H01L 27/14 — містять напівпровідникові компоненти, чутливі до інфрачервоного випромінювання, світла, коротковолновому електромагнітному або корпускулярного випромінювання, і спеціально призначені як для перетворення енергії цих випромінювань в електричну енергію, так і для управління електричною енергією за допомогою таких випромінювань

Номер патенту: 109188

Опубліковано: 27.07.2015

Автори: Шимановський Олександр Бенедиктович, Ярошенко Микола Володимирович, Бобренко Юрій Миколайович, Павелець Сергій Юрійович

МПК: H01L 31/065, H01L 31/09, H01L 27/14 ...

Мітки: фотоперетворювач

Формула / Реферат:

Фотоперетворювач на основі поверхнево-бар'єрної структури, що складається із шару напівпровідникової фоточутливої підкладки n-типу провідності товщиною 5-7 мкм з концентрацією електронів 1016см-3 і прозорого шару із дигеніту-Cu1.8S р-типу провідності та омічних контактів до підкладки і прозорого шару, який відрізняється тим, що між підкладкою з концентрацією електронів 1016см-3 та прозорим шаром додатково нанесений варізонний шар...

Номер патенту: 73666

Опубліковано: 10.10.2012

Автори: Ваків Микола Михайлович, Сиворотка Наталія Ярославівна, Круковський Ростислав Семенович, Круковський Семен Іванович

МПК: H01L 27/14

Мітки: реакцій, методом, шарів, спосіб, епітаксійних, виготовлення, газотранспортних

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення епітаксійних шарів InP методом газотранспортних реакцій, що включає використання як джерела елемента третьої групи - індію, а як джерела елемента п'ятої групи - трихлорид фосфору з наступним відновленням його у високотемпературній зоні (750-820 °С) до фосфору та утворення тут хлориду індію, які транспортують у низькотемпературну зону (690-710 °С), кристалізують на підкладці у вигляді InP, який відрізняється тим, що...

Номер патенту: 92968

Опубліковано: 27.12.2010

Автори: Оленич Ігор Богданович, Монастирський Любомир Степанович, Морозов Леонід Михайлович, Соколовський Богдан Степанович

МПК: H01L 27/14, G01N 29/00, G01N 21/00 ...

Мітки: газового, спосіб, отримання, сенсора

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання газового сенсора, який включає електрохімічне травлення монокристалічного кремнієвого матеріалу, створення захисного шару, виготовлення металічних контактів та під'єднання виводів для електричних вимірювань, який відрізняється тим, що проводять травлення монокристалічної кремнієвої пластини n- або р-типу провідності електрохімічним анодуванням у фторопластовій комірці з використанням розчину C2H5OH:HF у концентрації 1:1...

Номер патенту: 50362

Опубліковано: 10.06.2010

Автори: Ваків Микола Михайлович, Ніколаєнко Юрій Єгорович, Круковський Ростислав Семенович, Круковський Семен Іванович

МПК: H01L 27/14

Мітки: шарів, чистих, епітаксійних, виготовлення, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення чистих епітаксійних шарів InAs методом рідиннофазної епітаксії, що включає використання індію як розчинника, введення в нього ітербію або гадолінію в кількості 0,002-0,003 мол. % та кристалізацію шару InAs в інтервалі температур 650-600 °С на підкладці InAs, який відрізняється тим, що в розчин-розплав індію додається алюміній в кількості 0,001-0,003 мол. %.

Номер патенту: 49527

Опубліковано: 26.04.2010

Автори: Коваленко Валерій Володимирович, Мануйлов Володимир Григорович, Пєтухов Олександр Михайлович

МПК: H01L 27/14, G02B 27/62

Мітки: експлуатаційних, перевірок, приладу, спосіб, випробування, проведення, характеристик, оптико-електронного

Формула / Реферат:

Спосіб проведення перевірок експлуатаційних характеристик і випробування оптико-електронного приладу, що включає параметричні та електричні перевірки, механічні та кліматичні випробування, який відрізняється тим, що при параметричних перевірках перевіряють чистоту поверхонь оптичних деталей, чистоту поля зору, відхилення лінії візування, межу роздільності в центрі поля зору, робочу роздільність в центрі поля зору, діоптрійну установку лупи,...

Номер патенту: 49526

Опубліковано: 26.04.2010

Автори: Мануйлов Володимир Григорович, Мирна Марина Володимирівна, Коваленко Валерій Володимирович

МПК: H01L 27/14, G02B 6/00

Мітки: експлуатаційних, характеристик, оптико-електронного, спосіб, відновлювання, приладу

Формула / Реферат:

Спосіб відновлювання експлуатаційних характеристик оптико-електронного приладу, при якому проводять демонтаж приладу з об'єкта застосування, миття, чищення та сушення приладу, знежирення, чистку та сушення оптичних поверхонь приладу, визначення обсягу проведення ремонтних робіт, розбирання приладу на складальні одиниці та деталі, ремонт та регулювання складальних одиниць, що піддалися ремонту, перевірку та випробування зазначених складальних...

Номер патенту: 43134

Опубліковано: 10.08.2009

Автори: Круковський Семен Іванович, Ваків Микола Михайлович, Михащук Юрій Сергійович

МПК: H01L 27/14

Мітки: методом, епітаксійних, шарів, виготовлення, реакцій, газотранспортних, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення епітаксійних шарів GaAs методом газотранспортних реакцій, що включає використання як джерела елемента третьої групи - галію, а  як джерела арсену - трихлорид арсену з наступним відновленням його у високотемпературній зоні (780-850 °С) до арсену, та утворення тут хлориду галію, які, транспортуючись у низькотемпературну зону (730-750 °С), кристалізуються на підкладці у вигляді GaAs, який відрізняється тим, що галієве джерело...

Номер патенту: 43132

Опубліковано: 10.08.2009

Автори: Сиворотка Наталія Ярославівна, Круковський Семен Іванович, Ваків Микола Михайлович

МПК: H01L 27/14

Мітки: отримання, варізонною, nalgaаs-palgaas-p+algaas, областю, гетероструктурі, активною, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання гетероструктури nAlGaAs-pAlGaAs-p+AlGaAs з варізонною активною областю за двостадійною технологією рідиннофазної епітаксії в температурному інтервалі 850-700 °С, що передбачає на першій стадії на підкладці nGaAs формування буферного шару nAlxGa1-xAs, а на другій стадії утворення р-n-переходу в цьому шарі, який відрізняється тим, що формування буферного варізонного епітаксійного шару nAlxGa1-xAs із зростанням ширини...

Номер патенту: 12593

Опубліковано: 15.02.2006

Автори: Гуменюк-Сичевська Жанна Віталіївна, Грінченко Микола Тимофієвич, Сизов Федір Федорович, Голенков Олександр Геннадійович, Забудський Вячеслав Володимирович, Рева Володимир Павлович, Кравченко Світлана Леонідівна

МПК: H01L 31/18, H01L 27/14

Мітки: тепловізора, монтажу, спосіб, модуля, фотоприймального, кріостат

Формула / Реферат:

Спосіб монтажу фотоприймального модулю тепловізора у кріостат, при якому фотоприймальний модуль через сапфірову підкладку з’єднують з посадочним місцем зони кріостатування, який відрізняється тим, що спочатку фотоприймальний модуль монтують в металокерамічний корпус з контактами, який, в свою чергу, приклеюють до сапфірової підкладки, яку припаюють за допомогою індію до посадочного місця зони кріостатування.

Номер патенту: 32986

Опубліковано: 15.04.2002

Автори: Довгошей Микола Іванович, Шипляк Мирослав Михайлович, Фекешгазі Іштван Вінцейович, Попович Наталія Іванівна, Дурдинець Людмила Михайлівна, Бобонич Ерік Петрович, Кондрат Олександр Борисович

МПК: G02B 27/00, H01L 31/12, H01L 27/14 ...

Мітки: спосіб, елементів, оптопари, з'єднання

Формула / Реферат:

1. Спосіб з'єднання елементів оптопари, який включає нанесення узгоджуючого середовища з підвищеним показником заломлення n між випромінювачем і приймачем оптичного випромінювання, який відрізняється тим, що  як узгоджуюче середовище з підвищеним показником заломлення використовують шар аморфної речовини, а саме системи As-Sb-Se-J, товщиною , де

Номер патенту: 44001

Опубліковано: 15.01.2002

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович

МПК: H01L 27/14

Мітки: давач, мікроелектронний, оптичний

Формула / Реферат:

Мікроелектронний оптичний давач, який містить два джерела постійної напруги, фоторезистор, польовий транзистор і ємність, який відрізняється тим, що введені два оптичночутливих біполярних транзистори, резистор, друга ємність, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом фоторезистора, а другий вивід фоторезистора з'єднаний із базою першого оптичночутливого біполярного транзистора, колектор якого...

Номер патенту: 40238

Опубліковано: 16.07.2001

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: H01L 27/14

Мітки: вимірювач, мікроелектронний, освітленості

Формула / Реферат:

Мікроелектронний вимірювач освітленості, який містить джерело постійної напруги і резистор, який відрізняється тим, що введені оптичночутливий тунельно-резонансний діод, пасивна індуктивність і конденсатор, причому перший полюс джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом резистора, першим виводом конденсатора і першим виводом оптичночутливого тунельно-резонансного діода, а другий вивід оптичночутливого  тунельно-резонансного діода...

Номер патенту: 34983

Опубліковано: 15.03.2001

Автори: Смуглій Віталій Ігорович, Бородін Борис Григорович

МПК: H01L 31/08, H01L 27/14, H01L 31/12 ...

Мітки: фотоприймальний, пристрій

Формула / Реферат:

Фотоприймальний пристрій, до складу якого входить генератор сигналів високої частоти, який є джерелом живлення фоточутливого перетворювача з комірками, що виконуються у вигляді інтегральних структур типу фотоконденсатор - резистор, виходи якого зв'язані з входами комутатора, вихід якого зв'язаний з входом підсилювача, який відрізняється тим, що додатково введений вимірювач фазового зсуву, входи якого зв'язані з виходами генератора та...

Номер патенту: 15509

Опубліковано: 30.06.1997

Автори: Рибак Александр Михайлович, Гуга Костянтин Юрійович, Малютенко Володимир Костянтинович

МПК: H01L 27/14

Мітки: спосіб, випромінювання, інфрачервоного, збудження

Текст:

...и у поверхности грани 5 (Пху.хх - Псу.хх *0) А"* данного полупроводуменьшается, а у поверхности 4 остается никового материала была максимальной и неизменной из-за их быстрой безызлучане равной нулю. Следует отметить, что знательной рекомбинации. В силу принципа чения компонент тензора пьезосопротивлеэлектронейтральности электроны и дырки 55 ния известны для всех, используемых в движутся парами, поэтому уменьшение обънастоящее время...