Пристрій бобонича п.п. для підрахунку товщини діелектричного матеріалу

1. Пристрій для підрахунку товщини діелектричного матеріалу, що містить джерело випромінювання та приймач для підрахунку товщини тканини або паперу, який відрізняється тим, що приймач виконаний із фотоприймача структури рn-р-n-типу з інверсією знаку електрорушійної сили. 3 71809 4 налу, в залежності від інтенсивності поглинутого жиною хвилі більше 900нм. В залежності від інтенсвітла змінюється значення та знак електросивності світла світлодіодів значення рушійної сили. електрорушійної сили фотоприймачів змінювалось Блок детекторів можна виготовити у виді від +300 до -150мВ. лінійки фотоприймачів структури р-n-р-n-типу. Можливе поєднання лінійки фотоприймачів з В якості джерела випромінювання застосовано лінійкою джерела інфрачервоних випромінювачів. джерело інфрачервоного світла та циліндрична Для цього лінійка виконується із певної кількості лінза, що перетворює світловий промінь у виді інфрачервоних світлодіодів. лінії, який сканується по поверхні об'єкту. Пристрій для підрахунку діелектричних маДжерело інфрачервоного світла виконано у теріалів працює таким чином. виді лінійки світлодіодів. Довжина лінійки Джерело 1 випромінювання дає широкий потік світловодів співпадає з довжиною лінійки фотоінфрачервоного проміння на об'єкт 2. Частина приймачів. інфрачервоного проміння поглинається на об'єкті При проведені літературних досліджень по 2, а частина інфрачервоного проміння, яке пройшнауково-технічним джерелам інформації ми не ло через об'єкт 2 з різною оптичною густиною, виявили ці нові властивості фотоприймачів, з яких реєструється за допомогою лінійки 3 фотоприйскладається лінійка фотоприймачів. мачів. В залежності від величини інтенсивності На Фіг.1 схематично приведений один із світла, яке пройшло через об'єкт, пристрій виконує варіантів пристроїв, а на Фіг.2,3 - графіки залежкоманди для зміни товщини або на відміну роботи ності наведеної ерс від кількості листів паперу. пристрою. Пристрій для підрахунку діелектричних матеЗавдяки використання інфрачервоних промеріалів складається із джерела 1 випромінювання, нів променеве навантаження на обслуговуючий об'єкту 2, товщину якого потрібно вимірювати, ліперсонал зменшується, поскільки фотоприймачі із нійки 3 детекторів (або одного детектора), причому р-n-р-n-структурою здатні реєструвати інтенсивдетектори виконані із структури р-n-р-n-типу з інність інфрачервоного світла, яке пройшло через версією знаку електрорушійної сили. Реєстрація об'єкт. товщини проводиться блоком 4, який дає команду Пристрій для підрахунку діелектричних матена виконання наступних операцій: припинення ріалів дозволяє значно зменшити променеве навиготовлення діелектричного матеріалу або ковантаження із-за використання інфрачервоного манду на зміну товщини матеріалу. світла та застосування фотоприймачів із р-n-р-nВ якості джерела випромінювання можна заструктурою, які здатні реєструвати різні значення стосувати джерело 1 інфрачервоного світла, циліінтенсивності в залежності від оптичної густини ндричної лінзи 4, яке дає вузький пучок у виді лінії. діелектричного матеріалу. Джерело випромінювання 1 можна виготовити у Технічна ефективність запропонованого привиді матриці інфрачервоних світлодіодів 5. При строю - можливість зменшити опромінення персовиготовлені фотоприймачів у виді лінійки 1 є можналу, який обслуговує пристрій, виключивши заливість реєструвати оптичний сигнал по всій довстосування радіоактивного джерела жині діелектричного матеріалу. випромінювання. Ця особливість пов'язана з власНа графіках (Фіг.2,3) приведена залежність тивістю фотоприймачів з інверсією знаку ерс. наведеної ерс фотоприймачів структури р-n-р-nЛітературні джерела типу з інверсією знаку електрорушійної сили від 1) Венецький С.М. О редких и рассеяных – кількості листів білого паперу. Джерелом випроміМосква: Металлургия, 1987. –С. 129-130. нювання служили інфрачервоні світлодіоди з дов Комп’ютерна в ерстка А. Крижанівський Підписне Тираж 37 прим. Міністерство осв іт и і науки України Держав ний департамент інтелектуальної в ласності, вул. Урицького, 45, м. Київ , МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислов ої в ласності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601