Спосіб одержання провідних наноструктур

Спосіб одержання провідних наноструктур, що включає зустрічне переміщення струмопідводів, 3 49385 іншого струмопідводу, то при зануренні вістря голки в електроліт на ньому має місце підвищення катодної густини струму. Це створює умови для появи й росту дендритів. Через певний час верхівка одного з дендритів закорочує міжелектродний простір і в місці її торкання з контрелектродом утворюється точковий контакт. В момент утворення ділянка поверхні дендрита, розташована безпосередньо в місці контакту з контрелектродом, стає анодно поляризованою по відношенню до основи дендриту, що за умови подальшого протікання постійного струму приводить до електрохімічного розчинення точкового контакту, тобто до його руйнування. Після руйнування в утвореному міжелектродному проміжку знову спостерігається ріст дендрита і створення нового точкового контакту. Таким чином, в системі реалізується автоматичний режим створення та руйнування точкових наноструктур з широким діапазоном опорів. Шляхом відключення струму можна зупинити процес автоколивань і вибрати точковий контакт з потрібними характеристиками. Точкові контакти за цим способом отримують, переміщуючи назустріч один одному струмопідводи, один з яких загострений у вигляді голки, до виникнення між ними електричного контакту. Після появи контакту його механічно переривають, в область контакту вносять електроліт, що містить іони того ж металу, з якого виготовлені струмопідводи, і підключають отриману систему до схеми живлення і вимірювання. Основним недоліком цього способу є те, що при переміщенні струмопідводів відбувається механічна деформація загостреного струмопідводу у вигляді зминання вістря голки і руйнування упорядкованості кристалічної ґратки металу, що погіршує умови отримання точкових контактів або зовсім унеможливлює їх створення. В основу корисної моделі поставлено задачу розробки способу отримання точкових контактів без механічної деформації загостреного струмопідводу і таким чином підвищеною ефективністю утворення точкових наноструктур. Поставлена задача досягається за рахунок використання способу одержання провідних наноструктур, який базується на тому, що струмовідводи отримують згинанням діелектричної підкладки з закріпленою на ній металевою пластиною (фоль Комп’ютерна верстка Л. Ціхановська 4 гою) так що при згинанні підкладки відбувається механічне розламування металевої пластини (фольги) з утворенням двох струмопідводів; після отримання струмопідводів в проміжок між ними вносять електроліт, що містить іони того ж металу, з якого виготовлені струмопідводи, пропускають струм силою 1-500мкА і реєструють опір системи в процесі автоколивань; в момент різкого падіння опору системи струм відключають. Для реалізації способу діелектричну підкладку з закріпленою на ній металевою пластиною (фольгою) затискають за її кінці у пристрої, який дозволяє згинати підкладку у горизонтальній або вертикальній площині шляхом переміщення рухливих частин пристрою. При переміщенні рухливих частин пристрою відбувається згинання підкладки, причому найбільших розтягувальних зусиль при відповідній деформації зазнає металева пластина (фольга), що приводить до її механічного розламування і утворення двох струмопідводів з необхідним проміжком між ними. Це робить зайвою операцію зустрічного переміщення струмопідводів для отримання малого проміжку між ними і тому виключає можливість деформації загостреного струмопідводу при його випадковому контакті з протилежним струмопідводом, як це має місце в способі отримання провідних наноструктур, обраному за прототип. Після отримання струмопідводів в проміжок між ними вносять електроліт, що містить іони того ж металу, з якого виготовлені струмопідводи, пропускають струм силою 1-500мкА і реєструють опір системи в процесі автоколивань; в момент різкого падіння опору системи струм відключають. Все це забезпечує максимально досяжну при кімнатній температурі довжину вільного пробігу носіїв заряду в отриманих точкових контактах і їх підвищену стабільність, що суттєво розширює функціональні можливості сенсорних пристроїв на базі цих структур. Джерела інформації: 1. Yu.G. Naidyuk and І. К. Yanson. Point-Contact Spectroscopy. Springer Verlag, New York, 2004. 2. Поспелов О.П., Камарчук Г.В., Фісун В.В., Александров Ю.Л., Пилипенко O.I. Спосіб одержання провідних наноструктур. Патент на корисну модель №32638, МПК В82В 3/00. Опубл. 26.05.2008. Бюл. №10. Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601