Сенсор алкоголю в парах повітря
Номер патенту: 50346
Опубліковано: 10.06.2010
Автори: Черпак Владислав Володимирович, Стахіра Павло Йосипович, Готра Зенон Юрійович, Возняк Леся Юріївна, Волинюк Дмитро Юрійович
Формула / Реферат
Сенсор алкоголю в парах повітря, який складається з органічного чутливого шару, що нанесений на підкладку з електропровідним покриттям, та поверх чутливого шару сформований алюмінієвий електрод, який відрізняється тим, що як підкладка використана гнучка лавсанова підкладка, як органічний чутливий шар використаний молекулярний напівпровідник фталоціанін нікелю, який нанесений на гнучкій лавсановій підкладці з електропровідним покриттям, а алюмінієвий електрод виконано у вигляді тонких смуг.
Текст
Сенсор алкоголю в парах повітря, який складається з органічного чутливого шару, що нанесений на підкладку з електропровідним покриттям, та поверх чутливого шару сформований алюмінієвий електрод, який відрізняється тим, що як підкладка використана гнучка лавсанова підкладка, як органічний чутливий шар використаний молекулярний напівпровідник фталоціанін нікелю, який нанесений на гнучкій лавсановій підкладці з електропровідним покриттям, а алюмінієвий електрод виконано у вигляді тонких смуг. (19) (21) u200908100 (22) 03.08.2009 (24) 10.06.2010 (46) 10.06.2010, Бюл.№ 11, 2010 р. (72) ГОТРА ЗЕНОН ЮРІЙОВИЧ, ЧЕРПАК ВЛАДИСЛАВ ВОЛОДИМИРОВИЧ, СТАХІРА ПАВЛО ЙОСИПОВИЧ, ВОЛИНЮК ДМИТРО ЮРІЙОВИЧ, ВОЗНЯК ЛЕСЯ ЮРІЇВНА (73) НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ "ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА" 3 50346 температурному діапазоні 400±10°С. Органічний чутливий шар фталоціаніну нікелю нанесли на гнучку лавсанову підкладку 2 з прозорим провідним покриттям оксиду індію 4 (Іn2О3) легованим оловом (indium-tin-oxide ITO) методом вакуумного напилення фталоціанінів при залишковому тиску, що не перевищував 10-5Па. На поверхні структури методом термовакуумного напилення через маску формували алюмінієвий електрод 3, товщина якого не перевищувала ~200нм. Газове середовище етилового спирту створювали в закритому об'ємі при кімнатній температурі Комп’ютерна верстка Л. Ціхановська 4 шляхом використання водного розчину в який поміщали зразок над розчином. Органічна бар'єрна структура ITO/NiPc/AL з модифікованим катодним контактом (А1) здатна генерувати електрорушійну силу під впливом атмосфери етилового спирту. Генерування електроенергії обґрунтовано перебігом окисно-відновного процесу. Визначення концентрації парів алкоголю відбувається шляхом використання ефекту генерації електричної енергії під дією газового середовища етилового спирту в структурі на основі низькомолекулярного напівпровідника ITO/NiPc/Al. Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюAlcohol sensor in air vapor
Автори англійськоюHotra Zenon Yuriiovych, Cherpak Vladyslav Volodymyrovych, Stakhira Pavlo Yosypovych, Volyniuk Dmytro Yuriiovych, Vozniak Lesia Yuriivna
Назва патенту російськоюСенсор алкоголя в парах воздуха
Автори російськоюГотра Зенон Юрьевич, Черпак Владислав Владимирович, Стахира Павел Иосифович, Волинюк Дмитрий Юрьевич, Возняк Леся Юрьевна
МПК / Мітки
МПК: G01D 5/00
Мітки: алкоголю, сенсор, парах, повітря
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-50346-sensor-alkogolyu-v-parakh-povitrya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Сенсор алкоголю в парах повітря</a>
Hизькотемпературний сенсор
Номер патенту: 29027
Опубліковано: 16.10.2000
Автори: Бортнік Галина Миколаївна, Варшава Славомир Степанович, Венгер Євген Федорович, Вайнберг Віктор Володимирович, Прохорович Анатолій Вікторович
МПК: G05D 23/20, G01K 7/16, H01L 43/08
Мітки: hизькотемпературний, сенсор
Формула / Реферат:
Низькотемпературний сенсор, що містить чутливий елемент з напівпровідникового ниткоподібного кристала з під’єднаними струмовиводами, розташований на підкладці, який відрізняється тим, що чутливий елемент виконано з телуру з питомим опором 0,6 Ом. см при 300 К, а відношення діаметра до довжини становить 0,05-0,1.
Гігрометричний сенсор на польовому транзисторі
Номер патенту: 40955
Опубліковано: 27.04.2009
Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович, Савицький Антон Юрійович, Крилик Людмила Вікторівна
МПК: G01N 21/53
Мітки: гігрометричний, транзисторі, сенсор, польовому
Формула / Реферат:
Гігрометричний сенсор на польовому транзисторі, який складається з чутливого елемента та приєднаного до нього польового транзистора, що складається з напівпровідникової підкладки, яка містить область витоку і область стоку, а також провідні електродні плівки та ізолюючий плівковий затвор, до протилежної поверхні чутливого елемента приєднаний керувальний електрод, який відрізняється тим, що польовий транзистор виготовлений за двозатворною...
Хімічний сенсор для вимірювання активності іонів тетрафторборату у розчині
Номер патенту: 87633
Опубліковано: 27.07.2009
Автори: Зимомря Іван Іванович, Фершал Максим Вікторович, Студеняк Ярослав Іванович
МПК: G01N 27/333, G01N 27/30, C01B 35/00, G01N 31/22
Мітки: іонів, тетрафторборату, хімічний, вимірювання, розчині, сенсор, активності
Формула / Реферат:
Хімічний сенсор для вимірювання активності іонів тетрафторборату у розчині, чутливий елемент якого містить електродоактивну речовину - іонний асоціат тетрафторборату з катіоном органічної основи, низьколеткий пластифікатор та полімерний матеріал, який відрізняється тим, що як електродоактивну речовину використовують іонний асоціат 2-(N-етилкарбазол-3)-етиніл-1,3,3-триметил-3Н-індолій тетрафторборат (ЕКТІ), причому іонний асоціат,...
Сенсор температури
Номер патенту: 27570
Опубліковано: 12.11.2007
Автори: Дружинін Анатолій Олександрович, Островський Ігор Петрович, Когут Юрій Романович
МПК: G01K 7/16
Мітки: сенсор, температури
Формула / Реферат:
Сенсор температури, який містить чутливий елемент у вигляді напівпровідникового ниткоподібного кристала Si-Ge з чотирма точковими контактами, одна пара контактів розташована на кінцях кристала біля основи та вістря, інша пара контактів - в середній частині кристала, зміщена до вістря, причому частина кристала між контактом зі сторони вістря та одним контактом з середньої частини кристала утворюють терморезистор, а частина кристала між...
Сенсор вологості
Номер патенту: 34264
Опубліковано: 15.02.2001
Автори: Готра Олександра Зенонівна, Казімір Камуда, Готра Зенон Юрійович, Дубницька Іванна Євгенівна
МПК: G01N 25/56
Текст:
...абсорбована всією поверхнею вологочутливого матеріалу 5 верхнього електроду 3 переважатиме об'ємна абсорбція вологи при якій буде відбуватися електричний контакт електропровідних мікрочастинок 6 в об'ємі волого чутливого матеріалу 5. В цьому випадку ємність утвореного конденсатора змінюватиметься за рахунок зміни товщини діелектричного шару конденсатора утвореного шаром вологочутливого матеріалу 4 і тією частиною вологочутливого матеріалу...
Попередній патент: Спосіб виготовлення планарного оптичного підсилювача
Наступний патент: Спосіб виготовлення інтегрального мікроелектронного твердотільного оптичного конвертора
Випадковий патент: Спосіб одержання триортофосфату натрію-титану (iv)