Мікроелектронний вимірювач освітленості
Номер патенту: 40238
Опубліковано: 16.07.2001
Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович
Формула / Реферат
Мікроелектронний вимірювач освітленості, який містить джерело постійної напруги і резистор, який відрізняється тим, що введені оптичночутливий тунельно-резонансний діод, пасивна індуктивність і конденсатор, причому перший полюс джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом резистора, першим виводом конденсатора і першим виводом оптичночутливого тунельно-резонансного діода, а другий вивід оптичночутливого тунельно-резонансного діода з'єднаний з першим виводом пасивної індуктивності, до якого підключена перша вихідна клема, при цьому другий вивід пасивної індуктивності з'єднаний з другим виводом конденсатора, другим виводом резистора і другим полюсом джерела постійної напруги, які утворюють загальну шину, до якої підключена друга вихідна клема.
Текст
Мікроелектронний вимірювач освітленості, який містить джерело постійної напруги і резистор, який відрізняється тим, що введені оптичночутливий тунельно-резонансний діод, пасивна індук 40238 Використання запропонованого пристрою для виміру освітленості суттєво розширює чутливість і точність виміру освітленості за рахунок виконання ємнісного елемента коливального контуру на основі оптичночутливого тунельно-резонансного діода. При дії оптичного випромінювання на оптичночутливий тунельно-резонансний діод змінюється ємнісна складова повного опору на електродах оптичночутливого тунельно-резонансного діода, що викликає зміну резонансної частоти. Лінеаризація функції перетворення проводиться шляхом вибору величини напруги живлення. На кресленні (фіг.) надано схему мікроелектронного вимірювача освітленості. Пристрій містить джерело постійної напруги 1, паралельно якому підключені резистор 2 і конденсатор 3, яке живить оптичночутливий тунельно-резонансний діод 4, через пасивну індуктивність 5. Вихід пристрою утворений виводом пасивної індуктивності 5 і загальною шиною. Мікроелектронний вимірювач освітленості працює таким чином. В початковий момент часу оптичне випромінювання не діє на оптичночутливий тунельно-резонансний діод 4. Підвищенням напруги джерела 1 до величини, коли на електродах оптичночутливого тунельно-резонансного діода 4 виникає від'ємний опір, який призводить до виникнення електричних коливань в контурі, утвореного послідовним включенням повного опору з ємнісним характером на електродах оптичночутливого тунельно-резонансного діода 4 та індуктивним опором пасивної індуктивності 5. Паралельне коло резистора 2 і конденсатора 3 запобігає проходженню змінного струму через джерело напруги 1 і стабілізує режим живлення. При наступній дії оптичного випромінювання на оптичночутливий тунельно-резонансний діод 4 змінюється ємнісна складова повного опору на електродах оптичночутливого тунельно-резонансного діода 4, а це викликає зміну резонансної частоти коливального контуру. Фіг. __________________________________________________________ ДП "Український інститут промислової власності" (Укрпатент) Україна, 01133, Київ-133, бульв. Лесі Українки, 26 (044) 295-81-42, 295-61-97 __________________________________________________________ Підписано до друку ________ 2001 р. Формат 60х84 1/8. Обсяг ______ обл.-вид. арк. Тираж 50 прим. Зам._______ ____________________________________________________________ УкрІНТЕІ, 03680, Київ-39 МСП, вул. Горького, 180. (044) 268-25-22 ___________________________________________________________ 2
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюMicroelectronic illuminance meter
Автори англійськоюOsadchuk Volodymyr Stepanovych, Osadchuk Oleksandr Volodymyrovych
Назва патенту російськоюМикроэлектронный измеритель освещенности
Автори російськоюОсадчук Владимир Степанович, Осадчук Александр Владимирович
МПК / Мітки
МПК: H01L 27/14
Мітки: вимірювач, мікроелектронний, освітленості
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-40238-mikroelektronnijj-vimiryuvach-osvitlenosti.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Мікроелектронний вимірювач освітленості</a>
Мікроелектронний вимірювач температури
Номер патенту: 40236
Опубліковано: 16.07.2001
Автори: Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович
МПК: G01K 7/01
Мітки: мікроелектронний, вимірювач, температури
Формула / Реферат:
Мікроелектронний вимірювач температури, який містить джерело постійної напруги і резистор, який відрізняється тим, що в нього введені термочутливий тунельно-резонансний діод, конденсатор і пасивна індуктивність, причому перший полюс джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом резистора, першим виводом конденсатора і першим виводом термочутливого тунельно-резонансного діода, а другий вивід термочутливого тунельно-резонансного діода...
Мікроелектронний пристрій для виміру тиску
Номер патенту: 40237
Опубліковано: 16.07.2001
Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович
МПК: H04R 19/00, G01L 9/04
Мітки: тиску, пристрій, виміру, мікроелектронний
Формула / Реферат:
Мікроелектронний пристрій для виміру тиску, який містить джерело постійної напруги і резистор, який відрізняється тим, що введені тензочутливий тунельно-резонансний діод, пасивна індуктивність і конденсатор, причому перший полюс джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом резистора, першим виводом конденсатора і першим виводом тензочутливого тунельно-резонансного діода, а другий вивід тензочутливого тунельно-резонансного діода...
Мікроелектронний пристрій виміру температури
Номер патенту: 40299
Опубліковано: 16.07.2001
Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович
МПК: G01K 7/16, G01K 7/00, G01K 7/34
Мітки: температури, пристрій, виміру, мікроелектронний
Формула / Реферат:
Мікроелектронний пристрій виміру температури, який містить джерело постійної напруги, генератор електричних коливань на основі двох термочутливих біполярних транзисторів, чотирьох резисторів і двох ємностей, який відрізняється тим, що в нього введено третій термочутливий біполярний транзистор і друге джерело постійної напруги, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом першого резистора, а другий вивід...
Напівпровідниковий вимірювач температури
Номер патенту: 33405
Опубліковано: 15.02.2001
Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович, Кравчук Наталія Сергійовна
МПК: G01K 7/00
Мітки: вимірювач, напівпровідниковий, температури
Текст:
...на пере творення температури в частоту у запропонованому, причому затвор першого польового транзистора через термочуїливий опір з'єднаний з пертим полюсом першого джерела напруги, а другий полюс першого джерела напруги з'єднаний із стоком другого польового транзистора, при цьому витоки першого і другого польових транзисторів з'єднані між собою, а затвор другого польового транзис тора з'єднаний із стоком першого польового транзистора, до якого...
Напівпровідниковий пристрій для виміру тиску
Номер патенту: 34244
Опубліковано: 15.02.2001
Автори: Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олена Володимирівна, Осадчук Олександр Володимирович
МПК: H04R 19/00
Мітки: пристрій, виміру, тиску, напівпровідниковий
Текст:
...транзисторів 3 і 4. Затвор польового транзистора 4 з'єднаний із стоком польового транзистора 3 через резистор 5 і тензодіод 6. Витоки польових транзисторів 3 і 4 з'єднані між собою. Паралельно стокам польових транзисторів 3 і 4 підключено послідовне коло, яке складається із пасивної індуктивності 7 і конденсатора 8 разом із другим джерелом напруги 9. Вихід пристрою утворений стоком польового транзистора 3 і загальною шиною. Напівпровідниковий...