Спосіб одержання провідних наноструктур

1. Спосіб одержання провідних наноструктур, що включає зустрічне переміщення двох струмопі 3 35732 кожному зі знову створюваних контактів. В результаті основна кількість точкових контактів, створюваних в одному циклі, не відповідає чистій межі й не може бути використана як інструмент для вивчення балістичного режиму протікання струму в атомно-розмірних об'єктах навіть при температурах рідкого гелію. 2. Неможливість створення точкових контактів, у яких стр умопідводи виконані з різних матеріалів, так званих гетероконтактів. Завданням корисної моделі, що пропонується, є створення простого й надійного способу одержання наноструктур підвищеної якості. Струм і напруга є параметрами, що управляють процесом, і допускають легке й тонке регулювання. Одержувані за запропонованим способом нанооб'єкти мають занадто низьку концентрацію дефектів структури й високі значення довжини вільного пробігу носіїв заряду. При цьому проліт електронів через канал точкового контакту відбувається в балістичному режимі вже при кімнатній температурі, що свідчить про високу якість наноструктури. Технічний результат досягається тим, що зустрічне переміщення струмовідводів здійснюється шляхом електрохімічного вирощування між ними дендрита. При цьому в зоні «м'якого» зіткнення вершини дендрита із протилежним струмовідводом утворюється наноструктура без появи структурних деформацій. Наявність в одного з струмопідводів вістря по осі зустрічного переміщення забезпечує високу концентрацію силових ліній електричного поля у разі занурення вістря в електроліт і включення електричного струму. Це створює умови для появи й росту дендрита, який по упорядкованості структури наближається до ідеа Комп’ютерна в ерстка Д. Шев ерун 4 льного монокристала. Висока ступіть упорядкованості вершини дендрита та «м'яке», бездеформаційне зіткнення цієї вершини з контрелектродом забезпечують необхідний технічний результат у напрямку якості наноструктури, тобто забезпечується максимально досяжна при кімнатній температурі довжина вільного пробігу електронів в зоні сформованої наноструктури. Простота і надійність створення наноструктур досягається контролюванням процесу за допомогою струму та напруги параметрів, які допускають легке і тонке регулювання. Для реалізації способу, який заявляється, струмопідводи переміщують назустріч один одному до виникнення між ними електричного контакту, причому, принаймні один із цих струмопідводів у місці контакту повинен бути загострений. Після виникнення контакту його механічно переривають, область контакту заповнюють електролітом, що містить іони металу, з яких виготовлені струмопідводи, між струмопідводами пропускають струм 1500мкА, реєструють електричний опір і у момент різкого падіння опору струм відключають. Варто відзначити, що загострений струмопідвод може бути виго товлений з неметалічного провідного матеріалу. У цьому випадку при пропусканні струму утворюється необхідна наноструктура у вигляді точкового гетероконтакта. Джерела інформації 1. A. V. Khotkevich and I. K. Yanson. Atlas of Point Contact Spectra of Electron-Phonon Interactions in Metals. Kluwer Academic Publishers, Boston/Dordrecht/London, 1995. 2. Yu.G. Naidyuk and I. K. Yanson. Point-Contact Spectroscopy. Springer Verlag, New York, 2004. Підписне Тираж 28 прим. Міністерство осв іт и і науки України Держав ний департамент інтелектуальної в ласності, вул. Урицького, 45, м. Київ , МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислов ої в ласності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601