Спосіб електроосадження діоксиду плюмбуму

Спосіб електроосадження діоксиду плюмбуму з лужного електроліту, що включає електроосадження товстих шарів анодно-активного діоксиду плюмбуму на підкладку з конструкційного матеріалу, занурення в електроліт шматків металевого плюмбуму й (або) відходів губчастого плюмбуму, який відкладається на катоді при електроосадженні, який відрізняється тим, що до складу електроліту для електроосадження додають діоксид кремнію в концентрації 0,02...0,04 н. (19) (21) u201003586 (22) 29.03.2010 (24) 27.09.2010 (46) 27.09.2010, Бюл.№ 18, 2010 р. (72) МИХАЙЛЕНКО ВОЛОДИМИР ГРИГОРОВИЧ, ТУЛЬСЬКИЙ ГЕННАДІЙ ГЕОРГІЙОВИЧ, АНТОНОВ ОЛЕКСІЙ ВАЛЕНТИНОВИЧ (73) ІНСТИТУТ ПРОБЛЕМ МАШИНОБУДУВАННЯ ІМ. А.М. ПІДГОРНОГО НАЦІОНАЛЬНОЇ АКАДЕМІЇ НАУК УКРАЇНИ 3 53138 Недоліком цього способу є утворення на катоді плюмбуму у вигляді дуже пухкої губки, яка легко відділяється від катода, що може призвести до короткого замикання електродів і їхнього руйнування при потраплянні губчастого плюмбуму на анодне покриття. Переробка губчастого плюмбуму, що утворився, утруднена, тому що він швидко окиснюється при спробі переплавлення. В основу корисної моделі поставлено задачу розробки способу електроосадження діоксиду плюмбуму з лужного електроліту, у якому за рахунок введення додаткової складової лужного електроліту одержують анод, стійкий до руйнування, й осад металевого плюмбуму, що складається з великих кристалів і не складний у переробці. Поставлена задача вирішується за рахунок того, що в способі електроосадження діоксиду плюмбуму з лужного електроліту, який включає в себе електроосадження товстих шарів анодноактивного діоксиду плюмбуму на підкладку з конструкційного матеріалу, занурення в електроліт шматків металевого плюмбуму й (або) відходів губчастого плюмбуму, що відкладаються на катоді, відповідно до корисної моделі до складу електроліту для електроосадження вводять діоксид силіцію в концентрації 0,02...0,04 н. Введення діоксиду силіцію (SiO2) у кількості від 0,02 до 0,04н, як однієї із складових лужного електроліту, дає можливість збільшити розмір кристалів металевого плюмбуму, що виділяється на ка 4 тоді. Зазначена нижня межа концентрації діоксиду силіцію (SiO2) обумовлена тим, що менша концентрація істотно не підвищує насипну щільність катодного осаду й майже не поліпшує процес переплавлення. Збільшення концентрації діоксиду силіцію (SiO2) більше, ніж до 0,04н приводить до швидкого нагромадження в електроліті сполук чотиривалентного плюмбуму й утворення донних відкладень свинцевого сурику Рb3О4. Спосіб здійснюють таким чином. Електроосадження діоксиду плюмбуму проводиться з лужного етилендіамінтетраацетатного електроліту складу: NaOH - 2 н; 2 Na-сіль етилендіамінтетраацетатної кислоти - 0,6н; SiO2 - 0,02н; РbО - до насичення. У розчин занурено 0,5кг катодного губчастого свинцю (плюмбуму) на кожний 1дм3 розчину. Густина струму становить 2А/дм2. Підживлення розчину плюмбумом здійснюються додаванням свіжопрожареного оксиду плюмбуму (II) марки "ЧДА". При осадженні на аноді покриття з діоксиду плюмбуму одночасно на катоді утворюється осад металевого плюмбуму. Потім цей осад нагрівають, одержуючи металевий плюмбум і РbО. Після проходження певного часу ознаки нагромадження в розчині сполук чотиривалентного плюмбуму відсутні. У таблиці наведені дані по способах електроосадження діоксиду плюмбуму з електролітів у порівнянні із прототипом і з різною концентрацією діоксиду силіцію (SiO2). Таблиця № п/п Найменування показника 1. Концентрація SiO2 екв/дм3 Насипна щільність катодного осаду Рb кг/м3 Вихід зливку Рb при переплавленні на повітрі, % Кількість електрики, що пройшла до нагромадження сполук чотиривалентного плюмбуму, А·год. 2. 3. 4. 1 0 2 0,01 Приклади 3 4 0,02 0,03 5 0,04 6 0,05 1,54 1,58 1,82 3,62 3,80 3,85 10 10 30 80 85 85 >140 >140 >140 >140 140