Пристрій для зменшення інтенсивності відбиття радіохвиль

Пристрій для зменшення інтенсивності відбиття радіохвиль, що включає камеру, на зовнішню поверхню якої нанесена плівка з діелектрика, який відрізняє ться тим, що в пристрій додатково введені вкраплення з α-радіоактивної речовини, розміщені між поверхнею камери та плівкою з діелектрика, які мають різні розміри та розташовані хаотично. (19) (21) 2004031847 (22) 12.03.2004 (24) 15.11.2004 (46) 15.11.2004, Бюл. №11, 2004р. (72) Сотніков Олександр Михайлович, Судаков Олександр Геннадійович (73) ХАРКІВСЬКИЙ ВІЙСЬКОВИЙ УНІВЕРСИТЕТ 3 3485 4 камери, додатково введена радіоактивна речовиv - частота електромагнітної хвилі, що падає на, вкраплення якої випадково наносять на зворона покриття; тну сторону діелектричного шару. v i - власні частоти і-х осциляторів, які виниТехнічний результат, який може бути отримакають в покритті; ний при здійсненні корисної моделі полягає в тому, gi - частота зіткнень заряджених елементарщо здійснення запропонованого пристрою дозволить суттєво зменшити інтенсивність відбиття раних часток; діохвиль та розширити робочу смугу частот. j - уявна складова. На Фіг.1 приведений фрагмент структури поВ рівноважному стані плазмового середовища криття камери, яке запропоновано у корисній величина є визначена як: моделі. v2 На Фіг.2 приведений графік залежності коефіe p (v ) = 1- p (2) v2 цієнта відбиття електромагнітних хвиль від довжиТаким чином, відповідно до (1) та (2) викорисни хвилі. тані вкраплення радіоактивної речовини призвели Запропонований пристрій включає діелектричний шар 1, радіоактивну речовину 2, яка розміщедо зміни ep(v) на величину dv на на зворотній стороні діелектричного покриття 1, 2 vp v2 p які нанесені на зовнішню поверхню камери 3. dv = å 2 - 2 (3) 2 Пряма ЕМХ падає зі сторони діелектричного шару i v - v i + jg iv v покриття 1, проходить через нього та взаємодіє з Збільшення e еквівалентно збільшенню глибирадіоактивною речовиною 2. Діелектричний шар ни проникнення ЕМХ в покриття, а, відповідно, виготовлений по відомій технології, наприклад, з зменшенню інтенсивності відбиття радіохвиль. фібергласу. Радіоактивна речовина 2 представляє Крім того, поява осциляторів на частотах v i з себе джерело випромінювання a-часток, яка міспризвела до розширення робочої смуги частот тить різні за розміром та концентрацією включення запропонованого пристрою. a-радіоактивних речовин. Джерела інформації Робота запропонованого пристрою здійсню1. Физические основы диапазонных те хнолоється наступним чином гий типа „Стелс". / С.А. Масалов, А.В. Рыжак, О.И. Інжектовані радіоактивною речовиною aСухаревский, В.М. Шкиль. - Санкт-Петербург: ВИчастки створюють в діелектричному шарі провідні КУ им. А.Ф. Можайского, 1999. - С.163. елементи (волокна) різних напрямів та розмірів. 2. Радиотехнические системы в ракетной техНайбільший розмір провідних елементів визначає нике. М.: Воениздат, 1974.-224с. самі включення a-радіоактивної речовини, яку на3. Шнейдерман Я.А. Радиопоглощающие манесено на діелектричний шар. Провідні елементи териалы // Зарубежная радиоэлектроника. - 1975. №2. - С.93-113. менших розмірів створюють окремі a-частки, які розглядають як провідні елементи з меншим роз4. Электрофизические свойства перколяционміром включень. Створений таким чином композиных систем. - М.: ИВТАН, 1990.-120с. 5. Виноградова М.Б., Руденко О.В., С ухоруков ційний матеріал має багаторезонансну частотну А.П. Теория волн. Учебное пособие. - 2-е изд. Пезалежність діелектричної проникності [5]. реработанное и дополненное. М.: На ука, 1990. 2 ~ vp 432с. e = 1- å , (1) 2 2 i v - v i + jg iv де v p - плазмова частота; Комп’ютерна в ерстка Д. Шев ерун Підписне Тираж 37 прим. Міністерство осв іт и і науки України Держав ний департамент інтелектуальної в ласності, вул. Урицького, 45, м. Київ , МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислов ої в ласності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601