Спосіб хімічної обробки скла

Спосіб хімічної обробки скла шляхом іонного обміну в розчинах солей метал/в під впливом випромінювання, який відрізняється тим, що обробку ведуть у розчині гліцерату МІДІ при температурі 50-55°С протягом 20-25 хв з наступною електромагнітною обробкою частотою 1 ГГц потужністю 1-5 Вт і тривалістю 30-35 хв Корисна модель відноситься до способів хімічної обробки скла для модифікування поверхні стекла і може бути використана при виготовленні люмінесцентних і фотолюмінесцентних покрить і інших елементів оптоелектроніки Відомий спосіб обробки виробів зі скла (SU 1135730 - прототип) у якому під впливом ультрозвукового поля алюмосилікатне скло С95-2 обробляють у концентрованих розчинах літію чи магнію при 80-100°С протягом 1-2хв із наступною термообробкою при температурі на 50-30°С нижче температури розм'якшення скла Недоліком прототипу є наявність у технологічному режимі стад и термообробки при температурі близької до температури розм'якшення скла, що не завжди стосовно відносна визначених класів стекол Задачею винахідника є створення способу обробки скла, що дозволяє одержати скло з модифікованою поверхнею з прогнозованими властивостями Це досягається тим, що в способі хімічної обробки виробів зі скла шляхом іонного обміну в розчинах солей металів під впливом випромінювання, обробку ведуть у розчині гліцерат МІДІ при 50-55°С протягом 20-25 хв з наступною електромагнітною обробкою частотою 1ГГц потужностьюі5 Вт і тривалістю 30-35хв Обробка в розчині гліцерат МІДІ при 50-55°С протягом 20-25хв дозволяє дифундувати іони МІДІ в поверхневий шар скла а електромагнітна обробка дозволяє розподілити іони МІДІ у глибину скла залежно від потужності випромінювання Спосіб виконують таким чином Приклад 1 Беруть підкладку з фосфатного скла і на одну зі сторін за допомогою пульвериза тора розпилюють гліцерат МІДІ Далі підкладку поміщають у муфельну піч і прогрівають при 50°С протягом 20хв Потім підкладку поміщають на предметний столик установки типу "Луч-2" і фокусують електромагнітне випромінювання на площину скла Проводять обробку випромінюванням частотою 1 Ггц, потужністю 1 Вт протягом ЗОхв Приклад 2 Беруть підкладку з фосфатного скла і на одну зі сторін за допомогою пульверизатора розпилюють гліцерат МІДІ Далі підкладку поміщають у муфельну піч і прогрівають при 52°С протягом 23 хв Потім підкладку поміщають на предметний столик установки типу "Луч-2" і фокусують електромагнітне випромінювання на площину скла Проводять обробку випромінюванням частотою 1 Гщ, потужністю 3 Вт протягом ЗОхв Приклад 3 Беруть підкладку з фосфатного скла і на одну зі сторін за допомогою пульверизатора розпилюють гліцерат МІДІ Далі підкладку по міщають у муфельну піч і прогрівають при 55°С протягом 25 хв Потім підкладку поміщають на предметний столик установки типу "Луч-2" і фокусують електромагнітне випромінювання на площину скла Проводять обробку випромінюванням частотою 1Гщ потужністю 5 Вт протягом ЗОхв Для дослідження оптичних властивостей скла після введення ІОНІВ МІДІ далі тонку скляну плівку досліджують з метою визначення наявності люмінесцентного СВІТІННЯ при ультрафіолетовому збу дженні з довжиною хвилі 385нм Інтенсивність фотолюмінесцентного СВІТІННЯ реєструють на максимумі спектра фотолюмінесценції 580нм Залежність інтенсивності люмінесцентного СВІТІННЯ від потужності електромагнітного випромінювання представлена в таблиці Спектроскопічні дослідження показують також, що іонообмінний шар CM 00 со З 4382 Використання запропонованого способу оброскла збіднюється гідроксильними іонами, як ребки дозволяє одержати оптичні стекла з прогнозозультат заміни їх на іони МІДІ ваними характеристиками, зменшити зміст води в склі, що є активним гасителям люмінесценції ПеПотужність електромаг- Інтенсивність люмінесревага даного способу полягає в здатності ствонітного випромінювання, центного СВІТІННЯ, ВІДНОрювати при низькій температурі матеріали регуВт СНІ ОДИНИЦІ льованої сполуки з прогнозованими 1 0,65 властивостями і може бути використана при виго3 0,85 товленні люмінесцентних і фотолюмінесцентних 0,94 4 покрить і інших елементів оптоелектроніки 5 1 00 Комп'ютерна верстка М Клюкш Підписне Тираж 37 прим Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності вул Урицького 45, м Київ, МСП, 03680, Україна ДП "Український інститут промислової власності", вул Глазунова, 1, м Київ - 42, 01601 І