Пристрій для вимірювання градієнтів деформації і температури
Номер патенту: 31975
Опубліковано: 25.04.2008
Автори: Романова Ірина Анатоліївна, КРАВЧЕНКО ЮРІЙ СТЕПАНОВИЧ
Формула / Реферат
Пристрій для вимірювання градієнтів деформації і температури, що містить основний тензочутливий елемент, який виконано у вигляді стержня з монокристала напівпровідника з кристалографічною орієнтацією [111] і з шаром ізоляції, якою є окислена його поверхня, додатковий тензочутливий елемент, який виконано у вигляді стержня з монокристала напівпровідника з кристалографічною орієнтацією [100], провідністю, що є протилежною до типу провідності основного тензочутливого елемента, з шаром ізоляції, якою є окислена його поверхня, розміщений паралельно основному тензочутливому елементу, вимірювач температури, який включено в електричне коло з послідовно включених основного і додаткового тензочутливих елементів, який відрізняється тим, що вимірювач температури містить резистор, біполярний та польовий транзистори, індуктивність, ємність і два джерела постійної напруги, причому перший полюс першого джерела постійної напруги підключений до бази біполярного транзистора, емітер якого з'єднаний з витоком і підкладкою польового транзистора, а колектор через резистор з'єднаний із затвором польового транзистора, першим виводом індуктивності, до якого підключена перша вихідна клема, при цьому другий вивід індуктивності підключений до першого виводу ємності і першого полюса другого джерела постійної напруги, а другий полюс підключений до другого виводу ємності і другого полюса першого джерела постійної напруги, які утворюють загальну шину, до якої підключена друга вихідна клема пристрою.
Текст
Пристрій відноситься до вимірювальної техніки і до засобів тензо- і термометрії і може бути використаний для одночасного вимірювання температури і деформації. Відомий пристрій для вимірювання градієнтів деформації і температури (малобазний тензодатчик), який містить основний p-типу і додатковий n-типу напівпровідникові тензочутливі елементи, які розташовані симетрично один одному, а посередині мають додаткові контакти, які з'єднані між собою. [А.с. СССР №1375945, кл. G 01В 7/18, 1986]. Недоліком такого пристрою є недостатня його чутливість до змін деформації і температури. Найбільш близьким технічним рішенням до даної корисної моделі є пристрій для вимірювання градієнтів деформації і температури (малобазний тензодатчик), який містить основний тензочутливий елемент, який виконано у вигляді стержня з монокристалу напівпровідника з кристалографічною орієнтацією [111] і з шаром ізоляції, якою є окислена його поверхня, і додатковий тензочутливий елемент, який виконано у вигляді стержня з монокристалу напівпровідника з кристалографічною орієнтацією [100], провідністю, що є протилежною до типу провідності основного тензочутливого елемента, з шаром ізоляції, якою є окислена його поверхня, розміщений паралельно основному тензочутливому елементу, і вимірювач температури, який включено в електричне коло з послідовно включених основного і додаткового тензочутливих елементів [А.с. СССР №1375945, кл. G 01В 7/18, 1986]. Недоліком такого пристрою є недостатня його чутливість до змін деформації і температури. В основу корисної моделі поставлено задачу створення пристрою для вимірювання градієнтів деформації і температури, в якому за рахунок введення нових елементів та зв'язків досягається збільшення точності вимірювання температур за рахунок розширення діапазону робочих температур та розширення функціональних можливостей. Поставлена задача досягається тим, що в пристрій для вимірювання градієнтів деформації і температури, який містить основний тензочутливий елемент, який виконано у вигляді стержня з монокристалу напівпровідника з кристалографічною орієнтацією [111] і з шаром ізоляції, якою є окислена його поверхня, і додатковий тензочутливий елемент, який виконано у вигляді стержня з монокристалу напівпровідника з кристалографічною орієнтацією [100], провідністю, що є протилежною до типу провідності основного тензочутливого елемента, з шаром ізоляції, якою є окислена його поверхня, розміщений паралельно основному тензочутливому елементу, і вимірювач температури, який включено в електричне коло з послідовно включених основного і додаткового тензочутливих елементів, вимірювач температури містить резистор, біполярний та польовий транзистори, індуктивність, ємність і два джерела постійної напруги, причому перший полюс першого джерела постійної напруги підключений до бази біполярного транзистора, емітер якого з'єднаний з витоком І підкладкою польового транзистора, а колектор через резистор з'єднаний із затвором польового транзистора, першим виводом індуктивності, до якого підключена перша вихідна клема, при цьому другий вивід індуктивності підключений до першого виводу ємності І першого полюсу другого джерела постійної напруги, а другий полюс підключений до другого виводу ємності, і другого полюса першого джерела постійної напруги, які утворюють загальну шину, до якої підключена друга вихідна клема пристрою. На кресленні подано схему запропонованого пристрою для вимірювання градієнтів деформації і температури. (Фіг.) Пристрій для вимірювання градієнтів деформації і температури складається з основного тензочутливого елементу 1 довжиною lр в вигляді стержня з монокристалу напівпровідника р-типу, наприклад, ниткоподібного кристалу кремнію з кристалографічною орієнтацією [111], і з додаткового тензочутливого елемента 2 довжиною ln у вигляді стержня з монокристалу напівпровідника n-типу, наприклад, ниткоподібного кристалу кремнію з кристалографічною орієнтацією [100], де в якості ізоляції 3 використовується окис кремнію, а також з вимірювача температури, в складі якого резистор 8, через який до вимірювача температури підключаються струмовиводи 5 і 7, а струмовиводи 4 i 6 з'єднуються разом, перший вивід резистора 8 з'єднаний з колектором біполярного транзистора 10 і першим виводом індуктивності 11, а другий вивід з'єднаний з затвором польового транзистора 9, стік якого з'єднаний з першим джерелом постійної напруги 12, що з'єднане з базою біполярного транзистора 10, емітер якого з'єднаний з витоком польовоготранзистора 9. Другий вивід індуктивності 11 з'єднаний з ємністю 13, паралельно до якої підключено друге джерело постійної напруги 14. Вимірювач напруги містить електричне коло з послідовно з'єднаних основного 1 і додаткового 2 тензочутливих елементів, параметри яких вибирають із співвідношень: Кр>0, Кn>0; (1) Sp Sn lp = = K p × rp K n × rn K n × rn (2) ; (3) ; де rр, rn - питомий опір тензочутливого елемента; Кр, Кn - коефіцієнти чутливості; lp, ln - довжини; Sp, Sn - площі поперечних перетинів. Пристрій для вимірювання градієнтів деформації і температури працює наступним чином. Пристрій для вимірювання градієнтів деформації і температури встановлюють на деталь, температура чи тензовластивості якої вимірюють, наприклад, наклеюється. Для вимірювання градієнта деформації основного 1 і додаткового 2 тензочутливих елементів через струмовиводи 4, 5 i 6, 7 під'єднуються до вимірювачів деформації. В якості ізоляції 3 використовується окис кремнію. Для вимірювання температури струмовиводи 4 і 6 з'єднуються разом, а струмовиводи 5 і 7 підключаються до вимірювача температури через резистор 8. При деформації деталі, ln K p × rp наприклад, розтягування, опір тензочутливого елемента 1 p-типу збільшується, а тензочутливого елемента 2 nтипу - зменшується. Якщо виконуються співвідношення (1) - (3) для параметрів тензочутливих елементів 1 і 2, таких як питомий опір, геометричні розміри і коефіцієнти чутливості опір послідовно з'єднаних тензочутливих елементів не залежить від деформації. Опір напівпровідників сильно залежить від температури, а тому опір послідовно з'єднаних тензочутливих елементів при виконанні співвідношень (1) - (3) буде тільки функцією температури, а не деформації. Зміна температури змінить параметри тензочутливих елементів, а, значить, і падіння напруги на резисторі 8. Підвищенням напруги джерел постійної напруги 12 і 14 до величини, коли на електродах колектор-стiк біполярного транзистора 10 і польового транзистора 9 виникає від'ємний опір, який приводить до виникнення електричних коливань в контурі, утвореного паралельним включенням повного опору з ємнісним характером на електродах колектор-стік біполярного транзистора 10 і польового транзистора 9 та індуктивним опором індуктивності 11. Ємність 13 запобігає проходженню змінного струму через друге джерело постійної напруги 14. Зміна напруги на резисторі 8 приводить до зміни ємнісної складової повного опору на електродах колектор - стік біполярного транзистора 10 і польового транзистора 9, а це викликає зміну резонансної частоти коливального контуру. Знаючи залежність коефіцієнтів чутливості тензочутливих елементів від температури і змінюючи температуру об'єкта, проводять вимірювання деформації об'єкту з високою точністю. Використання запропонованого пристрою для вимірювання градієнтів деформації і температури суттєво підвищує точність виміру градієнтів деформації і температури, а також збільшує діапазон робочих температур.
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюDevicefor measurement of gradients of deformation and temperature
Автори англійськоюKravchenko Yurii Stepanovych, Romanova Iryna Anatoliivna
Назва патенту російськоюУстройство для измерения градиентов деформации и температуры
Автори російськоюКравченко Юрий Степанович, Романова Ирина Анатольевна
МПК / Мітки
МПК: G01B 7/00
Мітки: деформації, градієнтів, температури, пристрій, вимірювання
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-31975-pristrijj-dlya-vimiryuvannya-gradiehntiv-deformaci-i-temperaturi.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Пристрій для вимірювання градієнтів деформації і температури</a>
Попередній патент: Мікроелектронний вимірювач оптичного випромінювання
Наступний патент: Спосіб прогнозування та вибір тактики лікування раку статевого члена
Випадковий патент: Спосіб прогнозування рівня врожаю зерна кукурудзи гібриду борисфен 250мв на визначений період часу