H01L 21/302 — для зміни фізичних властивостей або форми їх поверхонь, наприклад травлення, полірування, різання

Номер патенту: 117363

Опубліковано: 26.06.2017

Автори: Парасюк Олег Васильович, Дремлюженко Сергій Григорович, Федорчук Анатолій Олександрович, Фочук Петро Михайлович

МПК: H01L 21/302, C09G 1/02

Мітки: tl4cdi6, кристалів, tl4pbi6, склад, хіміко-механічного, полірування, поверхні, tl4hgi6, аiiibiicvii

Формула / Реферат:

Склад для хіміко-механічного полірування кристалів AIIIBIICVII (Tl4HgI6, Tl4PbI6, Tl4CdI6), що містить аеросил (марок А-175, A-300), луг, окисник, гліцерин, воду, який відрізняється тим, що заявлений склад додатково містить моноетаноламін, а як окисник застосовують гексаціаноферат (III) калію (K3[Fe(CN)6]), при наступному співвідношенні компонентів: аеросил (марок А-175, А-300) 0,17 моль/л, ...

Номер патенту: 100965

Опубліковано: 25.08.2015

Автори: Шепелявий Петро Євгенович, Луканюк Марія Василівна, Індутний Іван Захарович, Данько Віктор Андрійович, Минько Віктор Іванович

МПК: G03F 7/26, G03F 1/56, G03G 5/10 ...

Мітки: рельєфно-фазових, спосіб, шарах, періодичних, літографічних, масок, резистів, структур, халькогенідних, формування, позитивних

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування літографічних масок та рельєфно-фазових періодичних структур на шарах халькогенідних резистів, який включає нанесення на підкладинку шару резисту з неорганічної халькогенідної сполуки, відпал резисту протягом 1-3 годин при температурі від Tg-5 до Tg-15 °C, де Tg - температура розм'якшення даного халькогеніду, експонування резисту випромінюванням спектрального складу, що відповідає міжзонному поглинанню халькогеніду,...

Номер патенту: 71652

Опубліковано: 25.07.2012

Автори: Загоруйко Юрій Анатолійович, Христьян Володимир Анатолійович, Коваленко Назар Олегович, Герасименко Андрій Спартакович

МПК: H01L 21/302

Мітки: основі, отримання, спектрометричного, спосіб, cdznte, сполуки, детектора

Формула / Реферат:

Спосіб отримання спектрометричних детекторів на основі сполуки CdZnTe, який включає механічну обробку поверхні, промивання, просушування, видалення порушеного приповерхневого шару шляхом опромінення поверхні зразків послідовністю лазерних імпульсів з довжиною хвилі випромінювання менше 790 нм, тривалістю імпульсів не більше 1,0 мкс, середньою щільністю потужності імпульсів 10...70 МВт/см2, дозою опромінення 0,25...3,0 Дж/см2, нанесення...

Номер патенту: 65017

Опубліковано: 25.11.2011

Автори: Кравченко Сергій Юрійович, Осадчук Володимир Степанович, КРАВЧЕНКО ЮРІЙ СТЕПАНОВИЧ

МПК: H01L 21/302

Мітки: визначення, закінчення, процесу, травлення, плазмового, моменту, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для визначення моменту закінчення процесу плазмового травлення, що містить вузькосмуговий інтерференційний фільтр, що оптично пов'язаний з фотоперетворювачем, який містить фототранзистор, біполярний транзистор, ємність, котушку індуктивності та два джерела постійної напруги, крім того частотний фотоперетворювач містить другий біполярний транзистори, перший та другий резистори, причому колектор фототранзистора з'єднаний з базою...

Номер патенту: 64926

Опубліковано: 25.11.2011

Автори: Кравченко Сергій Юрійович, КРАВЧЕНКО ЮРІЙ СТЕПАНОВИЧ, Осадчук Володимир Степанович

МПК: H01L 21/302

Мітки: визначення, пристрій, закінчення, травлення, процесу, моменту, плазмового

Формула / Реферат:

Пристрій для визначення моменту закінчення процесу плазмового травлення, що містить вузькосмуговий інтерференційний фільтр, що оптично пов'язаний з фотоперетворювачем, який містить фоторезистор, біполярний транзистор, ємність, котушку індуктивності та два джерела постійної напруги, який відрізняється тим, що фотоперетворювач містить другий біполярний транзистор, перший та другий резистори, причому перший вивід фоторезистора з'єднаний із...

Номер патенту: 51304

Опубліковано: 12.07.2010

Автори: Загоруйко Юрій Анатолійович, Христьян Володимир Анатолійович, Коваленко Назар Олегович, Федоренко Ольга Олександрівна, Комарь Віталій Корнійович

МПК: H01L 21/302

Мітки: сполуки, отримання, спектрометричного, спосіб, основі, cdznte, детектора

Формула / Реферат:

Спосіб отримання спектрометричних детекторів на основі кристалів CdZnTe, що включає механічну обробку поверхні, просушування, видалення порушеного шару, нанесення суцільних електричних контактів на протилежні поверхні кристала, отримання захисного шару на боковій поверхні, який відрізняється тим, що спочатку наносять суцільні електричні контакти на протилежні поверхні кристала, а потім видаляють порушений шар із бокової поверхні шляхом...

Номер патенту: 48252

Опубліковано: 10.03.2010

Автори: Христьян Володимир Анатолійович, Федоренко Ольга Олександрівна, Загоруйко Юрій Анатолійович

МПК: H01L 21/302

Мітки: детектора, сполуки, основі, спектрометричного, cdznte, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання спектрометричних детекторів на основі кристалів CdZnTe, який включає механічну обробку поверхні, видалення порушеного шару шляхом хімічного травлення поверхні, просушування, нанесення суцільних електричних контактів на протилежні поверхні кристала, отримання захисного шару на боковій поверхні шляхом опромінювання УФ-випромінюванням у атмосфері, що містить кисень, з інтенсивністю випромінювання 10...20 кВт/м2, який...

Номер патенту: 40036

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Загоруйко Юрій Анатолійович, Герасименко Андрій Спартакович, Коваленко Назар Олегович, Федоренко Ольга Олександрівна, Комарь Віталій Корнійович, Сулима Сергій Віталійович, Христьян Володимир Анатолійович

МПК: H01L 21/302

Мітки: спектрометричного, сполуки, отримання, детектора, спосіб, cdznte, основі

Формула / Реферат:

Спосіб отримання детекторів на основі кристалів CdZnTe, який включає механічну обробку поверхні, видалення порушеного шару шляхом хімічного травлення поверхні, просушування, отримання захисного шару на поверхні, нанесення електричних контактів на протилежні поверхні кристала, який відрізняється тим, що спочатку наносять електричні контакти на вказані поверхні, після чого отримують захисний шар шляхом опромінювання УФ випромінюванням у...

Номер патенту: 31519

Опубліковано: 10.04.2008

Автори: КРАВЧЕНКО ЮРІЙ СТЕПАНОВИЧ, Дудник Дмитро Петрович

МПК: H01L 21/302

Мітки: моменту, процесу, спосіб, плазмохімічного, визначення, закінчення, травлення

Формула / Реферат:

Спосіб визначення моменту закінчення процесу плазмохімічного травлення, який включає розміщення підкладок у вакуумній камері, напуск робочого газу в процесі травлення, запалювання розряду, введення в зону розряду електричного зонда, відкачку продуктів реакції в процесі травлення, реєстрацію аналогового зондового сигналу, який відрізняється тим, що зареєстрований сигнал перетворюють в частотний, за зміною якого визначають момент закінчення...

Номер патенту: 31602

Опубліковано: 10.04.2008

Автори: КРАВЧЕНКО ЮРІЙ СТЕПАНОВИЧ, Савицький Антон Юрійович

МПК: H01L 21/302

Мітки: матеріалів, спосіб, обробки, плазмохімічної

Формула / Реферат:

Спосіб плазмохімічної обробки матеріалів, який полягає у травленні напівпровідникових пластин, що проводять в циліндричному реакторі, в якому плазму ВЧ-розряду збуджують при пониженому тиску плазмоутворюючого газу шляхом створення в реакторі високочастотного електричного поля напруженістю Е, яке зумовлює появу хімічно активних частинок плазми концентрацією N, пластини розташовують у спеціальних касетах на відстані h одна від одної, який...

Номер патенту: 26976

Опубліковано: 10.10.2007

Автори: Кравченко Сергій Юрійович, Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович, КРАВЧЕНКО ЮРІЙ СТЕПАНОВИЧ

МПК: H01L 21/302

Мітки: визначення, закінчення, травлення, спосіб, плазмохімічного, процесу, моменту

Формула / Реферат:

Спосіб визначення моменту закінчення процесу плазмохімічного травлення, в якому власне оптичне випромінювання плазми розділяють за допомогою оптичних вузькосмугових фільтрів на інформативне і фонове, який відрізняється тим, що інформативне і фонове оптичне випромінювання за допомогою оптичних частотних перетворювачів перетворюють в електричні частотні сигнали, частота яких залежить від інтенсивності випромінювання, а самі частотні сигнали...

Номер патенту: 26975

Опубліковано: 10.10.2007

Автори: КРАВЧЕНКО ЮРІЙ СТЕПАНОВИЧ, Осадчук Олександр Володимирович, Кравченко Сергій Юрійович, Осадчук Володимир Степанович

МПК: H01L 21/302

Мітки: плазмового, визначення, моменту, процесу, закінчення, пристрій, травлення

Формула / Реферат:

Пристрій для визначення моменту закінчення процесу плазмового травлення, що містить вузькосмуговий інтерференційний фільтр, який оптично зв'язаний з частотним фотоперетворювачем, який містить фотодіод, джерело постійної напруги, резистор, біполярний транзистор і ємність, який відрізняється тим, що до складу частотного фотоперетворювача додатково введено другий і третій біполярні транзистори, другу ємність, другий, третій, четвертий і п'ятий...

Номер патенту: 9700

Опубліковано: 17.10.2005

Автори: КРАВЧЕНКО ЮРІЙ СТЕПАНОВИЧ, ДАНИЛЕНКО ОЛЕНА ОЛЕКСАНДРІВНА

МПК: H01L 21/302

Мітки: плазмового, пристрій, закінчення, процесу, моменту, визначення, травлення

Формула / Реферат:

Пристрій для визначення моменту закінчення процесу плазмового травлення, що містить лазер як джерело світла, конденсор, поворотне дзеркало, діафрагму та плазмовий реактор з пластинками (зразками), що підлягають обробці, і оптичним вікном для вводу і виводу оптичного випромінювання, який оптично зв'язаний з фотоперетворювачем, який відрізняється тим, що фотоперетворювач містить фотодіод, резистор, біполярний та польовий транзистори,...

Номер патенту: 9698

Опубліковано: 17.10.2005

Автори: ДАНИЛЕНКО ОЛЕНА ОЛЕКСАНДРІВНА, КРАВЧЕНКО ЮРІЙ СТЕПАНОВИЧ

МПК: H01L 21/302

Мітки: пристрій, процесу, плазмового, визначення, травлення, закінчення, моменту

Формула / Реферат:

Пристрій для визначення моменту закінчення процесу плазмового травлення, що містить лазер як джерело світла, конденсор, поворотне дзеркало, діафрагму та плазмовий реактор з пластинками (зразками), що підлягають обробці, і оптичним вікном для вводу і виводу оптичного випромінювання, який оптично пов'язаний з фотоперетворювачем, який відрізняється тим, що фотоперетворювач містить фоторезистор, біполярний та польовий транзистори, індуктивність,...

Номер патенту: 4229

Опубліковано: 17.01.2005

Автори: ДАНИЛЕНКО ОЛЕНА ОЛЕКСАНДРІВНА, КРАВЧЕНКО ЮРІЙ СТЕПАНОВИЧ

МПК: H01L 21/302

Мітки: визначення, пристрій, закінчення, процесу, моменту, плазмового, травлення

Формула / Реферат:

Пристрій для визначення моменту закінчення процесу плазмового травлення, що містить вузькосмуговий інтерференційний фільтр, який оптично пов'язаний з фотоперетворювачем, який відрізняється тим, що фотоперетворювач містить фоторезистор, біполярний та польовий транзистори, індуктивність, ємність і два джерела постійної напруги, причому перший полюс першого джерела постійної напруги підключений до бази біполярного транзистора, емітер якого...

Номер патенту: 4413

Опубліковано: 17.01.2005

Автори: КРАВЧЕНКО ЮРІЙ СТЕПАНОВИЧ, ДАНИЛЕНКО ОЛЕНА ОЛЕКСАНДРІВНА

МПК: H01L 21/302

Мітки: плазмового, травлення, моменту, пристрій, процесу, закінчення, визначення

Формула / Реферат:

Пристрій для визначення моменту закінчення процесу плазмового травлення, що містить вузькосмуговий інтерференційний фільтр, який оптично зв'язаний з фотоперетворювачем, який відрізняється тим, що фотоперетворювач містить фотодіод, резистор, біполярний та польовий транзистори, індуктивність, ємність і два джерела постійної напруги, причому перший полюс першого джерела постійної напруги підключений до бази біполярного транзистора, емітер якого...

Номер патенту: 56764

Опубліковано: 15.05.2003

Автори: Свєчніков Сергій Васильович, Горбач Тамара Яківна, Смертенко Петро Семенович

МПК: H01L 21/302, H01L 31/08

Мітки: виготовлення, планарний, спосіб, фоторезистор

Формула / Реферат:

1. Планарний фоторезистор, що містить напівпровідникову підкладку, поверхня якої виконана з рельєфом, який відрізняється тим, що фронтальна і тильна поверхні підкладки із напівізолюючого GaAs містять нестехіометричний вакансійно-галієвий шар скелетно-дендритної морфології товщиною не менше значення довжини хвилі випромінювання верхньої межі спектрального діапазону і шар оксиду арсенолітової фази.2. Спосіб виготовлення планарного...

Номер патенту: 14091

Опубліковано: 25.04.1997

Автори: Семенюк Валерій Федорович, Трипута Геннадій Олександрович

МПК: H01L 21/302

Мітки: реактор, обробки, іонно-плазмової

Формула / Реферат:

Реактор для ионно-плазменной обработки, содержащий вакуумную камеру, в которой соосно размещены разрядные электроды в виде кольца и диска с обрабатываемым изделием, подключенные к независимым источникам ВЧ-напряжения и раз­деленные промежуточным заземленным электро­дом, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности обработки и снижения загряз­нения поверхности изделия, он снабжен дополни­тельными электродами в виде диска,...

Номер патенту: 12083

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Самойленко Лідія Олександрівна, Гопкало Олександр Григорович, Тетерьвов Валерій Іванович, Власов Вячеслав Васильович

МПК: H01L 21/302

Мітки: круглих, пластинах, пристрій, виготовлення, фаски

Формула / Реферат:

Устройство для изготовления фаски на круг­лых пластинах, содержащее притир, имеющий возможность вращаться вокруг своей оси, головку с наклонными цилиндрическими отверстиями, стальные цилиндрические держатели обрабатыва­емых пластин, имеющие возможность входить в отверстия головки, и привод вращения держате­лей, отличающееся тем, что, с целью повышения качества обработки, каждое цилиндрическое от­верстие снабжено подвижной немагнитной...

Номер патенту: 5642

Опубліковано: 28.12.1994

Автори: Хоббіхожин Шаміль Абдурахмановіч, Хоменко Павло Хомич, Трипута Геннадій Олександрович, Семенюк Валерій Федорович, Гурін Анатолій Андрійович

МПК: H01L 21/302, C23C 14/02

Мітки: іонно-плазмової, пристрій, обробки

Формула / Реферат:

(57) Устройство для ионно-плазменной обра­ботки, содержащее вакуумную камеру, в ко­торой размещены разрядные электроды, подключенные к двум независимым источ­никам ВЧ-напряжения и разделенные промежуточным заземленным электродом с от­верстием, при этом обрабатываемое изде­лие размещено на одном из разрядных электродов напротив отверстия промежу­точного электрода, отличающееся тем, что оно снабжено дополнительным элект­родом, размещенным на...

Номер патенту: 3793

Опубліковано: 27.12.1994

Автори: Чуйко Олексій Олексійович, Куса Світлана Давидівна, Артьомов Алєксандр Сєрафімович, Антохін Ніколай Алєксандровіч, Кітін Дмітрій Вячеславовіч, Марченко Антоніна Володимирівна, Раухман Алєксандр Марковіч, Бескровна Ірина Іванівна, Леховіцер Світлана Борисівна, Губа Галина Яківна, Терень Марія Іванівна, Піщіков Дмітрій Івановіч

МПК: C09G 1/00, H01L 21/302

Мітки: суміш, напівпровідникових, полірування, хіміко-механічного, матеріалів

Формула / Реферат:

Состав для химико-механического полирования полупроводниковых материалов, содержащий абразивный компонент, гидроксид натрия или калия, 30%-ный раствор перекиси водорода и воду, отличающийся тем, что в качестве абразивного компонента он содержит аминоэтоксиаэросил и дополнительно - глицерин при следующем соотношении компонентов, мас. %: , Аминоэтокси аэросил 6,0-8,0 Гидроксид натрия или...

Номер патенту: 1565

Опубліковано: 25.07.1994

Автори: Любак Руслан Володимирович, Живов Михайло Давидович, Іванчич Ольга Семенівна, Богданов Євген Іванович, Вялий Василь Якович

МПК: H01L 21/302

Мітки: речовина, кріплення, напівпровідникових, пластин, поліруванні, клеюча

Формула / Реферат:

Клеящий состав для крепления полупро­водниковых пластин при полировании, содер­жащий канифоль, церезин и двухромовокислый калий, отличающийся тем, что, с целью улуч­шения качества и повышения выхода годных пластин, он дополнительно содержит смесь трихлорэтилена с изопропанолом, взятых в массо­вом соотношении 70:30 при следующем соотно­шении компонентов, мас.ч.:канифоль                                                      ...

Номер патенту: 1563

Опубліковано: 25.07.1994

Автори: Живов Михайло Давидович, Богданов Євген Іванович

МПК: H01L 21/302

Мітки: спосіб, напівпровідникових, пластин, фінішної, обробки

Формула / Реферат:

Способ финишной полировки полупро­водниковых пластин, включающий много­стадийную химико-механическую полировку полупроводниковых пластин на двух полироваль­никах с использованием водных абразивных сус­пензий, причем на первой стадии водородный показатель суспензий поддерживают от 11,5 до 12,4, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных за счет улучшения качества полированной поверхности пластин, химико-ме­ханическую полировку на...