Напівпровідникове кисневе піноскло
Номер патенту: 76771
Опубліковано: 15.09.2006
Автори: Новіков Олександр Олександрович, Короленко Олександр Валентинович, Новікова Лідія Володимирівна
Формула / Реферат
Напівпровідникове кисневе піноскло, яке містить склоутворювач - В2О3, модифікатор - ВаО, та спінювач - силікат системи Na2O-SіО2, яке відрізняється тим, що додатково містить СuО, при наступному співвідношенні компонентів, мас. %:
В2O3
29-33
BaO
31-34
CuO
10-12
силікат системи Na2O-SiO2
21-30.
Текст
Напівпровідникове кисневе піноскло, яке містить склоутворювач В2О3, модифікатор ВаО, спінювач (Na2O+SіО2), яке відрізняється тим, що як домішку використовують гідроксид міді СuО, за такого співвідношення компонентів, мас.%: В2O3 29-33 BaO 31-34 СuО 10-12 Na2O+SiO2 21-30. (19) (21) 2004032309 (22) 30.03.2004 (24) 15.09.2006 (46) 15.09.2006, Бюл. №9, 2006р. (72) Новіков Олександр Олександрович, Новікова Лідія Володимирівна, Короленко Олександр Валентинович (73) ХЕРСОНСЬКИЙ ДЕРЖАВНИЙ ТЕХНІЧНИЙ УНІВЕРСИТЕТ (56) UA 57441 A, 16.06.2003 SU 337354 A, 05.05.1972 RU 2187473 C2, 20.08.2002 3 76771 при температурі скловаріння Т=800°С пори зовсім зникають. Таким чином, сукупність запропонованих ознак суттєво відрізняє технічне рішення від існуючих. Склад готують таким чином. Приклад 1. Готують водний розчин гідроксиду барію ВаО 32,6мас.%, гідроксиду міді СuО 11мас.%. У підготовлений розчин додають борну кислоту В2O3 31,4мас.% і силікат натрію (Na2O+SiO2) 25мас.% при цьому утворюється гель. Отриманий гель висушують до в'язкої суміші. Зроблену суміш наносять на поверхні, що потребують у захисті від електромагнітного випромінювання, або за допомогою форм з металізованої кераміки 22ХС виготовляють задані розміри пластин та ін. Склоутворення проводять у печі при температурі 700°С протягом 10 хвилин. Розмір пор ~1мм. Даний склад містить оптимальну кількість склоутворювача, модифікатора, домішки, що дозволяють отримати однорідну піноскляну пластину заданих форм, розмірів, відбиваючих та поглинаючих показників у широкому діапазоні електромагнітного випромінювання від 0 до 3 1020Гц. Приклад 2. Готують водний розчин гідроксиду барію 31мас.%, гідроксиду міді 10мас.%. У підготовлений розчин додають борну кислоту 29мас.% і силікат натрію (Na2О+SiO2) 30мас.%, при цьому утворюється гель. Отриманий гель висушують до в'язкої суміші. Зроблену суміш наносять на поверхні, що потребують у захисті від електромагнітного випромінювання, або за допомогою форм з металізованої кераміки 22ХС виготовляють задані розміри пластин та ін. Склоутворення проводять у Комп’ютерна верстка М. Ломалова 4 печі при температурі 700°С протягом 10 хвилин; розмір пор 0,5 3 мм. Максимальне додавання (Na2O+SiО2) не приводить до зниження температури склоутворення, погіршує процес ціноутворення. Приклад 3. Готують водний розчин гідроксиду барію 34мас.%, гідроксиду міді 12мас.%. У підготовлений розчин додають борну кислоту 33мас.% і силікат натрію (Na2О+SiО2) 21мас.%, при цьому утворюється гель. Отриманий гель висушують до в'язкої суміші. Зроблену суміш наносять на поверхні, що потребують у захисті від електромагнітного випромінювання, або за допомогою форм з металізованої кераміки 22ХС виготовляють задані розміри пластин та ін. Склоутворення проводять у печі при температурі 700°С протягом 10 хвилин; розмір пор 0,5-3мм. Наявність великої кількості склоутворювача і малої кількості спінювача призводить до отримання не стійких до зовнішнього впливу піноскляних пластин. Висновок: оптимальним із запропонованих, вибраний склад №1 тому, що є найбільш здатним захищати від електромагнітного випромінювання в широкому діапазоні від 0 до 1020Гц, поглинання і відбивання змінюється в залежності від діапазону електромагнітного випромінювання, проте за піносклом не виявлено в зазначеному діапазону хвиль з потужністю ~10-9Вт. Отримані піноскляні пластини і поверхні зарекомендували себе, як фізично та хімічно стійки, які здатні відбивати і поглинати електромагнітне випромінювання від 0 до 3 1020Гц, що визначає його промислове використання. Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюSemiconductor oxygen foamglass
Автори англійськоюNovikov Oleksandr Oleksandrovych, Novykova Lidiia Volodymyrivna, Korolenko Oleksandr Valentynovych
Назва патенту російськоюПолупроводниковое кислородное пеностекло
Автори російськоюНовиков Александр Александрович, Новикова Лидия Владимировна, Короленко Александр Валентинович
МПК / Мітки
МПК: C03C 4/00, C03C 11/00
Мітки: піноскло, кисневе, напівпровідникове
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-76771-napivprovidnikove-kisneve-pinosklo.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Напівпровідникове кисневе піноскло</a>
Попередній патент: Спосіб ідентифікації людини на основі аналізу звуків мови
Наступний патент: Спосіб садіння і вирощування інтенсивного плодового саду “кущова ваза”
Випадковий патент: Лікувально-профілактичний пристрій "максим"