Спосіб виготовлення інтегрального мікроелектронного твердотільного оптичного конвертора
Номер патенту: 50347
Опубліковано: 10.06.2010
Автори: Фечан Андрій Васильович, Сушинський Орест Євгенович, Ясиновська Ольга Йосифівна, Готра Зенон Юрійович, Микитюк Зіновій Матвійович
Формула / Реферат
Спосіб виготовлення інтегрального мікроелектронного твердотільного оптичного конвертора, згідно з яким на вхід подають багатомодове випромінювання в шар світловода із забезпеченням отримання одномодового випромінювання на виході, який відрізняється тим, що шаром світловода служить рідкокристалічна суміш, яку розташовують між пластинами, одну з яких виготовляють з монокристалу кремнію і на ній утворюють матрицю тонкоплівкових транзисторів з електродами, а на іншу пластину наносять провідний шар і простір між пластинами, товщину якого задають спейсерами, герметизують.
Текст
Спосіб виготовлення інтегрального мікроелектронного твердотільного оптичного конвертора, 3 50347 по відношенню до країв, значенням показника заломлення, тобто утворенням планарного світловода. Таким чином створюють інтегральний мікроелектронний твердотільний оптичний конвертор з можливістю зміни товщини серцевини світловода, а відповідно отримують можливість керувати модовим складом випромінювання, що дозволить з'єднувати світловоди з різним діаметром серцевини. На Фіг. зображено схему способу виготовлення інтегрального мікроелектронного твердотільного оптичного конвертора: 1 - пластина; 2 провідний шар; 3 - рідкокристалічна суміш; 4 - пластина монокристалу кремнію; 5 - матриця тонкоплівкових транзисторів з електродами, 6 - спейсери, 7 - вхідне багатомодове випромінювання, 8 - вихідне одномодове випромінювання. Спосіб виготовлення інтегрального мікроелектронного твердотільного оптичного конвертора полягає у тому, що шаром світловода служить рідкокристалічна суміш 3, яку розташовують між пластинами 1 і 4, одну з яких виготовляють з мо Комп’ютерна верстка Н. Лиcенко 4 нокристалу кремнію 4 і утворюють на ній матрицю тонкоплівкових транзисторів з електродами 5, а на іншу пластину 1 наносять провідний шар 2, і простір між пластинами 1 і 4, товщину якого задають спейсерами 6 герметизують, і подають багатомодове випромінювання 7 в шар рідкокристалічної суміші 3 як світловода, із забезпеченням отримання одномодового випромінювання на виході 8. Керування багатомодовим випромінюванням 7 в інтегральному мікроелектронному твердотільному оптичному конверторі здійснюється шляхом керуванням оптичними властивостями рідкокристалічної суміші 3, що призводить до зміни показника заломлення рідкокристалічної суміші 3 і вхідне багатомодове випромінювання 7 буде перетворюватися у вихідне одномодове випромінювання 8 у напрямку прикладання електричного поля до електродів матриці тонкоплівкових транзисторів 5, які виготовляються за методами з використанням мікроелектронних технологій, і електроду на протилежній пластині 1. Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюMethod for integral solid state optical convertor
Автори англійськоюHotra Zenon Yuriiovych, Mykytiuk Zinovii Matviiovych, Fechan Andrii Vasyliovych, Sushynskyi Orest Yevhenovych, Yasynovska Olha Yosypivna
Назва патенту російськоюСпособ изготовления интегрального микроэлектронного твердотельного оптического конвертора
Автори російськоюГотра Зенон Юрьевич, Микитюк Зиновий Матвеевич, Фечан Андрей Васильевич, Сушинский Орест Евгеньевич, Ясиновска Ольга Йосифовна
МПК / Мітки
МПК: G02F 1/13
Мітки: інтегрального, твердотільного, конвертора, мікроелектронного, спосіб, оптичного, виготовлення
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-50347-sposib-vigotovlennya-integralnogo-mikroelektronnogo-tverdotilnogo-optichnogo-konvertora.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб виготовлення інтегрального мікроелектронного твердотільного оптичного конвертора</a>
Спосіб виготовлення інтегрального мікроелектронного твердотільного оптичного пристрою
Номер патенту: 41119
Опубліковано: 12.05.2009
Автори: Фечан Андрій Васильович, Коцун Володимир Іванович, Микитюк Зіновій Матвійович, Сушинський Орест Євгенович, Готра Зенон Юрійович, Шимчишин Мар'ян Олегович
МПК: G02F 1/13
Мітки: оптичного, твердотільного, спосіб, пристрою, інтегрального, виготовлення, мікроелектронного
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення інтегрального мікроелектронного твердотільного оптичного пристрою, згідно з яким подають оптичне випромінювання в шар планарного світловода із забезпеченням розгалуження оптичного випромінювання, який відрізняється тим, що одну з пластин планарного світловода виготовляють з монокристала кремнію, на якій утворюють систему тонкоплівкових транзисторів з електродами розгалуженої форми, а на іншу пластину наносять провідний...
Спосіб виготовлення планарного оптичного підсилювача
Номер патенту: 50345
Опубліковано: 10.06.2010
Автори: Фечан Андрій Васильович, Ясиновська Ольга Йосипівна, Готра Зенон Юрійович, Микитюк Зіновій Матвійович, Сушинський Орест Євгенович
МПК: G02F 1/13
Мітки: виготовлення, оптичного, планарного, спосіб, підсилювача
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення планарного оптичного підсилювача, згідно з яким на пластини наносять провідний шар і простір між пластинами, товщину якого задають спейсерами, заповнюють рідкокристалічною сумішшю, герметизують і подають оптичне випромінювання в шар планарного світловода, який відрізняється тим, що до рідкокристалічної суміші додають молекули барвника і додатково опромінюють рідкокристалічну суміш з молекулами барвника іншою довжиною...
Система поперечного діодного оптичного накачування твердотільного лазера
Номер патенту: 75184
Опубліковано: 15.03.2006
Автори: Мединський Валентин Савич, Чурюмов Геннадій Іванович, Ванцан Вітолд Мар'янович
МПК: H01S 3/091, H01S 3/04
Мітки: оптичного, накачування, система, поперечного, лазера, твердотільного, діодного
Формула / Реферат:
Система поперечного діодного оптичного накачування твердотільного лазера, яка містить напівпровідникове джерело оптичного накачування, фокусуючу лінзу, активний елемент, напівпрозоре і непрозоре дзеркала резонатора, яка відрізняється тим, що в неї введено кришки з вхідним і вихідним каналами, призначеними для здійснення циркуляції холодоагенту в системі охолодження, та планки із розташованими на них світловипромінювальними діодами, сукупність...
Спосіб виготовлення рідкокристалічного пристрою
Номер патенту: 41105
Опубліковано: 12.05.2009
Автори: Шимчишин Мар'ян Олегович, Сушинський Орест Євгенович, Фечан Андрій Васильович, Готра Зенон Юрійович, Микитюк Зіновій Матвійович
МПК: G02F 1/13
Мітки: рідкокристалічного, пристрою, виготовлення, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення рідкокристалічного пристрою, згідно з яким послідовно наносять на поверхню плоских вікон з орієнтуючими шарами провідне покриття та склеюють вікна одне до одного з прокладками або спейсерами між ними з наперед заданою товщиною прошарку, який заповнюють рідкокристалічною сумішшю, герметизують і подають оптичне випромінювання, який відрізняється тим, що оптичне випромінювання подають під кутом безпосередньо в шар...
Рідкокристалічний розгалужувач оптичного випромінювання
Номер патенту: 63243
Опубліковано: 15.01.2004
Автори: Микитюк Зіновій Матвійович, Даланбаяр Болормаа
МПК: G02F 1/13
Мітки: випромінювання, рідкокристалічній, розгалужувач, оптичного
Формула / Реферат:
Рідкокристалічний розгалужувач оптичного випромінювання, який містить планарну рідкокристалічну комірку з електродами на підкладках, який відрізняється тим, що додатково містить орієнтуючий шар, а електроди встановлені з періодично смужковим взаємно ортогональним розташуванням, причому в перетині кожної четвірки електродів сформований дефлектор на клиновидній деформації.
Попередній патент: Сенсор алкоголю в парах повітря
Наступний патент: Спосіб відновлення внутрішньої структури тривимірного тіла
Випадковий патент: Спосіб ендоскопічної ендоназальної гайморотомії