Коливальний контур
Номер патенту: 44300
Опубліковано: 25.09.2009
Автори: Філинюк Микола Антонович, Мірошникова Сніжана Віталіївна, Ліщинська Людмила Броніславівна
Формула / Реферат
Коливальний контур, що складається з першого і другого польових транзисторів, сигнальної клеми і загальної шини, причому витік другого транзистора з'єднаний з загальною шиною, який відрізняється тим, що затвор першого транзистора з'єднаний через перший резистор з загальною шиною, стік під'єднаний до сигнальної клеми, затвор другого польового транзистора через другий резистор під'єднаний до загальної шини, а стік під'єднаний до сигнальної клеми.
Текст
Коливальний контур, що складається з першого і другого польових транзисторів, сигнальної клеми і загальної шини, причому витік другого транзистора з'єднаний з загальною шиною, який відрізняється тим, що затвор першого транзистора з'єднаний через перший резистор з загальною шиною, стік під'єднаний до сигнальної клеми, затвор другого польового транзистора через другий резистор під'єднаний до загальної шини, а стік під'єднаний до сигнальної клеми. (19) (21) u200904771 (22) 15.05.2009 (24) 25.09.2009 (46) 25.09.2009, Бюл.№ 18, 2009 р. (72) ЛІЩИНСЬКА ЛЮДМИЛА БРОНИСЛАВІВНА, МІРОШНИКОВА СНІЖАНА ВІТАЛІЇВНА, ФІЛИНЮК МИКОЛА АНТОНОВИЧ (73) ВІННИЦЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ ТЕХНІЧНИЙ УНІВЕРСИТЕТ 3 44300 4 витік-стік. Перший транзистор 1, витік і затвор якоПісля перетворення (1) з врахуванням WT 1 знаходимо до сигнальної клеми 3, працює при прямому зміщенні на затворі і в цьому режимі еквівалентний ZBC = - R5×(a0 - 1) + j R5 WT (2) по своїм властивостям одноперехідному транзисЗ виразу (2) видно, що в результаті перетвотору. В результаті перетворення опору першого рення опору резистора 5 першим транзистором 1, резистора 5 його вихідний опір дорівнює: опір між його витоком і стоком є індуктивним XВС = j & ZBC = R5×(1 - a ), (1) × R5 × WT з еквівалентною індуктивністю LВС = R5/2 × де R5 - опір резистора 5; p × fT, яка резонує з ємнісним опором ланцюга ви& a - комплексний коефіцієнт передачі по струтік-стік другого транзистора. Активна складова му: цього ланцюга RВС = - R5 × ( a 0 - 1) є від'ємною і & a = a 0 /(1 - WT ), компенсує позитивний активний опір ланцюга виде a 0 - низькочастотне значення коефіцієнта тік-стік другого транзистора 2, забезпечуючи висопередачі по струму; ку добротність коливального контура. Відсутність у високочастотній схемі коливальWT - приведена частота: ного контура конденсаторів забезпечує зменшення WT = f / fT , геометричних розмірів контура при його інтегральде f - частота; ному виконанні. fT - гранична частота транзистора. Комп’ютерна верстка Г. Паяльніков Підписне Тираж 28 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюOscillatory circuit
Автори англійськоюLischynska Liudmyla Bronislavivna, Miroshnykova Snizhana Vitaliivna, Filyniuk Mykola Antonovych
Назва патенту російськоюКолебательный контур
Автори російськоюЛищинская Людмила Брониславовна, Мирошникова Снежана Витальевна, Филинюк Николай Антонович
МПК / Мітки
МПК: G01R 27/28
Мітки: коливальний, контур
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-44300-kolivalnijj-kontur.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Коливальний контур</a>
Попередній патент: Спосіб отримання компонентів альтернативного палива з полімерних органічних відходів, зношених автомобільних шин та гумотехнічних виробів
Наступний патент: Перетворювач вологості з частотним виходом
Випадковий патент: Спосіб отримання речовини для фармакологічного контактного гемостазу