Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

Пристрій для вимірювання температури газу в нерівноважній плазмі, що містить розрядну трубку, вакуумний шліф, який з'єднано з розрядною трубкою, кварцовий капіляр з зовнішнім діаметром 0,5-1 мм, який закріплено на вакуумному шліфі і який запаяно на кінці, і мідь-константанову термопару, яку введено всередину капіляра, який відрізняється тим, що до нього введено джерело постійної напруги, перший, другий, третій, четвертий і п'ятий резистори, перший, другий і третій біполярні транзистори, першу і другу ємності, причому перший полюс джерела постійної напруги черезперший резистор і другий резистор підключено до мідь-константанової термопари, а через перший резистор підключено до першого біполярного транзистора і другого біполярного транзистора, паралельно колекторам яких підключено послідовне коло з третього і четвертого резистора, а послідовне коло з першої ємності і п'ятого резистора підключено до емітера і колектора третього біполярного транзистора, до колектора якого і загальної шини підключена друга ємність і паралельно якій підключено джерело постійної напруги, а вихід пристрою утворений колектором першого біполярного транзистора і загальною шиною.

Текст

Пристрій для вимірювання температури газу в нерівноважній плазмі, що містить розрядну трубку, вакуумний шліф, який з'єднано з розрядною трубкою, кварцовий капіляр з зовнішнім діаметром 0,5-1 мм, який закріплено на вакуумному шліфі і який запаяно на кінці, і мідь-константанову термопару, яку введено всередину капіляра, який відрізняється тим, що до нього введено джерело 3 резистори, перший, другий і третій біполярні транзистори, першу і другу ємності, причому перший полюс джерела постійної напруги через перший резистор і другий резистор підключено до термопари, а через перший резистор - до першого біполярного транзистора і другого біполярного транзистора, паралельно колекторам яких підключено послідовне коло з третього і четвертого резистора, а послідовне коло з першої ємності і п’ятого резистора підключено до емітера і колектора третього біполярного транзистора, до колектора якого і загальної шини підключена друга ємність і паралельно якій підключено джерело постійної напруги, а вихід пристрою утворений колектором першого біполярного транзистора і загальною шиною. Використання запропонованого пристрою суттєво підвищує точність виміру інформативного параметру (температури газу) за рахунок перетворення аналогового сигналу, який виробляється термопарою, в частотний сигнал за допомогою частотного перетворювача, де в якості елементів коливального контуру використовується: ємнісного - структура на основі першого та другого біполярних транзисторів та індуктивного - структура на основі використання індуктивних властивостей третього біполярного транзистора, і в якому зміна провідності під дією температури перетворюється в ефективну зміну резонансної частоти. На кресленні подано схему пристрою для визначення моменту закінчення процесу плазмового травлення. Пристрій складається з розрядної трубки 1, вакуумного шліфа 2, який з'єднано з розрядною трубкою таким чином, щоб забезпечити їх вакуумне з'єднання, кварцовий капіляр 3, який вакуумно щільно з'єднано з вакуумним шліфом 2 таким чином, щоб основна частина капіляру з запаяним кінцем була розташована в розрядній трубці 1, мідь-константанову термопару 4, яка знаходиться в середині капіляра з, джерело напруги 5, яке через перший резистор 6 і другий резистор 7 підключено до мідь-константанової термопари 4 і першого біполярного транзистора 8 і другого біполярного транзистора 9, паралельно колекторам яких підключено послідовне коло з третього резистора 10 і четвертого резистора 11. Послідовне коло з першої ємності 12 і п’ятого резистора 14 підключено до емітера і колектора третього біполярного транзистора 13, до колектора якого і загальної шини підключена друга ємність 15 паралельно якій підключено перше джерело постійної напруги 5. Вихід пристрою утворений колектором першого біполярного транзистора 8 і загальною шиною. Пристрій працює наступним чином. В початковий момент часу температура газу не діє на мідь-константанову термопару 4. Підвищенням напруги джерела постійної напруги у через резистор 6 і резистор 7 до величини, коли на електродах колектор-колектор біполярних транзисторів 8, 9 виникає від’ємний опір, який приводить до виникнення електричних коливань в контурі, який утворений паралельним включенням 27662 4 повного опору з ємнісним характером на електродах колектор-колектор біполярних транзисторів 8, 9 та повним опором з індуктивним характером. величина індуктивності якого визначається резистором 14, на електродах емітер-колектор третього біполярного транзистора 13. Ємність 15 запобігає проходженню змінного струму через джерело постійної напруги 2. При наступній дії температури газу на термопару 4 змінюється як ємнісна так і індуктивна складова повного опору на електродах колектор-колектор біполярних транзисторів 8, 9 та повного опору на електродах емітер-колектор третього біполярного транзистора 13, що викликає зміну резонансної частоти коливального контуру.

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Device for measuring temperature of gas in unbalanced plasma

Автори англійською

Kravchenko Serhii Yuriiovych, Kravchenko Yurii Stepanovych, Osadchuk Volodymyr Stepanovych, Osadchuk Oleksandr Volodymyrovych

Назва патенту російською

Устройство для измерения температуры газа в неуравновешенной плазме

Автори російською

Кравченко Сергей Юрьевич, Кравченко Юрий Степанович, Осадчук Владимир Степанович, Осадчук Александр Владимирович

МПК / Мітки

МПК: G01K 7/40

Мітки: температури, пристрій, газу, вимірювання, плазми, нерівноважній

Код посилання

<a href="https://ua.patents.su/2-27662-pristrijj-dlya-vimiryuvannya-temperaturi-gazu-v-nerivnovazhnijj-plazmi.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Пристрій для вимірювання температури газу в нерівноважній плазмі</a>

Подібні патенти