Горбань Олександр Миколайович

Номер патенту: 69040

Опубліковано: 16.08.2004

Автори: Костенко Валер'ян Остапович, Горбань Олександр Миколайович, Кравчина Віталій Вікторович

МПК: H01L 21/70

Мітки: транзисторами, мікросхем, комплементарними, інтегральних, виготовлення, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення інтегральних схем з комплементарними транзисторами, який включає формування на монокристалічній кремнієвій пластині плівки нітриду кремнію, відкривання в ній локальних ділянок, формування першої плівки двоокису кремнію, відкривання в ній локальних ділянок, травлення першої групи ізолюючих канавок, формування захованого шару, формування другої плівки двоокису кремнію, відкривання вікон у плівках нітриду кремнію за...

Номер патенту: 28793

Опубліковано: 15.08.2001

Автори: Швець Юлій Олександрович, Горбань Олександр Миколайович, Горбенко Віталій Іванович

МПК: H01L 21/223

Мітки: фосфіду, спосіб, отримання, індію, метал-напівпровідник, електричного, контакту, типу

Формула / Реферат:

Спосіб отримання електричного контакту типу "метал-напівпровідник" до фосфіду індію, що включає його ва­куумування та нагрівання до температури дисоціації, який відрізняється тим, що нагрівання проводять в умовах низького вакууму в середовищі, яке вміщує атомарний водень з концентрацією від 1·1018 до 1·1021 атомів/м3.

Номер патенту: 29594

Опубліковано: 15.11.2000

Автори: Кравчина Віталій Вікторович, Горбань Олександр Миколайович

МПК: G01P 15/12

Мітки: спосіб, прискорення, інтегральній, виготовлення, датчик

Текст:

...толщиной 100-800 мкм, что обеспечивает возможность точного задания емкостного зазора и крепления датчика. Упругие балки содержат интегральные полупроводниковые приборы, что позволяет определять ускорение по электрическим характеристикам этих приборов независимо от определения ускорения по изменению емкости емкостного зазора. Пробная масса имеет не две, как в прототипе, а одну степень свободы, что позволяет точнее определить ускорение, это...

Номер патенту: 28793

Опубліковано: 16.10.2000

Автори: Горбенко Віталій Іванович, Швець Юлій Олександрович, Горбань Олександр Миколайович

МПК: H01L 21/223

Мітки: отримання, контакту, спосіб, фосфіду, типу, металнапівпровідник, електричного, індію

Формула / Реферат:

Спосіб отримання електричного контакту типу "метал-напівпровідник" до фосфіду індію, що включає його ва­куумування та нагрівання до температури дисоціації, який відрізняється тим, що нагрівання проводять в умовах низького вакууму в середовищі, яке вміщує атомарний водень з концентрацією від 1·1018 до 1·1021 атомів/м3.

Номер патенту: 25721

Опубліковано: 30.10.1998

Автори: Горбань Олександр Миколайович, Маслова Оксана Володимирівна

МПК: G03C 1/72

Мітки: носія, спосіб, запису, обробки, інформації, зберігання

Формула / Реферат:

Способ обработки носителя для записи и хранения информации, представляющего собой магнитооптическую пленку структуры типа феррит-гранат, заключающийся в облучении ее g-лучами, отличающийся тем, что пленку дополнительно подвергают высокотемпературному отжигу, намагничиванию и просвечиванию в ультрафиолетовом диапазоне (0,2 - 1мкм) либо инфракрасном диапазоне (5 - 100мкм), при этом облучение g-лучами в ультрафиолетовом диапазоне предшествует...