Спосіб гальванічного нанесення цинкового покриття на металеві деталі

1. Спосіб гальванічного нанесення цинкового покриття на металеві деталі, який включає осадження цинкового покриття на деталь за допомогою лужного електроліту, в склад якого входять окис цинку, гідроокис натрію, блискоутворюючі речовини, який відрізняється тим, що додатково у лужний електроліт вводять іон фтору у вигляді фторидів лужних металів, і осадження ведуть у три стадії, по перше, при катодній поляризації деталі здійснюють осадження попереднього шару цинку 0,2-0,3мкм протягом 1-2 хвилин, потім здійснюють анодну поляризацію деталі протягом 2-3 U 1 3 34715 покриття на металеві деталі, що включає осадження цинкового покриття на деталь у лужним електроліті, в склад якого входять окис цинку, гідроокис натрію, блискоутворюючі речовини, згідно корисної моделі, додатково у лужний електроліт вводять іон фтору у ви гляді фторидів лужних металів, і осадження ведуть у три стадії, по перше, здійснюють осадження попереднього шару цинку 0,2-0,3мкм протягом 1-2 хвилин при катодній поляризації деталі, потім здійснюють анодну поляризацію деталі протягом 2-3 хвилин до розчинення попереднього шару цинку, після чого деталь катодно поляризують і наносять потрібний шар цинкового покриття протягом 20-30 хвилин при безперервній фільтрації поверхневого шару електроліту, при цьому щільність току витримують при попередній катодної і анодної поляризації, рівної 23А/дм 2, а при повторній катодної поляризації - 26А/дм 2, у якості фторидів лужних металів - фторид калію або натрію. Електроліз ведуть в електроліті составу (г/л): NaOH 90,0-120,0 ZnO 5,0-10,0 NaF 5,0 Блискоутворюючі речовини 8,0-12,0 Використання заявленого способу дозволяє отримати високоякісні цинкові покриття при зменшенні собівартість виробництва шляхом ресурсозбереження та економії виробничих площин, обладнання та ресурсовитрат. Причинно-наслідковий зв’язок між сукупністю ознак корисної моделі і технічним результатом, що досягається, полягає у наступному. При попередній катодній поляризації і щільності току рівної 23А/дм 2 на поверхні металевої деталі осаджується тонкий цинковий шар та виділяється гідроген, який відриваючись від поверхні зачіплює і виносить на поверхню електроліту частинки жиру. Таким чином, відбувається знежирення деталі. При цьому, здійснюється безперервна фільтрація електроліту Комп’ютерна в ерстка C.Литв иненко 4 за допомогою зливу його поверхневого шару у відстійник, де відбувається розшарування на верхній шар забруднюючих речовин та нижній шар електроліту, який повертається у ванну для продовження процесу електролізу. При анодній поляризації деталі і щільності току рівної 2-3А/дм 2 здійснюється розчинення цинкової плівки. Також частково розчиняється поверхневий шар металу. Процесу видалення сприяє наявність в електроліті іонів фтору, які активно взаємодіють з матеріалом аноду. Заявлений спосіб реалізують таким чином. Підготовлений електроліт подають у ванну для електролізу при температурі 20-30°С. Потім у ванну опускають металеву деталь. Електроліз здійснюють при температурі 20-30°С на усіх етапах. В результаті електролізу отримають рівномірне дрібнокристалічне блискавичне цинкове покриття необхідної товщини. Катодний вихід по струму складає 95-98%, швидкість осадження цинку 0,30,6мкм/хвилину. Дослідні зразки покриттів були виготовлені і випробувані в умовах експериментального виробництва. Зовнішній вид покриття оцінювали візуально. Міцність зціплення з основою деталі визначали методом перегину. В результаті проведених випробувань було встановлено, що зціплення шару цинку з металом деталі і корозійна стійкість покриття не гірше ніж у процесі, взятому за прототип, але при цьому, витрати хімічних речовин і води знаходяться на рівні, значно меншому і, крім того, немає необхідності встановлення додаткових приладів, що сприяє ресурсозбереженню. Таким чином, заявлений спосіб має високій рівень технологічності і дозволяє отримувати високоякісні цинкові покриття на металевих деталях при зниженні собівартості внаслідок ресурсозбереження, що забезпечує його конкурентну спроможність. Підписне Тираж 28 прим. Міністерство осв іт и і науки України Держав ний департамент інтелектуальної в ласності, вул. Урицького, 45, м. Київ , МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислов ої в ласності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601