Патенти з міткою «плюмбум»
Спосіб формування полірованої поверхні кристалів плюмбум телуриду та твердих розинів pb1-xsnxte
Номер патенту: 95348
Опубліковано: 25.12.2014
Автори: Копил Олександр Іванович, Литвин Оксана Степанівна, Маланич Галина Петрівна, Литвин Петро Мар'янович, Томашик Зінаїда Федорівна, Стратійчук Ірина Борисівна, Томашик Василь Миколайович
МПК: H01L 21/00
Мітки: pb1-xsnxte, полірованої, поверхні, плюмбум, спосіб, телуриду, кристалів, розинів, твердих, формування
Формула / Реферат:
Спосіб формування полірованої поверхні кристалів плюмбум телуриду та твердих розчинів Pb1-xSnxTe, що включає механічне шліфування поверхні пластин, хіміко-механічне полірування рідкофазним травильним розчином, який містить бром, бромідну кислоту та органічний розчинник, який відрізняється тим, що пластини кристалів полірують бромвиділяючим рідкофазним травильним розчином, до складу якого входить гідроген пероксид та бромідна кислота, а як...
Спосіб отримання легованого термоелектричного плюмбум телуриду
Номер патенту: 80799
Опубліковано: 10.06.2013
Автори: Люба тетяна Сергіївна, Горічок Ігор Володимирович, Криськов Цезарій Андрійович, Фреїк Дмитро Михайлович
МПК: C22C 43/00
Мітки: отримання, спосіб, плюмбум, легованого, термоелектричного, телуриду
Формула / Реферат:
Спосіб отримання легованого термоелектричного плюмбум телуриду, який полягає в тому, що вихідну речовину завантажують у кварцову вакуумовану ампулу, яку поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу витримують при цій температурі, здійснюють гомогенізуючий відпал і охолоджують на повітрі до кімнатної температури, після чого одержані злитки дроблять і здійснюють пресування, який відрізняється...
Спосіб електроосадження плюмбум двооксиду
Номер патенту: 38849
Опубліковано: 26.01.2009
Автори: Михайленко Володимир Григорович, Антонов Олексій Валентинович
МПК: C25B 11/00
Мітки: спосіб, двооксиду, електроосадження, плюмбум
Формула / Реферат:
Спосіб електроосадження плюмбум двооксиду з лужних електролітів, що включає електроосадження товстих шарів анодно активного плюмбум двооксиду на підкладинку з конструкційного матеріалу, який відрізняється тим, що в електроліт під час осадження занурюють шматки металевого плюмбуму або відходи губчастого плюмбуму, що відкладаються на катоді при електроосадженні плюмбум двооксиду.