0СР1ТЕЛЯ ИНФОРМАЦИИ 5.3593-359? м О1 Изобретение относится к вычислительной технике и может быть исполььоЕано для ИЗГОТОРЛЄНИЯ носителей инсормаьии уст-. рокстЕ запоминания и обработки радиосигналов, основанных на явлении ядерного магнитного резонанса. ИЗЕЄСТЄН LlJ способ изготоЕлежтя магнитного носителя ин формации, заключающиеся в нанесении в Еакууме слоя ферромагнитного материала на диэлектрическую подложку, нагретую до *f73 - 573°К, которую после нанесения ферромагнитного слоя охлаждают до ЗСО°К. Недостатком способа ЯЕЛЯЄТСЯ низки;-*: выход годных изделий. Неиболее близким по технической сущности к изооретению яЕ ляется способ ш , основанный на нанесении в вакууме слоя о ферромагнитного материале толщиной" более ICCO А, обладающего ядерным магнитным момеьтом, нагревании подложки во ьремя не несения от 423°К до 573°К и ее охлаждении после нанесения до ЗОС°К, причем ЕЄСЬ процесс производится Е постоянном магнитном поле величино;. 50 - ICGO 3, направленном параллельно плоскости подложки. Недостатком этого способа ЯЕЛЯЄТСК низкий вь'ход годных изделии, из-за низкой чувствительности изготовленных носителей к радиосигналу. Целью настоящего изобретения является повыиение выхода годных изделий. г\\ч Поставленная цель достигается тем, что в способе изготовления магнитного носителя инс~ормапии, основаньем на последовательном нанесении Е вакууме на диэлектрическою подложку двух слоев дерромагиитного материала с ядернымжагнктным уоментом, первый из которых наносят до толщины,! ft і ^СС А до Г) 600 А при температуре диэлектрической подложгаШот 4£3 К до fir 573 К Е постоянном магнитном поле напряженностью от 5С с до ЮСО С, направленном псгаллельно плоскости подложки, и охлаждении носителя до нормальной температуры Е ТОМ же постояньом магнитном поле, нанесение второго слоя серромагнитного материала с ядерным магнитным моментом осуществляют от тол0 0 щины от 6С0 А до 400 А при температуре подложки от390иК до 4С0°К £ постоянном магнитном поле напряженностью от 50 Э до 1000 3, направленном параллельно плоскости подложки и перпендикулярно направлению постоянного магнитного поля ПРИ НАНЕСЄИИИ " ЛЕР&оГб ' СЛйЯ Носитель информации, изготовленным по настоящему способу, состоит из двух одинаковых слоев, оси легкого намагничивания которых взаимно перпеьдик^лярны, Е результате чего происходит уменьшение практически до нуля поля анизотропии носителя и СЕязанное с STUM увеличение удельной интенсивности выходного сигнала. Компенсация поля анизотропии мохет происходить только при малых толщинах слоев. Температура подложки при нанесении Еторогс слоя должна быть нике темперетуры пги нанесении первого слоя для того, ^тобы не происходило перео [чентации намагниченности первого слоя под действием поля, приложенного перпендикулярно исходному. Использование настоящего изобретения обеспечивает по сревнению с известным способом повышение выхода годных "''вследствие V \ЕЄЛ:ЇЧЄН;ЇЯ Ч^'2СТЕ:'ТЄЛЬНОСТ;Ї носителя к радиоизлучению Е— несколько роз. ІСРНУЛА їіЗОсРЕТЕНІІЯ Ц* Способ изготоЕ.пенмя магнитного носителя информации, осноьанкый на последовательном нанесении з вакууме на диэлектрическую подложку двух слоев ферромагнитного материале с ядерным магнитным моментом, первый из которых наносят до о о толщины от ^:00 А до 6С0 А при температуре диэлектрической / подложки от т23°К до 573°К я постоянном магнитном поле напряженностью от 50 3 до 1000 3, направленном параллельно плоскости подложки, и охлаждении носителя до нормальной темперетуры в том ;ке постоянном магнитном поле, отличающийся тем, что, с цель?: повышения Еыхода годных изделий, нанесение второго слоя ферромагнитного материала с ядерным маг0 0 нитным моментом осуществляют до толщины от 600 А до 400 А при температуре подложки от 3£0°К до 4С0°К в постоянном магнитном поле напряженностью от 50 2 до JpC05, направленном параллельно плоскости подложки и перпендикулярно направлению постоянного магнитного поля прл нанесея:ш первого слоя. ники инуоимации, принятые во выиглание при экспертизе 1. Авторское СЕі-гдетельстїО СССР і 9І9369, к л . б - П С И/14, 1982 . 2. Авторское свидетельство С С I 8 S 3 ^ C ^ ? 1 ^ J I С СР / / Поплисапо к п е ч а т и^ - /-^> ' Зак. № Пронэподственпо-полиграфтгческое предприятие 'Патент*, Бережковская наб. 2 4 ЭКЭ.