Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

1. Спосіб одержання провідних наноструктур, що включає зустрічне переміщення електродів до виникнення між ними електричного контакту, один з яких загострений у вигляді голки, причому після виникнення контакту його механічно переривають, а в область контакту вводять електроліт, що містить іони того ж металу, з якого виготовлені електроди, який відрізняється тим, що до електроліту попередньо додають іммобілізуючий іони агент; після витримки електроліту впродовж 20-30 хв. з моменту внесення іммобілізуючого агента між електродами пропускають струм силою 1-500 мкА і реєструють опір системи в процесі автоколивань; в момент різкого падіння опору системи струм відключають.

2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що як іммобілізуючий агент може бути використаний агар-агар, крохмаль, желатин.

Текст

1. Спосіб одержання провідних наноструктур, що включає зустрічне переміщення електродів до виникнення між ними електричного контакту, один з яких загострений у вигляді голки, причому після 3 мацій у зоні контакту при механічному зведенні електродів, що приводить до росту концентрації дефектів і зниженню довжини вільного пробігу носіїв заряду у створюваних контактах. В результаті основна кількість точкових контактів, отриманих в одному циклі, не відповідає чистій межі й не може бути використана як інструмент для вивчення балістичного режиму протікання струму в атомнорозмірних об'єктах навіть при температурах рідкого гелію. Одним з найбільш простих і надійних способів, який обраний за прототип, є електрохімічний, заснований на використанні автоколивального ефекту [3]. Одержані за цим способом точкові контакти мають низьку концентрацію дефектів структури й високі значення довжини вільного пробігу носіїв заряду. При цьому проліт носіїв заряду через точкові контакти відбувається в балістичному режимі вже при кімнатній температурі, що свідчить про високу якість отриманих структур. Результат досягається тим, що механічний контакт електродів в даному способі замінюється на електрохімічне вирощування між ними дендриту. При цьому в зоні «м'якого» контакту вершини дендрита із протилежним електродом утворюється мінімальна кількість структурних деформацій. Оскільки один з електродів (катод) виготовлений у вигляді голки і розташований перпендикулярно до поверхні іншого електроду (аноду), то при зануренні вістря голки в електроліт та підключенні струму на ньому має місце підвищення концентрації силових ліній електричного поля і, внаслідок цього, висока катодна густина струму. Це створює умови для появи й росту дендрита. Через певний час вершина одного із дендритів закорочує міжелектродний простір і місці торкання вершини дендрита з контрелектродом утворюється точковий контакт. Однак в момент утворення цей контакт стає анодно поляризованим по відношенню до ділянки поверхні голки, зануреної у електроліт, що за умови подальшого протікання постійного струму приводить до електрохімічного розчинення точкового контакту, тобто до його руйнування. Після руйнування в утвореному міжелектродному проміжку знову спостерігається ріст дендрита і створення нового точкового контакту. Таким чином, в системі реалізується автоматичний режим створення та руйнування точкових наноструктур з широким діапазоном опорів. Шляхом відключення струму можна зупинити процес автоколивань і вибрати точковий контакт з потрібними характеристиками. Точкові контакти за цим способом отримують, переміщуючи електроди назустріч один одному до виникнення між ними електричного контакту, причому, принаймні один з них повинен бути загострений. Після появи контакту його механічно переривають, в область контакту вводять рідкий електроліт, що містить іони того ж металу, з якого виготовлені електроди, і підключають отриману систему до схеми живлення і вимірювання. Основним недоліком такого способу є використання рідких електролітів, які випаровуються в процесі синтезу, не забезпечуючи постійності концентрації іонів металу та інших фізико-хімічних параметрів розчину і, внаслідок цього, стаціонар 41750 4 ності умов перебігу електрохімічних реакцій, що необхідно при багаторазовому створенні точкових контактів в даній електродній системі. У зв'язку з цим, мають бути забезпечені додаткові заходи по герметизації робочого об'єму. Це ускладнює процес створення точкових контактів і робить його нетехнологічним. Крім того, рідкі електроліти не здатні захистити отримані точкові контакти від механічних впливів, які можуть виникати при роботі. В основу корисної моделі поставлено задачу створити такий спосіб створення точкових контактів, який забезпечуватиме незмінність умов синтезу і виключатиме вплив механічних коливань на вже отриману структуру. Поставлена задача досягається за рахунок використання способу одержання провідних наноструктур, що включає зустрічне переміщення електродів до виникнення між ними електричного контакту, один з яких загострений у вигляді голки, причому після виникнення контакту його механічно переривають, а в область контакту вводять електроліт, що містить іони того ж металу, з якого виготовлені електроди, і до якого попередньо додають іммобілізуючий іони агент; після витримки електроліту впродовж 20-30хв. з моменту внесення іммобілізуючого агенту між електродами пропускають струм силою 1-500мкА і реєструють опір системи в процесі автоколивань; в момент різкого падіння опору системи струм відключають. Іммобілізовані електроліти мають вигляд студнів в яких іони металів внаслідок взаємодії з іммобілізуючим агентом зафіксовані в полімероподібній матриці [4]. Це обумовлює здатність подібних систем у контакті з атмосферою довго підтримувати стабільність свого стану, забезпечуючи стаціонарність умов перебігу електрохімічних реакцій, що є важливим з технологічної точки зору. У відповідності до результатів досліджень час стабілізації складає не менше 20-30хв. Після стабілізації електроди, занурені у іммобілізований електроліт, підключаються до схеми живлення для створення точкових контактів і вимірювання їх параметрів. Для реалізації способу електроди переміщують назустріч один одному до виникнення між ними електричного контакту, причому, принаймні один з них повинен бути загострений. Після появи контакту його механічно переривають, в область контакту вводять електроліт, до якого безпосередньо перед введенням додають іммобілізуючий іони агент. Після витримки електроліту впродовж 2030хв. з моменту внесення іммобілізуючого агенту отриману систему підключають до схеми живлення, створюють точковий контакт, пропускаючи між електродами пропускають струм 1-500мкА і реєструють опір системи в процесі автоколивань; в момент різкого падіння опору системи струм відключають. В результаті досягається утворення точкового контакту у вигляді дендрита, сформованого між електродами. Цей контакт характеризується високою впорядкованістю й низькою концентрацією дефектів. Все це забезпечує максимально досяжну при кімнатній температурі довжину вільного пробігу носіїв заряду в сформованих точкових контактах і підвищену механічну стабільність, що суттєво 5 41750 розширює функціональні можливості сенсорних пристроїв на базі цих структур. Джерела інформації: 1. A.V. Khotkevich and I.K. Yanson. Atlas of Point Contact Spectra of Electron-Phonon Interactions in Metals. Kluwer Academic Publishers, Boston/Dordrecht/London, 1995. 2. Yu.G. Naidyuk and I.K. Yanson. Point-Contact Spectroscopy. Springer Verlag, New York, 2004. Комп’ютерна верстка Л. Купенко 6 3. Поспєлов О.П., Камарчук Г.В., Фісун В.В., Александров Ю.Л., Пилипенко O.I. Спосіб одержання провідних наноструктур. Патент на корисну модель. 32638, МПК В82В 3/00. Опубл. 26.05.2008. Бюл. №10. 4. Михайлов О.В. Желатин - иммобилизированные металлокомплексы. -М.: Научный мир, 2004. Підписне Тираж 28 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Method of producing conducting nanostructures

Автори англійською

Pospielov Oleksandr Petrovych, Pylypenko Oleksii Ivanovych, Aleksandrov Yurii Leonidovych, Kamarchuk Hennadii Vasyliovych

Назва патенту російською

Способ получения проводящих наноструктур

Автори російською

Поспелов Александр Петрович, Пилипенко Алексей Иванович, Александров Юрий Леонидович, Камарчук Геннадий Васильевич

МПК / Мітки

МПК: B82B 3/00

Мітки: наноструктур, провідних, спосіб, одержання

Код посилання

<a href="https://ua.patents.su/3-41750-sposib-oderzhannya-providnikh-nanostruktur.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб одержання провідних наноструктур</a>

Подібні патенти